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FREQUENCY MULTIPLICATION METHOD AND FREQUENCY MULTIPLIER

Patent code P03A000586
File No. U2000P158
Posted date Aug 28, 2003
Application number P2001-012644
Publication number P2002-217646A
Patent number P3584281
Date of filing Jan 22, 2001
Date of publication of application Aug 2, 2002
Date of registration Aug 13, 2004
Inventor
  • (In Japanese)渡辺 秀樹
  • (In Japanese)澤村 誠
  • (In Japanese)末岡 和久
  • (In Japanese)武笠 幸一
  • (In Japanese)中根 了昌
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 北海道大学
Title FREQUENCY MULTIPLICATION METHOD AND FREQUENCY MULTIPLIER
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide new frequency multiplication method and frequency multiplier usable for a monolithic microwave integrated circuit or the like.
SOLUTION: Electromagnetic waves E provided with an input frequency F equal to the resonance frequency f of a ferromagnetic thin film 2 are introduced to the inside from an orifice 3 provided on a cavity resonator 1 and made incident on the ferromagnetic thin film 2 and ferromagnetic resonance is generated. Then, the electromagnetic waves provided with a double frequency 2f multiplied by the ferromagnetic resonance are generated, emitted and taken out from a slit 4 to the outside of the cavity resonator 1.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、移動体送受信装置及び携帯情報機器などにおいて周波数を逓倍するに際しては、クリスタル検出器を用い、この非直線抵抗特性を利用して行っていた。しかしながら、このようにして周波数を逓倍するに際しては、調整すべき整合素子の数が増大してしまうため、操作が複雑になるという問題があった。



一方、高速・高周波回路としてマイクロ波回路を一つの基板上に作製してなるモノリシックマイクロ波集積回路が使用されている。この集積回路は、優れた量産性を有するため、市場において大きな優位となっているが、さらなる高周波対応、低コスト化、小型軽量化、及び低消費電力が望まれている。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、周波数逓倍方法及び周波数逓倍器に関し、詳しくは、移動体送受信装置及び携帯情報機器の周波数を高効率に逓倍するマイクロ波技術、並びに高周波技術の分野において、好適に用いることのできる周波数逓倍方法及び周波数逓倍器に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 固有の共鳴周波数を有する強磁性薄膜に対して、前記共鳴周波数と合致した入力周波数を有する電磁波を導入し、前記強磁性薄膜の強磁性共鳴によって前記電磁波の前記入力周波数を逓倍することを特徴とする、周波数逓倍方法。
【請求項2】
 前記電磁波の前記入力周波数は、前記強磁性薄膜の前記強磁性共鳴によって2倍の大きさに逓倍することを特徴とする、請求項1に記載の周波数逓倍方法。
【請求項3】
 前記強磁性薄膜を空洞共振器内に設置し、この空洞共振器に設けられたオリフィスより前記電磁波を前記空洞共振器内に導入し、前記強磁性薄膜による強磁性共鳴によって、前記電磁波の前記入力周波数を逓倍した後、前記空洞共振器に設けられたスリットより、逓倍された周波数を有する前記電磁波を外部に取り出すようにしたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の周波数逓倍方法。
【請求項4】
 前記強磁性薄膜は、Co単結晶薄膜であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の周波数逓倍方法。
【請求項5】
 前記Co単結晶薄膜の厚さが、0.5nm~5nmであることを特徴とする、請求項4に記載の周波数逓倍方法。
【請求項6】
 固有の共鳴周波数を有する複数の強磁性薄膜を順次に設置し、前記複数の強磁性薄膜のいずれか一の強磁性薄膜の共鳴周波数と合致した入力周波数を有する電磁波を前記一の強磁性薄膜に導入し、前記一の強磁性薄膜の強磁性共鳴によって前記電磁波の前記入力周波数を逓倍し、逓倍された周波数を有する電磁波を前記複数の強磁性薄膜の他の強磁性薄膜に連続的に導入し、前記電磁波の前記入力周波数を多段に逓倍することを特徴とする、周波数逓倍方法。
【請求項7】
 前記電磁波の前記入力周波数は、前記複数の強磁性薄膜のそれぞれにおいて、2倍の大きさに逓倍することを特徴とする、請求項6に記載の周波数逓倍方法。
【請求項8】
 前記複数の強磁性薄膜は、それぞれCo単結晶薄膜からなることを特徴とする、請求項6又は7に記載の周波数逓倍方法。
【請求項9】
 前記Co単結晶薄膜の厚さが、0.5nm~5nmであることを特徴とする、請求項8に記載の周波数逓倍方法。
【請求項10】
 空洞共振器と、この空洞共振器内に設置された強磁性薄膜とを具え、前記空洞共振器は、所定の入力周波数を有する電磁波を導入するためのオリフィスと、前記強磁性薄膜の強磁性共鳴によって逓倍された周波数を有する前記電磁波を外部に取り出すためのスリットとを具えることを特徴とする、周波数逓倍器。
【請求項11】
 前記強磁性薄膜は、Co単結晶薄膜であることを特徴とする、請求項10に記載の周波数逓倍器。
【請求項12】
 前記Co単結晶薄膜の厚さが、0.5nm~5nmであることを特徴とする、請求項11に記載の周波数逓倍器。
【請求項13】
 前記電磁波の前記入力周波数は、2倍の大きさに逓倍されることを特徴とする、請求項10~12のいずれか一に記載の周波数逓倍器。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2001012644thum.jpg
State of application right Registered
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