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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 22件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2012-232324 特許第6116043号 スキルミオン駆動方法およびマイクロ素子 新技術説明会 2019/08/21 2019/10/02 理化学研究所
2 特願2017-243366 特開2019-110252 非接触給電用伝送コイルおよびその製造方法ならびに非接触給電装置 2018/07/13 2020/01/21 信州大学
3 特願2017-198361 特開2019-075403 一軸磁気異方性バルク磁性材料及びその製造方法 2017/12/25 2020/01/21 信州大学
4 特願2014-522583 特許第6164658号 光-スピン流変換素子及びその製造方法 2016/08/18 2017/12/19 東北大学
5 特願2007-078925 特許第4742276号 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法 2016/03/10 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
6 特願2014-521245 特許第6296243号 FePt系合金における強磁性-常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 2016/03/03 2018/03/28 秋田大学
7 特願2011-197115 特許第5773491号 ナノ接合素子およびその製造方法 2013/04/04 2018/01/17 北海道大学
8 特願2012-067089 特許第5120680号 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法 2012/09/14 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
9 特願2005-347698 特許第4604197号 磁性粉末微粒子の製造方法 2011/08/18 2018/02/28 横浜国立大学
10 特願2008-513300 特許第4582488号 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
11 特願2009-003368 特許第5288468号 メモリ素子 2011/07/11 2018/01/24 科学技術振興機構(JST)
12 特願2007-508224 特許第4647654号 磁性半導体材料 2011/07/06 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
13 特願2006-511292 特許第4698581号 R-Fe-B系薄膜磁石及びその製造方法 2011/07/01 2018/04/18 科学技術振興機構(JST)
14 特願2006-238022 特許第5119434号 磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/22 長岡技術科学大学
15 特願2005-289874 特許第4734635号 磁性薄膜の形成方法 2007/10/04 2018/02/27 信州大学
16 特願2005-076104 特許第4446092号 荷電制御強磁性半導体 2006/10/05 2018/03/05 筑波大学
17 特願2001-066099 特許第4645784号 軟磁性薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド 新技術説明会 2004/04/06 2018/03/20 早稲田大学
18 特願2002-080093 特許第4041948号 軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド 2004/04/06 2018/03/20 早稲田大学
19 特願2000-272664 特許第4811543号 微細パターンの作製方法 新技術説明会 2004/03/25 2011/11/14 早稲田大学
20 特願2000-352766 特許第3418731号 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜 2003/11/18 2012/04/06 埼玉大学
21 特願2001-150456 特許第3482469号 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 2003/10/01 2018/03/20 北海道大学
22 特願2001-012644 特許第3584281号 周波数逓倍方法及び周波数逓倍器 2003/08/28 2018/03/20 北海道大学

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