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該当件数 36件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2020-503629 特許第6763595号 ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス 新技術説明会 2020/09/30 2020/10/27 科学技術振興機構(JST)
2 特願2018-536911 特許第6778957号 半導体装置 2019/08/27 2020/12/01 科学技術振興機構(JST)
3 特願2015-146869 特許第6570115号 単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路 2019/08/23 2019/09/30 理化学研究所
4 特願2017-543415 特許第6600918号 トンネル電界効果トランジスタ 2018/09/21 2019/11/21 科学技術振興機構(JST)
5 特願2016-542586 WO2016024586 金属材料の処理装置 新技術説明会 外国出願あり 2018/08/07 2020/01/06 産総研
6 特願2017-518012 特許第6341551号 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法 2018/05/24 2018/06/20 山口大学
7 特願2016-086074 特許第6799843号 Ru成膜方法、Ru成膜装置 新技術説明会 2017/11/21 2021/01/22 茨城大学
8 特願2016-035760 特許第6711645号 銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法 新技術説明会 2017/09/26 2020/07/01 茨城大学
9 特願2015-535332 特許第6283963号 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス 2017/06/23 2018/03/15 科学技術振興機構(JST)
10 特願2015-561037 特許第6551843号 伸縮性導電体およびその製造方法と伸縮性導電体形成用ペースト 新技術説明会 2017/06/23 2019/08/23 科学技術振興機構(JST)
11 特願2015-168227 特開2017-045897 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2017/03/29 2020/01/17 早稲田大学
12 特願2015-531725 特許第5999611号 トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 2017/03/15 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
13 特願2015-183828 特許第6683987号 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 新技術説明会 2016/10/05 2020/06/09 茨城大学
14 特願2002-207263 特許第3936970号 薄膜作製用スパッタ装置 新技術説明会 実績あり 2016/06/29 2018/03/20 山口TLO
15 特願2014-518707 特許第6288678号 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置の設計方法および製造方法 新技術説明会 2016/02/18 2018/03/20 九州工業大学
16 特願2014-052727 特許第6300311号 新規有機電荷移動錯体及びその製造方法 新技術説明会 2015/12/16 2018/04/17 法政大学
17 特願2013-257402 特許第6341477号 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 2015/09/01 2018/06/20 金沢大TLO
18 特願2014-256754 特許第6548065号 オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ 新技術説明会 2015/02/02 2019/08/22 名古屋工業大学
19 特願2013-503464 特許第5942297号 ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス 2015/01/29 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
20 特願2012-124608 特許第5963191号 半導体集積回路装置及びその製造方法 2013/12/20 2017/12/26 茨城大学
21 特願2013-063891 特許第6226262号 フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法 2013/07/02 2017/12/20 信州大学
22 特願2012-280468 特許第5615894号 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/06/12 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
23 特願2009-030440 特許第5486821号 無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/23 関西大学
24 特願2009-220867 特許第5377195号 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 2013/03/27 2018/01/23 関西大学
25 特願2011-243007 特許第6048718号 紫外線受光素子 新技術説明会 2012/05/29 2018/01/10 名古屋工業大学
26 特願2010-541378 特許第5366270号 半導体集積回路装置及びその製造方法 新技術説明会 2012/05/21 2018/01/18 茨城大学
27 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
28 特願2010-107768 特許第5154603号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
29 特願2010-501898 特許第5261475号 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 実績あり 2011/07/20 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
30 特願2008-208753 特許第5106313号 C12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法 2011/07/08 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
31 特願2006-514112 特許第4815603号 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置 新技術説明会 外国出願あり 2009/12/25 2018/02/21 山梨大学
32 特願2007-012113 特許第4257437号 薄膜電極の製造方法 2008/08/15 2018/02/16 長岡技術科学大学
33 特願2003-403597 特許第4288347号 マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法 2007/07/27 2018/03/07 名古屋工業大学
34 特願2003-295293 特許第3950969号 分子ワイヤの製造方法および分子ワイヤ 2007/05/25 2018/03/15 静岡大学
35 特願2005-121593 特許第4288353号 可変インダクタ 新技術説明会 2006/11/10 2018/02/27 群馬大学
36 特願2005-024545 特許第4617460号 DNAを用いた透明電極の作製方法 2006/08/18 2018/03/05 北海道大学

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