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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 20件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2016-244003 特開2018-097284 微細光学像生成素子及び微細光学像生成装置 新技術説明会 2018/09/21 2018/10/30 北見工業大学
2 特願2017-512594 特許第6370996号 架橋ポリマー構造体の製造方法 コモンズ 外国出願あり 2018/09/19 2018/09/19 産総研
3 特願2010-222493 特許第5754699号 半導体リソグラフィ用光源装置 コモンズ 新技術説明会 実績あり 外国出願あり 2012/07/26 2018/01/17 関西大学
4 特願2005-115261 特許第4590634号 反応現像画像形成法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/28 横浜国立大学
5 特願2007-122964 特許第5110507号 反応現像画像形成法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/16 横浜国立大学
6 特願2007-073891 特許第5055549号 液浸露光装置 コモンズ 2011/08/18 2018/02/16 宇都宮大学
7 特願2006-543078 特許第3950981号 高解像度パターン転写方法 コモンズ 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/21 東京工業大学
8 特願2010-021638 特許第5288498号 光加工装置及び光加工方法 コモンズ 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
9 特願2010-042667 特許第5480666号 感光性樹脂組成物とその薄膜及びパターン形成方法 2011/06/07 2018/01/12 科学技術振興機構(JST)
10 特願2009-038631 特許第5408649号 無端状パターンの作製方法 新技術説明会 2010/07/02 2018/01/29 東京理科大学
11 特願2004-290842 特許第4599553号 レーザ加工方法および装置 2010/06/18 2018/03/13 北海道大学
12 特願2007-554839 特許第5067757号 内面露光装置および内面露光方法 外国出願あり 2010/01/12 2018/02/16 東京電機大学
13 特願2009-141221 特許第5574470号 極端紫外光源および極端紫外光発生方法 新技術説明会 2009/07/10 2018/01/29 宮崎大学
14 特願2003-064586 特許第3950967号 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 2008/12/19 2018/03/14 防衛省
15 特願2005-211948 特許第4487069号 光パターニング材料および光パターン形成方法 コモンズ 新技術説明会 2008/10/31 2018/02/27 千葉大学
16 特願2006-093877 特許第4631059号 光酸発生材料、これを用いたフォトリソグラフィー材料、光パターニングまたは光リソグラフィー コモンズ 新技術説明会 2008/10/31 2018/02/21 千葉大学
17 特願2007-037073 特許第5190860号 投影露光装置および投影露光方法 外国出願あり 2008/08/01 2018/02/16 東京電機大学
18 特願2001-377075 特許第4042893号 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法 実績あり 2008/06/13 2019/04/19 関西学院大学
19 特願2004-342700 特許第4517147号 極端紫外光源装置 2006/06/23 2018/03/13 宮崎大学
20 特願2003-018997 特許第3668779号 光導波装置 2004/07/16 2018/03/14 岐阜大学

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