Top > Search of Japanese Patents > MICROSCOPE, MICRO-PLASMA ARRAY FOR MICROSCOPE, METHOD OF OBSERVING SURFACE, AND METHOD OF REFORMING SURFACE

MICROSCOPE, MICRO-PLASMA ARRAY FOR MICROSCOPE, METHOD OF OBSERVING SURFACE, AND METHOD OF REFORMING SURFACE

Patent code P04A004694
File No. ID5054
Posted date Dec 28, 2007
Application number P2003-004364
Publication number P2004-219148A
Patent number P3837531
Date of filing Jan 10, 2003
Date of publication of application Aug 5, 2004
Date of registration Aug 11, 2006
Inventor
  • (In Japanese)白井 肇
  • (In Japanese)長谷川 靖洋
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人埼玉大学
Title MICROSCOPE, MICRO-PLASMA ARRAY FOR MICROSCOPE, METHOD OF OBSERVING SURFACE, AND METHOD OF REFORMING SURFACE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide devices and methods by which surface observation, surface reformation, etc., can be performed easily in a short time in a micrometer area or larger.
SOLUTION: A microscope comprises a micro-plasma array 10 constituted by erecting a plurality of probes 13 on a substrate 11, a gas introducing means which introduces a plasma generating gas to the vicinity of the micro-plasma array 10, and a high frequency impressing means which generates a plasma jet by ionizing the plasma generating gas by impressing a high frequency upon the array 10. The microscope also comprises an induced-current measuring means which measures a plasma-induced current generated between the micro-plasma array 10 and a sample X to be observed.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


近年においては、原子間力顕微鏡(AFM)及び走査型トンネル顕微鏡(STM)などの原子及び分子レベルでの分解能を有する顕微鏡が開発され、広く用いられるようになってきている。これらの顕微鏡は、原子レベルでの分解能に優れていることから、試料表面の局所的な観察や局所的な改質には十分な効果を発揮する。しかしながら、上述したような顕微鏡では、マイクロメータ領域以上での表面観察や表面改質を行うことはできなかった。



また、上記原子間力顕微鏡などを用いた表面観察や表面改質は、超高真空状態で行うため、作業が繁雑であるとともに、長時間の作業が要求されるという問題もあった。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、顕微鏡、及び前記顕微鏡の原理を利用した表面観察方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
所定の基板上において複数のプローブ深針を立設してなるマイクロプラズマアレイと、
前記マイクロプラズマアレイの近傍にプラズマ生成ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記マイクロプラズマアレイに対して高周波を印加することにより、前記プラズマ生成ガスをプラズマ化してプラズマジェットを生成するための高周波印加手段と、
前記マイクロプラズマアレイと観察すべき試料との間に生成されたプラズマ誘導電流を計測するための誘導電流計測手段と、
を具えることを特徴とする、顕微鏡。

【請求項2】
 
前記複数のプローブ探針は、前記基板上において、前記マイクロプラズマアレイに対して前記高周波を導入するための導電板を介して設けられたことを特徴とする、請求項1に記載の顕微鏡。

【請求項3】
 
前記プローブ探針の内径が100μm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の顕微鏡。

【請求項4】
 
前記プローブ探針の立設密度が100×100個/mm2~1000×1000個/mm2であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の顕微鏡。

【請求項5】
 
前記試料の表面においてマイクロメータ領域の観察を行うことを特徴とする、請求項1~4のいずれ一に記載の顕微鏡。

【請求項6】
 
プラズマ探針近傍にプラズマ生成ガスを導入するとともに、前記プラズマ探針に高周波を印加することにより、プラズマジェットを生成し、所定の試料へ向けて発射する工程と、
前記プラズマ探針と前記試料との間に生成したプラズマ誘導電流を計測し、前記プラズマ誘導電流の大きさから、前記試料表面における凹凸を観察する工程と、
を具えることを特徴とする、表面観察方法。

【請求項7】
 
前記プラズマ探針は、所定の基板上において複数のプローブ深針を立設してなるマイクロプラズマアレイを含むことを特徴とする、請求項6に記載の表面観察方法。

【請求項8】
 
前記複数のプローブ探針は、前記基板上において、高周波を導入するための導電板を介して設けられたことを特徴とする、請求項7に記載の表面観察方法。

【請求項9】
 
前記プローブ探針の内径が100μm以下であることを特徴とする、請求項7又は8に記載の表面観察方法。

【請求項10】
 
前記プローブ探針の立設密度が100×100個/mm2~1000×1000個/mm2であることを特徴とする、請求項7~9のいずれか一に記載の表面観察方法。

【請求項11】
 
前記試料の表面においてマイクロメータ領域の観察を行うことを特徴とする、請求項7~10のいずれ一に記載の表面観察方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2003004364thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close