国内特許検索
該当件数 9件
| No. | 出願番号 ▲▼ |
特許番号 ▲▼ |
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更新日 ▲▼ |
データ提供機関 ▲▼ |
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| 1 | 特願2019-124905 | 特許第6830681号 |
電子回路
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2021/01/29 | 2021/02/26 | 科学技術振興機構（JST） |
| 2 | 特願2017-509877 | 特許第6553713号 |
電子回路
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2019/01/24 | 2020/12/02 | 科学技術振興機構（JST） |
| 3 | 特願2016-542556 | 特許第6230204号 | 記憶回路 | 2017/09/06 | 2020/05/27 | 科学技術振興機構（JST） |
| 4 | 特願2009-530030 | 特許第5170706号 |
スピン注入磁化反転ＭＴＪを用いた不揮発性ＳＲＡＭ／ラッチ回路
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2016/03/10 | 2020/12/02 | 科学技術振興機構（JST） |
| 5 | 特願2013-521330 | 特許第5312715号 | 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路 | 2016/03/10 | 2020/05/27 | 科学技術振興機構（JST） |
| 6 | 特願2013-540169 | 特許第5479656号 |
記憶回路
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2016/03/10 | 2020/05/27 | 科学技術振興機構（JST） |
| 7 | 特願2003-118596 | 特許第3893463号 | キャッシュメモリ、及びキャッシュメモリの電力削減方法 | 2011/03/07 | 2018/03/07 | 九州工業大学 |
| 8 | 特願2007-095928 | 特許第4411443号 |
ＳＲＡＭメモリセルの評価方法及びＳＲＡＭメモリセルの評価プログラム
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2009/11/20 | 2018/02/19 | 九州工業大学 |
| 9 | 特願2004-331688 | 特許第3845734号 | 不揮発性メモリ | 2006/07/07 | 2018/03/07 | 金沢大TLO |
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