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1 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
2 特願2004-242351 特許第4701376号 薄膜結晶化方法 2007/12/28 2018/03/07 埼玉大学
3 特願2020-014220 特開2021-013007 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス 2021/03/12 2021/06/18 大阪市立大学
4 特願2015-135706 特許第6544090号 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法 2017/02/07 2019/08/22 島根大学
5 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
6 特願2015-209337 特許第6614651号 シリコンナノ粒子の製造方法及び装置 2020/06/24 2020/07/20 慶應義塾大学
7 特願2016-025819 特許第6712735号 電力素子 2016/11/10 2020/07/21 早稲田大学
8 特願2013-176635 特許第6181474号 窒化物半導体成長用基板の製造方法 2015/03/24 2017/12/15 滋賀県立大学
9 特願2011-141111 特許第6010809号 半導体装置の製造方法 2013/04/10 2018/01/09 琉球大学
10 特願2019-157855 特開2020-038968 半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 2020/06/03 2020/07/17 福井大学
11 特願2001-340066 特許第4298194号 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
12 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2021/01/27 科学技術振興機構(JST)
13 特願2015-531725 特許第5999611号 トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 2017/03/15 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
14 特願2017-543415 特許第6600918号 トンネル電界効果トランジスタ 2018/09/21 2019/11/21 科学技術振興機構(JST)
15 特願2019-521337 特許第6788302号 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン 2020/09/30 2020/12/22 科学技術振興機構(JST)
16 特願2018-530815 特許第6432004号 窒化物半導体及びその製造方法 2021/01/29 2021/01/29 科学技術振興機構(JST)
17 特願2006-238022 特許第5119434号 磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法 2008/03/28 2018/02/22 長岡技術科学大学
18 特願2008-025483 特許第5360639号 表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法 2013/08/05 2018/01/30 関西学院大学
19 特願2009-274910 特許第5540349号 半導体ウエハの製造方法 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
20 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
21 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学

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