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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 16件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2018-003897 特開2018-125524 炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置 2020/02/14 2020/02/21 明治大学
2 特願2016-145940 特開2018-018869 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法 2017/04/26 2020/01/15 福井大学
3 特願2015-206611 特開2017-078632 断層構造の観測方法、観測装置、及びコンピュータプログラム 新技術説明会 2016/05/24 2019/12/23 和歌山大学
4 特願2015-036074 特許第6525189号 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 2016/04/19 2019/06/20 関西学院大学
5 特願2012-253129 特許第6052536号 光誘起キャリヤライフタイム測定装置及び光誘起キャリヤライフタイム測定方法 2015/11/19 2017/12/25 東京農工大学
6 特願2013-232352 特許第6291797号 シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置 新技術説明会 2014/06/25 2018/03/22 新潟大学
7 特願2013-232353 特許第6244833号 シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法 新技術説明会 2014/06/25 2017/12/27 新潟大学
8 特願2011-022414 特許第5747406号 金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 新技術説明会 2011/05/09 2018/01/10 茨城大学
9 特願2007-524074 特許第4742279号 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法 新技術説明会 2010/03/12 2019/05/24 広島大学
10 特願2007-081132 特許第4967132号 対象物表面の欠陥検査方法 新技術説明会 2009/11/20 2018/02/19 九州工業大学
11 特願2009-106852 特許第5557368号 半導体検査装置及び半導体検査方法 2009/08/07 2018/01/25 東京電機大学
12 特願2009-077629 特許第5057176号 金属配線評価用パターン、半導体装置及び評価方法 2009/04/17 2018/01/24 科学技術振興機構(JST)
13 特願2003-004364 特許第3837531号 顕微鏡及び表面観察方法 2007/12/28 2018/03/14 埼玉大学
14 特願2005-303364 特許第5167527号 電気特性測定装置 2007/08/31 2018/02/27 東京農工大学
15 特願2004-100093 特許第4515131号 多層構造配線のEM損傷による原子濃度分布評価システム 新技術説明会 2005/11/11 2018/03/08 科学技術振興機構(JST)
16 特願2001-091521 特許第3862964号 2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

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