国内特許検索
該当件数 36件
| No. | 出願番号 ▲▼ |
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| 1 | 特願2020-503629 | 特許第6763595号 |
ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス
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2020/09/30 | 2020/10/27 | 科学技術振興機構（JST） |
| 2 | 特願2018-536911 | 特許第6778957号 | 半導体装置 | 2019/08/27 | 2020/12/01 | 科学技術振興機構（JST） |
| 3 | 特願2015-146869 | 特許第6570115号 | 単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路 | 2019/08/23 | 2019/09/30 | 理化学研究所 |
| 4 | 特願2017-543415 | 特許第6600918号 | トンネル電界効果トランジスタ | 2018/09/21 | 2019/11/21 | 科学技術振興機構（JST） |
| 5 | 特願2016-542586 | WO2016024586 |
金属材料の処理装置
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2018/08/07 | 2020/01/06 | 産総研 |
| 6 | 特願2017-518012 | 特許第6341551号 | 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法 | 2018/05/24 | 2018/06/20 | 山口大学 |
| 7 | 特願2016-086074 | 特許第6799843号 |
Ｒｕ成膜方法、Ｒｕ成膜装置
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2017/11/21 | 2021/01/22 | 茨城大学 |
| 8 | 特願2016-035760 | 特許第6711645号 |
銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法
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2017/09/26 | 2020/07/01 | 茨城大学 |
| 9 | 特願2015-535332 | 特許第6283963号 | 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス | 2017/06/23 | 2018/03/15 | 科学技術振興機構（JST） |
| 10 | 特願2015-561037 | 特許第6551843号 |
伸縮性導電体およびその製造方法と伸縮性導電体形成用ペースト
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2017/06/23 | 2019/08/23 | 科学技術振興機構（JST） |
| 11 | 特願2015-168227 | 特開2017-045897 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2017/03/29 | 2020/01/17 | 早稲田大学 |
| 12 | 特願2015-531725 | 特許第5999611号 | トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 | 2017/03/15 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構（JST） |
| 13 | 特願2015-183828 | 特許第6683987号 |
超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
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2016/10/05 | 2020/06/09 | 茨城大学 |
| 14 | 特願2002-207263 | 特許第3936970号 |
薄膜作製用スパッタ装置
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2016/06/29 | 2018/03/20 | 山口ＴＬＯ |
| 15 | 特願2014-518707 | 特許第6288678号 |
高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置の設計方法および製造方法
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2016/02/18 | 2018/03/20 | 九州工業大学 |
| 16 | 特願2014-052727 | 特許第6300311号 |
新規有機電荷移動錯体及びその製造方法
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2015/12/16 | 2018/04/17 | 法政大学 |
| 17 | 特願2013-257402 | 特許第6341477号 | ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 | 2015/09/01 | 2018/06/20 | 金沢大TLO |
| 18 | 特願2014-256754 | 特許第6548065号 |
オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ
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2015/02/02 | 2019/08/22 | 名古屋工業大学 |
| 19 | 特願2013-503464 | 特許第5942297号 | ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス | 2015/01/29 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構（JST） |
| 20 | 特願2012-124608 | 特許第5963191号 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | 2013/12/20 | 2017/12/26 | 茨城大学 |
| 21 | 特願2013-063891 | 特許第6226262号 | フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法 | 2013/07/02 | 2017/12/20 | 信州大学 |
| 22 | 特願2012-280468 | 特許第5615894号 | 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド | 2013/06/12 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構（JST） |
| 23 | 特願2009-030440 | 特許第5486821号 |
無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法
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2013/03/27 | 2018/01/23 | 関西大学 |
| 24 | 特願2009-220867 | 特許第5377195号 | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 | 2013/03/27 | 2018/01/23 | 関西大学 |
| 25 | 特願2011-243007 | 特許第6048718号 |
紫外線受光素子
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2012/05/29 | 2018/01/10 | 名古屋工業大学 |
| 26 | 特願2010-541378 | 特許第5366270号 |
半導体集積回路装置及びその製造方法
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2012/05/21 | 2018/01/18 | 茨城大学 |
| 27 | 特願2010-107764 | 特許第5198506号 | 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド | 2011/11/28 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構（JST） |
| 28 | 特願2010-107768 | 特許第5154603号 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2011/11/28 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構（JST） |
| 29 | 特願2010-501898 | 特許第5261475号 |
複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置
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2011/07/20 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構（JST） |
| 30 | 特願2008-208753 | 特許第5106313号 | Ｃ１２Ａ７エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法 | 2011/07/08 | 2018/02/06 | 科学技術振興機構（JST） |
| 31 | 特願2006-514112 | 特許第4815603号 |
超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置
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2009/12/25 | 2018/02/21 | 山梨大学 |
| 32 | 特願2007-012113 | 特許第4257437号 | 薄膜電極の製造方法 | 2008/08/15 | 2018/02/16 | 長岡技術科学大学 |
| 33 | 特願2003-403597 | 特許第4288347号 | マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法 | 2007/07/27 | 2018/03/07 | 名古屋工業大学 |
| 34 | 特願2003-295293 | 特許第3950969号 | 分子ワイヤの製造方法および分子ワイヤ | 2007/05/25 | 2018/03/15 | 静岡大学 |
| 35 | 特願2005-121593 | 特許第4288353号 |
可変インダクタ
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2006/11/10 | 2018/02/27 | 群馬大学 |
| 36 | 特願2005-024545 | 特許第4617460号 | ＤＮＡを用いた透明電極の作製方法 | 2006/08/18 | 2018/03/05 | 北海道大学 |
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