国内特許検索
該当件数 56件
| No. | 出願番号 ▲▼ |
特許番号 ▲▼ |
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データ提供機関 ▲▼ |
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| 1 | 特願2013-026266 | 特許第6149272号 |
ダイヤモンド被膜体、ダイヤモンド被膜部品及びそれらの製造方法
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2020/09/07 | 2020/09/23 | 広島県立総合技術研究所 |
| 2 | 特願2019-157855 | 特開2020-038968 | 半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 | 2020/06/03 | 2020/07/17 | 福井大学 |
| 3 | 特願2018-154237 | 特開2019-034883 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/12 | 2020/05/12 | 京都大学 |
| 4 | 特願2018-154238 | 特開2019-163200 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/11 | 2020/05/11 | 京都大学 |
| 5 | 特願2018-154236 | 特開2020-001997 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/11 | 2020/06/17 | 京都大学 |
| 6 | 特願2018-560410 | WO2018128193 | 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法 | 2019/11/26 | 2020/01/21 | 科学技術振興機構（JST） |
| 7 | 特願2017-039028 | 特許第6767052号 |
半導体膜形成方法
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2019/10/21 | 2020/10/26 | 九州工業大学 |
| 8 | 特願2014-553237 | 特許第6371223号 |
ｇ－Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用
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2019/08/21 | 2019/10/02 | 理化学研究所 |
| 9 | 特願2017-565507 | WO2017135136 | 支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置 | 2019/01/24 | 2020/01/15 | 北海道大学 |
| 10 | 特願2017-548816 | 特許第6590420号 |
窒素化合物の製造方法及び製造装置
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2018/09/18 | 2019/11/20 | 産総研 |
| 11 | 特願2015-197158 | 特許第6661189号 |
グラフェン膜の作製方法
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2018/09/18 | 2020/03/18 | 産総研 |
| 12 | 特願2016-183910 | 特開2018-048368 | アモルファスカーボンの製造方法及びアモルファスカーボン | 2017/10/30 | 2020/01/08 | 山口ＴＬＯ |
| 13 | 特願2015-149146 | 特許第6694210号 | 半導体基板の製造方法 | 2017/07/19 | 2020/06/09 | 山口ＴＬＯ |
| 14 | 特願2015-221683 | 特許第6732201号 |
発光素子
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2017/06/23 | 2020/08/24 | 京都工芸繊維大学 |
| 15 | 特願2014-097751 | 特許第6253150号 | エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | 2017/06/14 | 2018/01/22 | 東京農工大学 |
| 16 | 特願2016-213949 | 特開2018-070422 |
酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置
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2017/05/12 | 2019/12/23 | 和歌山大学 |
| 17 | 特願2015-026211 | 特許第6399600号 | 半導体基板の製造方法 | 2016/12/28 | 2018/10/31 | 山口ＴＬＯ |
| 18 | 特願2009-070630 | 特許第5196403号 |
サファイア基板の製造方法、および半導体装置
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2016/09/08 | 2018/01/23 | 山口ＴＬＯ |
| 19 | 特願2007-078580 | 特許第5205613号 |
ＧａＮ層の選択成長方法
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2016/07/08 | 2018/02/09 | 山口ＴＬＯ |
| 20 | 特願2006-002972 | 特許第4915009号 |
半導体部材の製造方法
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2016/06/29 | 2018/02/22 | 山口ＴＬＯ |
| 21 | 特願2011-159584 | 特許第5887742号 | ダイヤモンド基板 | 2015/09/01 | 2018/01/12 | 金沢大TLO |
| 22 | 特願2015-102143 | 特許第6561402号 | ダイヤモンドの製造方法 | 2015/08/20 | 2019/09/30 | 金沢大TLO |
| 23 | 特願2013-541636 | 特許第6083676号 |
窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法
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2015/06/17 | 2017/12/20 | 山口ＴＬＯ |
| 24 | 特願2013-033096 | 特許第6099260号 | 透明導電体及び透明導電体の製造方法 | 2015/02/19 | 2017/12/18 | 早稲田大学 |
| 25 | 特願2014-233732 | 特許第6411869号 |
プラズマ反応装置
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2015/01/27 | 2018/11/20 | 東京電機大学 |
| 26 | 特願2012-195690 | 特許第6031725号 |
合金薄膜生成装置
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2014/04/11 | 2019/02/22 | 日大NUBIC |
| 27 | 特願2013-156638 | 特許第6265328号 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | 2013/08/13 | 2018/01/31 | 名古屋工業大学 |
| 28 | 特願2010-164010 | 特許第5561676号 |
ＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置
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2013/08/05 | 2018/01/12 | 関西学院大学 |
| 29 | 特願2011-068129 | 特許第5892358号 | 定常プラズマ生成装置 | 2013/04/18 | 2018/01/11 | 日大NUBIC |
| 30 | 特願2011-141111 | 特許第6010809号 |
半導体装置の製造方法
