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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 14件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-045820 特開2018-149611 シリコンナノウォール構造体およびその製造方法 2017/03/14 2019/01/21 科学技術振興機構(JST)
2 特願2013-047025 特許第6218062号 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 2015/06/29 2017/12/18 早稲田大学
3 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 コモンズ 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
4 特願2012-185660 特許第6090767号 半導体装置の製造方法 コモンズ 2013/08/09 2017/12/26 東京理科大学
5 特願2010-238816 特許第5294339号 試料中の被検出物質の検出方法 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
6 特願2007-220418 特許第4107354号 ミリ波・遠赤外光検出器 コモンズ 2011/07/05 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
7 特願2004-560592 特許第4822150号 不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法 コモンズ 2011/06/21 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
8 特願2002-156564 特許第3951171号 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり 2011/06/10 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
9 特願2003-048811 特許第3962811号 光入力方法、光入出力方法及び光入出力装置 2010/02/19 2018/03/14 北海道大学
10 特願平11-329838 特許第4608607号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 新技術説明会 2007/10/11 2018/03/22 高知工科大学
11 特願2003-403597 特許第4288347号 マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法 2007/07/27 2018/03/07 名古屋工業大学
12 特願2004-244210 特許第4500963号 量子半導体装置およびその製造方法 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
13 特願2004-309992 特許第4631047号 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 2006/05/12 2018/03/07 広島大学
14 特願2004-141177 特許第4810650号 カーボンナノチューブFET コモンズ 2006/02/16 2018/03/13 名古屋大学

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