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フラ―レン添加チタン酸ジルコン酸鉛およびその製造方法 コモンズ

国内特許コード P03A000549
整理番号 U1998P087
掲載日 2003年8月28日
出願番号 特願平11-081100
公開番号 特開2000-272964
登録番号 特許第3035614号
出願日 平成11年3月25日(1999.3.25)
公開日 平成12年10月3日(2000.10.3)
登録日 平成12年2月25日(2000.2.25)
発明者
  • 宮沢 薫一
  • 伊藤 邦夫
  • 葛巻 徹
  • 関 史江
出願人
  • 国立大学法人東京大学
発明の名称 フラ―レン添加チタン酸ジルコン酸鉛およびその製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】 ゾル・ゲル法によってPZTを製造する場合に、従来よりも低い温度でペロブスカイト相を効果的に生成させることができる、PZTの新規な製造技術を提供する。
【解決手段】 有機溶媒中に、ジルコニウムとチタンのアルコキシドおよび酢酸鉛を安定化剤と共に溶解して得たコロイド溶液(ゾル)に、フラーレンを添加し、ゲル化後、乾燥ついで低温焼成する。
従来技術、競合技術の概要


従来、PZT薄膜をゾル・ゲル法によって作製する場合には、通常、ペロブスカイト強誘電相を生成させるための温度として、 500~600 ℃以上が必要であった(例えば、 M.Klee et a1.,“ Deposition of Undoped and Doped Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3, Perovskite Thin Films on Pt and Conductive Oxide Electrodesby Spin-on Processing:Correlation of Growth and Electrical Properties”, Science and Technology of Electroceramic Thin Films, Kluwer AcademicPublishers, 1995, p.99、 K.Miyazawa et a1.“ Structure of Duplex Multilayer Pb(Zr0.53Ti0.47O3)Films Prepared by Sol-Gel Processing, J.Am.Ceram.Soc.,81(1998)2333)
しかしながら、このような高温では、基板の電極金属がPZT膜内部に拡散して膜の組成がずれたり、大きな熱応力の発生によってPZT膜が剥離し易くなるという問題があった。また、マイクロデバイスを作製するために、圧電アクチュエータとして使用するPZT薄膜をゾル・ゲル法によって形成する場合も、焼成温度が高いと、同じ基板上に組み込まれた他の素子や電極接合部の特性の劣化原因となっていた。

産業上の利用分野


本発明は、フラーレン添加チタン酸ジルコン酸鉛およびその製造方法に関し、特に界面分極効果による高誘電率強誘電体・圧電体、計算機メモリーおよびマイクロアクチュエータ材料などの製造に有効に適用できるので、自動車産業、家電産業およびコンピュータ産業等の幅広い分野において好適に利用することができる。本発明を適用して特に好適な製品としては、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛;Pb(Zr,Ti)O3 )薄膜として従来用いられてきた圧電素子、計算機メモリー、赤外センサーおよび高誘電率コンデンサー等が挙げられる。

特許請求の範囲 【請求項1】
有機溶媒中に、ジルコニウムとチタンのアルコキシドおよび酢酸鉛を安定化剤と共に溶解して得たコロイド溶液(ゾル)に、フラーレンを添加し、ゲル化後、乾燥ついで低温焼成することを特徴とするフラーレン添加チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法。

【請求項2】
請求項1の方法によって製造したフラーレン添加チタン酸ジルコン酸鉛。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP1999081100thum.jpg
出願権利状態 登録


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