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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 12件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-045820 特開2018-149611 シリコンナノウォール構造体およびその製造方法 2017/03/14 2020/01/21 科学技術振興機構(JST)
2 特願2015-135706 特許第6544090号 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法 新技術説明会 2017/02/07 2019/08/22 島根大学
3 特願2013-558830 特許第5598829号 オゾン水を用いたパターニング方法 2015/02/09 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
4 特願2012-286076 特許第6086363号 液中プラズマ処理装置および液中プラズマ処理方法 新技術説明会 2013/10/02 2017/12/25 金沢大TLO
5 特願2006-254013 特許第4852755号 化合物半導体素子の製造方法 2011/08/18 2018/02/22 東北大学
6 特願2009-101931 特許第5327676号 ポーラスシリコンの製造方法 2011/08/18 2018/01/22 首都大学東京
7 特願2005-512858 特許第5719493号 表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード 実績あり 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
8 特願2003-059871 特許第4235709号 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 2008/06/13 2018/03/14 関西学院大学
9 特願2006-247659 特許第4982742号 磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置 新技術説明会 2008/04/04 2018/02/22 熊本大学
10 特願2006-131763 特許第4392505号 多孔質シリコン膜の製造方法 新技術説明会 2007/12/28 2018/02/21 群馬大学
11 特願2005-124734 特許第4608613号 レーザー照射微細加工方法 2007/01/29 2018/03/02 九州工業大学
12 特願2004-331166 特許第4257431号 多孔質半導体膜の形成方法 新技術説明会 2006/11/02 2018/03/13 群馬大学

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