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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 51件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-115734 特開2017-195396 発光デバイスおよびその作製方法 2019/01/24 2019/01/24 科学技術振興機構(JST)
2 特願2017-500529 WO2016132746 薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート コモンズ 2017/12/21 2017/12/21 名古屋大学
3 特願2015-149146 特開2017-030984 半導体基板の製造方法 2017/07/19 2017/07/19 山口TLO
4 特願2014-097751 特許第6253150号 エピタキシャルウエハ及びその製造方法 2017/06/14 2018/01/22 東京農工大学
5 特願2016-213949 特開2018-070422 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置 新技術説明会 2017/05/12 2018/08/27 和歌山大学
6 特願2015-026211 特許第6399600号 半導体基板の製造方法 2016/12/28 2018/10/31 山口TLO
7 特願2009-117791 特許第5557180号 半導体発光素子の製造方法 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口TLO
8 特願2010-526523 特許第5392855号 半導体基板及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2016/09/08 2018/01/17 山口TLO
9 特願2014-265640 特開2016-127088 ダイヤモンド半導体デバイス 2016/08/10 2016/10/26 北海道大学
10 特願2007-078580 特許第5205613号 GaN層の選択成長方法 実績あり 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
11 特願2006-002972 特許第4915009号 半導体部材の製造方法 実績あり 2016/06/29 2018/02/22 山口TLO
12 特願2011-159584 特許第5887742号 ダイヤモンド基板 2015/09/01 2018/01/12 金沢大TLO
13 特願2013-541636 特許第6083676号 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体及びn型半導体素子の製造方法 新技術説明会 2015/06/17 2017/12/20 山口TLO
14 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
15 特願2013-176635 特許第6181474号 窒化物半導体成長用基板の製造方法 コモンズ 2015/03/24 2017/12/15 滋賀県立大学
16 特願2013-138894 特許第6232611号 発光素子およびその製造方法 2015/03/05 2017/12/20 北海道大学
17 特願2010-199230 特許第5655199号 半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法 コモンズ 2013/08/13 2018/01/17 東京理科大学
18 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 コモンズ 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
19 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
20 特願2013-033503 特許第6137668号 酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置 コモンズ 新技術説明会 2013/04/01 2017/12/20 熊本大学
21 特願2012-158240 特許第5645887号 半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 実績あり 2012/11/28 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
22 特願2010-221791 特許第5594773号 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体 2012/04/23 2018/01/17 九州大学
23 特願2010-521665 特許第5168605号 pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 2012/01/10 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
24 特願2011-115089 特許第5928864号 多層膜構造体及びその形成方法 コモンズ 2011/10/31 2018/01/05 名古屋大学
25 特願2006-254013 特許第4852755号 化合物半導体素子の製造方法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/22 東北大学
26 特願2009-298645 特許第4852140号 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 実績あり 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
27 特願2008-500965 特許第5706601号 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
28 特願2008-514810 特許第5743127号 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
29 特願2008-530223 特許第5270348号 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
30 特願2008-551465 特許第5896442号 III族窒化物膜の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
31 特願2007-513224 特許第5379973号 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作 2011/07/06 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
32 特願2006-128789 特許第5122082号 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 実績あり 2011/06/28 2018/02/23 科学技術振興機構(JST)
33 特願2004-564676 特許第4486506号 ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長 実績あり 2011/06/21 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
34 特願2002-156564 特許第3951171号 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり 2011/06/10 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
35 特願2010-138027 特許第5545567号 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 2011/04/12 2018/01/16 金沢大TLO
36 特願2008-223713 特許第5655228号 半導体構造物の製造方法 2011/03/31 2018/02/02 北海道大学
37 特願2007-298752 特許第5394632号 単結晶SiC基板の製造方法 2011/03/14 2018/02/08 大阪府立大学
38 特願2008-082208 特許第4993211号 真空搬送機構及びそれを備えたマルチチャンバシステム コモンズ 2009/10/23 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
39 特願2007-219890 特許第4538476号 半導体構造の形成方法 実績あり 2009/03/13 2018/02/07 埼玉大学
40 特願2005-364018 特許第4876242号 結晶成長方法及び結晶成長装置 コモンズ 新技術説明会 2008/06/13 2018/02/27 静岡大学
41 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
42 特願2004-146779 特許第4411433号 炭化シリコンの作製方法 コモンズ 2007/12/28 2018/03/07 埼玉大学
43 特願2005-072030 特許第4710002号 膜の製造方法 2007/08/31 2018/02/27 東京農工大学
44 特願2002-198875 特許第3605643号 酸化亜鉛系薄膜の成長方法 2007/08/08 2018/03/19 島根大学
45 特願2005-162166 特許第5224256号 単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 実績あり 2007/07/19 2018/02/26 関西学院大学
46 特願2005-247902 特許第5034035号 半導体発光素子の製造方法 コモンズ 新技術説明会 2007/04/02 2018/02/27 静岡大学
47 特願2004-207782 特許第4296276号 エピタキシャル成長用基材の製造方法 コモンズ 外国出願あり 2006/03/03 2018/03/13 名古屋大学
48 特願2000-181229 特許第3430206号 半導体素子の製造方法及び半導体素子 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
49 特願2002-197744 特許第4083486号 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 2004/01/23 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
50 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
51 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学

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