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METHOD TO CONTROL STRUCTURE OF OXIDE FILM AND APPARATUS USED FOR THE METHOD meetings

Patent code P03A000617
File No. U2000P110
Posted date Aug 28, 2003
Application number P2000-297832
Publication number P2002-105642A
Patent number P3521223
Date of filing Sep 29, 2000
Date of publication of application Apr 10, 2002
Date of registration Feb 20, 2004
Inventor
  • (In Japanese)斎藤 秀俊
  • (In Japanese)大塩 茂夫
Applicant
  • (In Japanese)学校法人長岡技術科学大学
Title METHOD TO CONTROL STRUCTURE OF OXIDE FILM AND APPARATUS USED FOR THE METHOD meetings
Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method to control a structure of an oxide film deposited on a substrate surface of various kinds in an open-to-atmosphere type CVD method, in particular a fine structure of 0.1 nm-100 μm in the oxide film and an apparatus used for the method.

SOLUTION: In the open-to-atmosphere type chemical gas phase deposition method to deposit the oxide film on the substrate surface by blowing a gasified raw material together with a carrier gas on the substrate surface heated in open to atmosphere, it is featured that the structure of the oxide film deposited on the substrate surface is controlled by imparting an electric field to a reaction space field.

Outline of related art and contending technology (In Japanese)気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型気相折出(CVD)法は、密閉された反応容器内で減圧下に反応を行なう従来のCVD法に比較して、板状体やパイプ等の長尺物からなる基材を連続的に加工することができること、及び原料の気化温度や供給量、キャリヤーガスの流量、基材温度等を調整することによって、基材表面に形成する酸化物膜の膜厚や結晶構造等をある程度制御することができることから、注目を集めている。本発明者らは、この大気開放型CVD法において、基材表面に堆積する酸化物膜の構造を用途に合わせて制御することを鋭意検討した結果、本発明を完成したものである。
Field of industrial application (In Japanese)大気開放型化学気相折出法により各種基材表面に酸化物膜を形成する際に、酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
  気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加することを特徴とする基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項2】
  印加する電界が直流電界であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項3】
  電界の強度が0.1~10000V/mmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項4】
  電界の方向が酸化物膜を形成する基材に対して正又は負であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項5】
  酸化物膜内の0.1nm以上100μm以下の構造を制御することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項6】
  基材表面に堆積する酸化物膜がアモルファスあるいは多結晶構造であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項7】
  基材が金属、金属酸化物、ガラス、陶磁器、セラミックス又はプラスチックから選択されたものであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項8】
  キャリヤーガス供給手段、原料気化器、気化した原料の吹付手段及び基材の加熱手段を具備する大気開放型化学気相析出装置において、基材の加熱手段に近接する位置に電界印加手段を設けたことを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法に使用する装置。
【請求項9】
  基材の加熱手段と電界印加手段が電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項8に記載の装置。
【請求項10】
  少なくとも気化した原料の吹付手段、基材の加熱手段及び電界印加手段を覆う防護チャンバーを設け、防護チャンバーの扉の開閉と電界印加手段のスイッチの開閉を連動させたことを特徴とする請求項8又は9に記載の装置。
Industrial division
  • Surface treatment
  • Inorganic compound
  • High polymer
  • Solid device
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Right is in force
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