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※未公開特許出願は対象外です。

該当件数 43件

No.	出願番号 ▲▼	特許番号 ▲▼	発明の名称 ▲▼	掲載日 ▲▼	更新日 ▲▼	データ提供機関 ▲▼
1	特願2018-536911	WO2018042707	半導体装置	2019/08/27	2019/08/27	科学技術振興機構（JST）
2	特願2015-146869	特許第6570115号	単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路	2019/08/23	2019/09/30	理化学研究所
3	特願2017-543415	特許第6600918号	トンネル電界効果トランジスタ	2018/09/21	2019/11/21	科学技術振興機構（JST）
4	特願2016-542586	WO2016024586	金属材料の処理装置	2018/08/07	2018/08/28	産総研
5	特願2017-518012	特許第6341551号	真空チャネルトランジスタおよびその製造方法	2018/05/24	2018/06/20	山口大学
6	特願2016-086074	特開2017-193770	Ｒｕ成膜方法、Ｒｕ成膜装置、金属成膜装置、Ｒｕバリアメタル層、配線構造	2017/11/21	2018/01/24	茨城大学
7	特願2016-035760	特開2017-152628	銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線	2017/09/26	2017/11/21	茨城大学
8	特願2015-535332	特許第6283963号	電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス	2017/06/23	2018/03/15	科学技術振興機構（JST）
9	特願2015-561037	特許第6551843号	伸縮性導電体およびその製造方法と伸縮性導電体形成用ペースト	2017/06/23	2019/08/23	科学技術振興機構（JST）
10	特願2015-168227	特開2017-045897	ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法	2017/03/29	2017/06/30	早稲田大学
11	特願2015-531725	特許第5999611号	トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子	2017/03/15	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
12	特願2015-183828	特開2016-164965	超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置	2016/10/05	2017/01/10	茨城大学
13	特願2002-207263	特許第3936970号	薄膜作製用スパッタ装置	2016/06/29	2018/03/20	山口ＴＬＯ
14	特願2014-518707	特許第6288678号	高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置の設計方法および製造方法	2016/02/18	2018/03/20	九州工業大学
15	特願2014-052727	特許第6300311号	新規有機電荷移動錯体及びその製造方法	2015/12/16	2018/04/17	法政大学
16	特願2013-257402	特許第6341477号	ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法	2015/09/01	2018/06/20	金沢大TLO
17	特願2014-256754	特許第6548065号	オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ	2015/02/02	2019/08/22	名古屋工業大学
18	特願2013-503464	特許第5942297号	ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス	2015/01/29	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
19	特願2006-240867	特許第4756601号	電極触媒及び酵素電極	2014/02/24	2018/02/20	京都大学
20	特願2012-124608	特許第5963191号	半導体集積回路装置及びその製造方法	2013/12/20	2017/12/26	茨城大学
21	特願2013-063891	特許第6226262号	フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法	2013/07/02	2017/12/20	信州大学
22	特願2012-280468	特許第5615894号	薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド	2013/06/12	2017/12/21	科学技術振興機構（JST）
23	特願2008-205198	特許第5187689号	ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体、およびその製造方法	2013/03/27	2018/02/02	関西大学
24	特願2009-030440	特許第5486821号	無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法	2013/03/27	2018/01/23	関西大学
25	特願2009-220867	特許第5377195号	無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法	2013/03/27	2018/01/23	関西大学
26	特願2011-243007	特許第6048718号	紫外線受光素子	2012/05/29	2018/01/10	名古屋工業大学
27	特願2010-541378	特許第5366270号	半導体集積回路装置及びその製造方法	2012/05/21	2018/01/18	茨城大学
28	特願2010-107764	特許第5198506号	機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド	2011/11/28	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
29	特願2010-107768	特許第5154603号	電界効果トランジスタ及びその製造方法	2011/11/28	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
30	特願2010-501898	特許第5261475号	複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置	2011/07/20	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
31	特願2008-208753	特許第5106313号	Ｃ１２Ａ７エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法	2011/07/08	2018/02/06	科学技術振興機構（JST）
32	特願2000-205941	特許第3531865号	超平坦透明導電膜およびその製造方法	2011/06/08	2015/09/09	科学技術振興機構（JST）
33	特願2008-270238	特許第5483228号	導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法	2010/05/14	2018/01/30	東京理科大学
34	特願2006-514112	特許第4815603号	超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置	2009/12/25	2018/02/21	山梨大学
35	特願2007-012113	特許第4257437号	薄膜電極の製造方法	2008/08/15	2018/02/16	長岡技術科学大学
36	特願2003-042270	特許第4009719号	ニッケルシリサイド膜の作製方法	2008/03/10	2018/03/14	名古屋大学
37	特願2004-051790	特許第3879003号	シリサイド膜の作製方法	2008/03/10	2018/03/13	名古屋大学
38	特願2003-403597	特許第4288347号	マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法	2007/07/27	2018/03/07	名古屋工業大学
39	特願2003-295293	特許第3950969号	分子ワイヤの製造方法および分子ワイヤ	2007/05/25	2018/03/15	静岡大学
40	特願2005-121593	特許第4288353号	可変インダクタ	2006/11/10	2018/02/27	群馬大学
41	特願2005-024545	特許第4617460号	ＤＮＡを用いた透明電極の作製方法	2006/08/18	2018/03/05	北海道大学
42	特願2004-141177	特許第4810650号	カーボンナノチューブＦＥＴ	2006/02/16	2018/03/13	名古屋大学
43	特願2003-098617	特許第4614631号	パターン形成体の製造方法	2005/04/08	2018/03/14	早稲田大学

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