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2013/04/10 | 2018/01/09 | 琉球大学 |
| 31 | 特願2001-058917 | 特許第5002864号 |
有機金属化合物を用いた酸化物光触媒材料およびその応用品
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2013/04/08 | 2018/02/21 | 八戸工業高等専門学校 |
| 32 | 特願2013-033503 | 特許第6137668号 |
酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置
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2013/04/01 | 2017/12/20 | 熊本大学 |
| 33 | 特願2012-158240 | 特許第5645887号 |
半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造
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2012/11/28 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構（JST） |
| 34 | 特願2011-174128 | 特許第5895395号 |
プラズマを用いた微粒子配列装置及び微粒子配列方法
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2012/11/15 | 2018/01/11 | 京都工芸繊維大学 |
| 35 | 特願2010-221791 | 特許第5594773号 | 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体 | 2012/04/23 | 2020/09/23 | 九州大学 |
| 36 | 特願2007-062629 | 特許第4827061号 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 | 2011/11/28 | 2018/02/08 | 九州大学 |
| 37 | 特願2009-298645 | 特許第4852140号 |
高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置
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2011/07/13 | 2018/01/25 | 科学技術振興機構（JST） |
| 38 | 特願2008-530223 | 特許第5270348号 |
有機金属化学気相成長法による半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎの成長促進法
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2011/07/11 | 2018/02/06 | 科学技術振興機構（JST） |
| 39 | 特願2006-128789 | 特許第5122082号 |
電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法
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2011/06/28 | 2018/02/23 | 科学技術振興機構（JST） |
| 40 | 特願2005-503668 | 特許第4214279号 | ４元組成比傾斜膜の作成方法及び２元組成比・膜厚傾斜膜の作成方法 | 2011/06/23 | 2018/02/26 | 科学技術振興機構（JST） |
| 41 | 特願2002-156564 | 特許第3951171号 |
電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体
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2011/06/10 | 2018/03/19 | 科学技術振興機構（JST） |
| 42 | 特願2010-138027 | 特許第5545567号 | 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 | 2011/04/12 | 2018/01/16 | 金沢大TLO |
| 43 | 特願2006-514112 | 特許第4815603号 |
超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置
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2009/12/25 | 2018/02/21 | 山梨大学 |
| 44 | 特願2006-083679 | 特許第4940425号 | 原料ガス噴出用ノズル及び化学的気相成膜装置 | 2009/05/08 | 2018/02/20 | 京都大学 |
| 45 | 特願2003-064586 | 特許第3950967号 | 真空紫外光を用いたＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 | 2008/12/19 | 2018/03/14 | 防衛省 |
| 46 | 特願2004-014439 | 特許第3947791号 | 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法 | 2008/12/19 | 2018/03/07 | 防衛省 |
| 47 | 特願2004-146779 | 特許第4411433号 | 炭化シリコンの作製方法 | 2007/12/28 | 2018/03/07 | 埼玉大学 |
| 48 | 特願2006-133269 | 特許第4843768号 |
薄膜作製方法
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2007/12/28 | 2018/02/20 | 宮崎大学 |
| 49 | 特願2005-072030 | 特許第4710002号 | 膜の製造方法 | 2007/08/31 | 2018/02/27 | 東京農工大学 |
| 50 | 特願2005-036870 | 特許第5002803号 |
ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
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2007/02/16 | 2018/03/05 | 電気通信大学 |
| 51 | 特願2005-069186 | 特許第4182224号 | 硬質窒化炭素膜の形成方法 | 2006/09/29 | 2018/02/28 | 長岡技術科学大学 |
| 52 | 特願2004-167883 | 特許第4500961号 |
薄膜形成方法
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2006/02/16 | 2018/03/13 | 九州工業大学 |
| 53 | 特願2001-080050 | 特許第3607947号 |
電子放出材料
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2005/04/08 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
| 54 | 特願2002-061361 | 特許第3837496号 | 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置 | 2003/12/22 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
| 55 | 特願2001-105872 | 特許第3507889号 | アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 | 2003/08/28 | 2018/03/20 | 九州大学 |
| 56 | 特願2000-297832 | 特許第3521223号 |
酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置
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2003/08/28 | 2012/04/06 | 長岡技術科学大学 |
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