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THIN SOFT MAGNETIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME meetings

Patent code P03A003963
File No. WASEDA-66
Posted date Apr 6, 2004
Application number P2001-066099
Publication number P2002-270426A
Patent number P4645784
Date of filing Mar 9, 2001
Date of publication of application Sep 20, 2002
Date of registration Dec 17, 2010
Inventor
  • (In Japanese)逢坂 哲彌
  • (In Japanese)横島 時彦
  • (In Japanese)清水 さなえ
  • (In Japanese)田中 厚志
Applicant
  • (In Japanese)学校法人早稲田大学
  • (In Japanese)富士通株式会社
Title THIN SOFT MAGNETIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic head using a thin soft magnetic film that has improved low coercive force, and high Bs, and high writing capability.
SOLUTION: The thin soft magnetic film contains Co (40-80 at.%), Fe (15-40 at.%), Ni (5-20 at.%), and B (0.5-5 at.%) has 80 e or less coercive force, and is made by electrolytic plating.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


軟磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドや薄膜インダクタ、薄膜トランスなどの工業分野などで広く用いられている。薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度磁気記録を行うために、ますます強くかつ高速に変化する書き込み磁界を発生させる必要がある。特に高記録密度を達成するためには、ヘッドにはヘッドそのものの微細化とヘッドコア先端の書き込み部の微細化が必要とされている。また、微細なヘッドでは、そのコア材料からの書き込み能力が減少するために、高い書き込み能力を得るためには高飽和磁束密度Bsが必要である。無電解めっき法は、現行の電気めっき法に比べ、外部電源を用いず成膜が可能という特徴から、微細で複雑なパターンにおいても均一な膜厚、均一な組成が得やすい成膜方法である。そのために、無電解めっき法による磁気ヘッドコアの作製が期待される。また、薄膜インダクタ、薄膜トランスなどにおいても、ヘッド同様に高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が求められており、より微細なパターンが求められている。



無電解めっき法によるヘッドコア作製の試みは、たとえば、日本応用磁気学会誌23巻、4-2号、1397~1400ページにより報告されている。



高Bsを有する軟磁性薄膜としては、たとえば、特許第2821456号に電気めっき法によるBsが1.7~2.1Tを有するCoNiFe軟磁性薄膜の製造方法が示されている。



無電解めっき法による高Bsを有する軟磁性薄膜としては、たとえば特開平7-220921号公報において、Bs=1.6-1.8Tを有するCoFeB軟磁性薄膜の作製方法が示されている。



The Journal of Electroanalytical Chemistryの2000年491号197~202ページには、無電解めっき法によるCo77Ni13Fe9B1軟磁性薄膜の作製方法が示されているが、Bsは1.5T~1.7T程度と高くない。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッド、さらには薄膜インダクタや薄膜トランスなどの磁気デバイスの磁極材料として好適な軟磁性薄膜およびその製造方法、並びに磁気記憶装置用の薄膜磁気ヘッドに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
Co、Ni、FeおよびBを含有し、Co含有量が40~80at%、Fe含有量が15~40at%、Ni含有量が5~20at%、B含有量が0.5~5at%であり、飽和磁束密度が1.8T以上、保磁力が8Oe以下であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜。

【請求項2】
 
保磁力が3Oe以下であことを特徴とする請求項1記載の軟磁性薄膜。

【請求項3】
 
Co含有量が50~70at%、Fe含有量が20~30at%、Ni含有量が10~15at%、B含有量が0.5~2at%であることを特徴とする請求項1または2記載の軟磁性薄膜。

【請求項4】
 
Coイオン、Feイオン、Niイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、総金属塩濃度が0.5モル/リットル以下である無電解めっき浴を用いて形成された請求項1~3のいずれか1項記載の軟磁性薄膜。

【請求項5】
 
ホウ素含有還元剤としてジメチルアミンボランを0.01~0.3モル/リットルで用いることを特徴とする請求項4記載の軟磁性薄膜。

【請求項6】
 
めっき浴を定量的に撹拌することによって得られたことを特徴とする請求項4または5記載の軟磁性薄膜。

【請求項7】
 
Coイオン、Feイオン、Niイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、総金属塩濃度が0.5モル/リットル以下である無電解めっき浴中に基板を浸漬して無電解めっきを行い、上記基板上に請求項1、2または3記載の軟磁性薄膜を形成することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。

【請求項8】
 
ホウ素含有還元剤としてジメチルアミンボランを0.01~0.3モル/リットルで用いることを特徴とする請求項7記載の軟磁性薄膜の製造方法。

【請求項9】
 
めっき浴を定量的に攪拌することを特徴とする請求項7または8記載の軟磁性薄膜の製造方法。

【請求項10】
 
請求項1~6のいずれか1項記載の軟磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部もしくは全部に用いた薄膜磁気ヘッド。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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07356_03SUM.gif
State of application right Registered
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