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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 17件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2019-094473 特開2020-189761 窒化炭素分散液及びこれを用いた窒化炭素膜の成膜方法 2021/01/20 2021/03/01 同志社大学
2 特願2018-154237 特開2019-034883 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/12 2020/05/12 京都大学
3 特願2018-154238 特開2019-163200 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/11 2020/05/11 京都大学
4 特願2018-154236 特開2020-001997 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/11 2020/06/17 京都大学
5 特願2016-013330 特許第6778376号 浮遊帯域溶融法およびこれを用いた装置 2016/10/25 2020/11/19 山梨大学
6 特願2013-097609 特許第5688780号 SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2014/05/08 2017/12/18 関西学院大学
7 特願2004-325276 特許第4582577号 有機ホウ素高分子化合物 2014/02/21 2018/03/09 京都大学
8 特願2007-168708 特許第5251015号 熱処理装置及び熱処理方法 実績あり 2013/08/05 2018/02/08 関西学院大学
9 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
10 特願2012-265997 特許第5656966号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 2013/04/11 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
11 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
12 特願2010-090578 特許第5618599号 パターンの形成方法 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
13 特願2007-535431 特許第5071854号 微粒子-タンパク質複合体およびその作製方法、半導体装置、蛍光標識方法 2011/07/07 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
14 特願2006-070723 特許第4742266号 半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法 2010/01/15 2018/02/20 九州工業大学
15 特願2003-502272 特許第4848495号 単結晶炭化ケイ素及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2009/05/22 2018/03/14 関西学院大学
16 特願2003-059871 特許第4235709号 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 2008/06/13 2018/03/14 関西学院大学
17 特願2001-156689 特許第3607218号 球状単結晶シリコンの製造方法 2003/08/28 2018/03/20 JAXA

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