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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 23件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2015-505280 特許第6021131号 エッチング方法およびエッチング装置 コモンズ 2017/06/26 2017/12/19 名古屋大学
2 特願2015-204604 特許第6548191号 樹液捕集装置の製造方法 UPDATE 2017/05/29 2019/08/21 四国TLO
3 特願2015-135706 特許第6544090号 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法 UPDATE 新技術説明会 2017/02/07 2019/08/22 島根大学
4 特願2009-070630 特許第5196403号 サファイア基板の製造方法、および半導体装置 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口TLO
5 特願2015-030105 特許第6516504号 エッチング装置およびエッチング方法 コモンズ 2015/05/29 2019/06/21 名古屋大学
6 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
7 特願2014-180272 特許第6440298号 プラズマエッチング装置 2015/03/31 2019/01/18 新潟大学
8 特願2010-525664 特許第5575648号 クラスタ噴射式加工方法 外国出願あり 2014/02/24 2018/01/18 京都大学
9 特願2012-232319 特許第5494992号 三次元微細加工基板 2013/08/05 2017/12/25 関西学院大学
10 特願2011-254205 特許第5877509号 荷電粒子ビーム生成装置及び荷電粒子ビーム生成方法 2013/06/12 2018/01/09 静岡大学
11 特願2008-330536 特許第5231977号 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法 コモンズ 2012/08/01 2018/02/02 名古屋大学
12 特願2010-221791 特許第5594773号 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体 2012/04/23 2018/01/17 九州大学
13 特願2009-101931 特許第5327676号 ポーラスシリコンの製造方法 コモンズ 2011/08/18 2018/01/22 首都大学東京
14 特願2009-298645 特許第4852140号 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 実績あり 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
15 特願2005-503747 特許第4382748号 半導体結晶成長方法 コモンズ 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
16 特願2004-076940 特許第3616088号 マイクロプラズマジェット発生装置 新技術説明会 実績あり 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
17 特願2006-171977 特許第5135574号 プラズマエッチング方法及びフォトニック結晶製造方法 2010/11/25 2018/02/20 京都大学
18 特願2007-246322 特許第5152715号 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 2009/05/22 2018/02/08 関西学院大学
19 特願2001-377075 特許第4042893号 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法 実績あり 2008/06/13 2019/04/19 関西学院大学
20 特願2001-377084 特許第4052430号 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 実績あり 2008/06/13 2018/03/19 関西学院大学
21 特願2002-239427 特許第4037213号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 2007/10/11 2018/03/19 高知工科大学
22 特願2002-181340 特許第3653547号 大面積負イオン源 コモンズ 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
23 特願2001-248433 特許第4132750号 フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

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