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P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR commons

Patent code P04P001025
File No. A111P65
Posted date Jun 4, 2004
Application number P2002-274343
Publication number P2004-109020A
Patent number P3910512
Date of filing Sep 20, 2002
Date of publication of application Apr 8, 2004
Date of registration Feb 2, 2007
Inventor
  • (In Japanese)川原田 洋
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a p-channel field effect transistor having a high threshold voltage by ozone processing, and having an excellent characteristic.
SOLUTION: A liquid electrolyte is used as a gate 8, and a hydrogen terminal surface is partially oxidized by the ozone processing 2, to thereby acquire the p-channel field effect transistor having as a channel, a diamond surface wherein a hydrogen terminal and an oxygen terminal are intermingled.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、市販のSiMOSFETを基礎とするイオン感応性FET(ISFET)は、酸化膜や酸化膜/Si界面へのイオンの侵入による動作不良を防止するため、Si酸化膜をSi窒化膜で覆う構造となっている。このSi酸化膜を覆うSi窒化膜表面が感応部となることから、感応部が酸化膜/Si界面から離れることになり、表面の電位変化に対応する電流変化が小さく、高感度化が困難である。



これに対応するため、感応膜や保護膜としてのシリコン窒化膜やアルミナ膜の稠密性を上げ、レーザーアブレーション等を使用し、膜厚を薄くして感応性を高くする成膜技術を用いている。



【非特許文献1】
H.Kawarada,Surface Science Reports 26(1996)205



【非特許文献2】
G.W.Swain,Advanced Materials,6,(1994)388



【非特許文献3】
藤嶋 昭;化学と工業51,(1998)207

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、液体電解質をゲートとして使用し、水素終端と酸素終端あるいは水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしたpチャネル電界効果トランジスタの製造方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタの製造方法

【請求項2】
 
請求項1記載のpチャネル電界効果トランジスタの製造方法において、前記水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面の酸素の被覆率を高くすることにより閾値電圧を負の方向にシフトすることを特徴とするpチャネル電界効果トランジスタの製造方法
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2002274343thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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