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METHOD AND SYSTEM FOR FILM DEPOSITION BY NEGATIVE ION IRRADIATION AND MULTI-SOURCE EVAPORATION meetings

Patent code P03A002957
Posted date Dec 22, 2003
Application number P2000-264418
Publication number P2001-140056A
Patent number P3610372
Date of filing Aug 31, 2000
Date of publication of application May 22, 2001
Date of registration Oct 29, 2004
Priority data
  • P1999-245934 (Aug 31, 1999) JP
Inventor
  • (In Japanese)岸本 直樹
  • (In Japanese)武田 良彦
  • (In Japanese)河野 健一郎
Applicant
  • (In Japanese)独立行政法人物質・材料研究機構
Title METHOD AND SYSTEM FOR FILM DEPOSITION BY NEGATIVE ION IRRADIATION AND MULTI-SOURCE EVAPORATION meetings
Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form, e.g. a functional film which is composed of multi-source elements and in which insulating materials are used as base materials of film by means of dynamic mixing treatment.

SOLUTION: This film forming method is exerted by means of dynamic mixing treatment where the application of ion irradiation from an ion source to the surface of a sample substrate is carried out simultaneously with the evaporation of base materials of film onto the surface of the sample substrate in a vacuum vessel. The ions projected from the ion source are negative ions and the base materials of film are insulating materials, and a fine-particle- dispersed film in which fine particles are dispersed can be formed.

Field of industrial application (In Japanese)
この出願の発明は、負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法およびその装置に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、負イオンを用いるダイナミックミキシング処理による膜形成方法によって、非線形光学材料等の機能性膜として有用な微粒子分散膜を形成することのできる、新しい膜形成方法とそのための装置に関するものである。
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 真空容器内部において、イオン源から試料基板表面へのイオン照射と、膜基材の試料基板表面への蒸着とを同時に行うダイナミックミキシング処理による膜形成方法であって、イオン源から照射されるイオンが金属元素もしくは絶縁体中で過飽和にすることのできる非金属元素の負イオンで、試料基板に同時蒸着する膜基材が絶縁体物質であり、前記金属元素もしくは前記非金属元素の微粒子が膜基材中に分散されている微粒子分散膜を形成することを特徴とする負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法。
【請求項2】
 膜基材が、SiO2,Al2O3,MgO,MgO-Al2O3,LiNb
O2およびBaF2のうちの1種または2種以上である請求項1の膜形成方法。
【請求項3】
 負イオンが、Cu、Co、Ni、Zn、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Hg、B、C、Si、P、Ge、As、SeおよびSbのうちのいずれかの負イオンである請求項1または2の膜形成方法。
【請求項4】
 微粒子は、その径が1~20nmである請求項1ないし3のいずれかの膜形成方法。
【請求項5】
 微粒子が単結晶である請求項1ないし4のいずれかの膜形成方法。
【請求項6】
 非線形光学膜を形成する請求項1ないし5のいずれかの膜形成方法。
【請求項7】
 請求項1ないし6のいずれかの方法のための装置であって、真空容器内部に、試料基板表面に金属元素もしくは絶縁体中で過飽和にすることのできる非金属元素の負イオンを照射するイオン源と、膜基材を加熱蒸発し試料基板表面に膜基材蒸気を蒸着させるための蒸着源とを具備し、負イオンと膜基材蒸発粒子の各々の粒子束の制御手段を備えており、膜の形成をダイナミックミキシング処理により実施することを特徴とする負イオン照射・同時蒸着による膜形成装置。
Industrial division
  • Surface treatment
  • Optical device
  • Electron tube
IPC(International Patent Classification)
State of application right Right is in force
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