Top > Search of Japanese Patents > FIELD-EFFECT TRANSISTOR

FIELD-EFFECT TRANSISTOR commons

Patent code P03A001784
File No. A111P05
Posted date Apr 16, 2004
Application number P2000-085947
Publication number P2001-272372A
Patent number P3313696
Date of filing Mar 27, 2000
Date of publication of application Oct 5, 2001
Date of registration May 31, 2002
Inventor
  • (In Japanese)川原田 洋
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title FIELD-EFFECT TRANSISTOR commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field-effect transistor, using a liquid electrolyte as a gate and stably working in the liquid electrolyte.
SOLUTION: This :field-effect transistor is provided with a channel 2, having a diamond hydrogen terminal surface exposed between a gate electrode 3 and a drain electrode 6 and a gate consisting of a liquid electrolyte 4 filling the exposed diamond hydrogen terminal surface of the channel 2.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


マイクロ波プラズマCVD法により成膜されたアンドープ水素終端ダイヤモンド薄膜においては、単結晶、多結晶に関わらず、その表面にp型伝導層ができることが知られている。これまでに、本願発明者等は、この表面導電層を利用してゲート部分に金属、絶縁物を堆積させない電界効果トランジスタ(FET)を作製し、その電解質水溶液中での動作を確認してきた〔北谷謙一他 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、30a-P7-22(1999)pp.628〕。また、溶液中のダイヤモンド表面伝導層-電解質界面では電気二重層が形成されていると考えられている〔細見剛他 第13回ダイヤモンドシンポジューム講演要旨集、115(1999)、pp.36〕。

Field of industrial application (In Japanese)


液体電解質をゲートとして使用し、ダイヤモンドの水素終端表面をチャネルとした電界効果トランジスタ

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ソース電極とドレイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出したpチャネルと、該pチャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備える電界効果トランジスタであって、ドレイン電流はゲート電圧により制御され、ピンチオフすることを特徴とする電界効果トランジスタ。

【請求項2】
 
ソース電極とドレイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出したpチャネルと、該pチャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備える電界効果トランジスタであって、前記pチャネルはノーマリーオフ型であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

【請求項3】
 
ソース電極とドレイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出したpチャネルと、該pチャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備える電界効果トランジスタであって、閾値電圧が前記液体電解質のpHにネルンスト応答しない特性を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

05357_01SUM.gif
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close