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LARGE-AREA NEGATIVE ION SOURCE commons

Patent code P04A005611
File No. ShIP‐Z202
Posted date Jan 18, 2005
Application number P2002-181340
Publication number P2004-030962A
Patent number P3653547
Date of filing Jun 21, 2002
Date of publication of application Jan 29, 2004
Date of registration Mar 11, 2005
Inventor
  • (In Japanese)三重野 哲
  • (In Japanese)鶴田 修一
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人静岡大学
Title LARGE-AREA NEGATIVE ION SOURCE commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a large-area negative ion source capable of having a large area and high density and constantly generating negative ions.
SOLUTION: This large-area negative ion source is provided with a vacuum vessel 1 extended in one direction and evacuated inside, a magnetic field generating means 3 arranged in the outer circumference of the vacuum vessel 1 and forming a magnetic field along the longitudinal direction inside the vacuum vessel 1, a negative gas feeding means 5 feeding negative gas into the vacuum vessel 1, and a microwave emitting means 9 radiating microwaves to the inside of the vacuum vessel 1. A bored shield plate 11 having multiple punched holes 13 is arranged on the rear side inside the vacuum vessel 1. From the holes 3 in the bored shield plate 11 arranged on the rear side of the vacuum vessel 1, string plasma SP is emitted, and negative ions M are accumulated around the string plasm SP. In this way, the large-area negative ion is generated.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、反応性プラズマを用いて集積回路の微細プラズマエッチングが行われている。上記反応性プラズマを用いる微細プラズマエッチング方法の場合、集積回路の加工サイズが0.1μm以下になると、エッチング基板に蓄積する正イオンが大きな電場を発生し、これが絶縁破壊を生じさせて、基板に孔を開けてしまい、製品の歩留まりが悪くなるという問題がある。



この正電荷の効果を取り除くためには、大面積負イオンビームを用いた微細プラズマエッチングが有利である。この場合、基板に入射した負イオンからは、容易に電子が脱離して正電荷と結合し中和されるので、電荷蓄積の効果がほとんどなく、絶縁破壊が起きないので、製品の歩留りを良くすることが可能となる。



従来、負イオンビーム用の負イオン源としては、アルカリ金属を触媒に使って負イオンを生成するアルカリ金属導入型負イオン源や磁気フィルター型負イオン源が開発されている。



しかし、上記アルカリ金属導入型負イオン源の場合には、そもそも半導体プロセスにはアルカリ金属が含まれないとの条件があり適用できないものであり、磁気フィルター型負イオン源の場合には、密度が薄く半導体プロセスのように高密度であるとの条件に適合しない等いずれも不十分であるという問題がある。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は半導体メモリーなどのプラズマエッチングに使用される大面積負イオン源に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
一方向に長く形成され内部を真空引きされる真空容器と、上記真空容器の外周に設けられ上記真空容器内の長手方向に沿って磁場を形成する磁場発生手段と、上記真空容器内に負性ガスを供給する供給手段と、上記真空容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、上記真空容器内の後部側に配置され多数の孔が穿設された孔付き遮蔽板と、真空容器の終端に設けたグリッド状加速電極と、を具備したことを特徴とする大面積負イオン源。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2002181340thum.jpg
State of application right Registered
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