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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 35件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2015-506721 特許第6247684号 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法 2018/04/17 2018/04/17 科学技術振興機構(JST)
2 特願2015-534036 特許第6133991号 ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
3 特願2015-110392 特開2016-222492 微粒子化ペロブスカイト膜及びそれを用いた機能性素子 新技術説明会 2015/08/20 2017/03/27 金沢大TLO
4 特願2013-047025 特許第6218062号 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 2015/06/29 2017/12/18 早稲田大学(早大TLO)
5 特願2014-501328 特許第5581464号 ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法 2015/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
6 特願2013-543456 特許第5499225号 ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法 2015/06/22 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
7 特願2012-551404 特許第5293983号 固体電子装置 新技術説明会 2015/02/24 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
8 特願2011-545956 特許第5610492号 SiC半導体素子およびその作製方法 新技術説明会 2013/07/12 2018/01/11 奈良先端科学技術大学院大学
9 特願2012-265998 特許第5575864号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/05/22 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
10 特願2010-221791 特許第5594773号 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体 2012/04/23 2018/01/17 九州大学
11 特願2010-187603 特許第5646914号 トンネル接合素子の製造方法 2012/03/12 2018/01/16 科学技術振興機構(JST)
12 特願2010-118857 特許第5154605号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/12/12 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
13 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
14 特願2005-271704 特許第4654439号 金属酸化物薄膜の形成方法 コモンズ 2011/08/18 2018/03/05 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
15 特願2007-152277 特許第5228158号 半導体基板上の積層構造 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/19 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
16 特願2010-090578 特許第5618599号 パターンの形成方法 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
17 特願2009-239488 特許第5461951号 セラミックス膜の製造方法 2011/07/12 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
18 特願2009-003554 特許第5604044号 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法 2011/07/11 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
19 特願2005-512064 特許第4526484号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 コモンズ 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
20 特願2005-034476 特許第4891550号 n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 2011/06/21 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
21 特願2004-054035 特許第4587276号 液晶高分子からなる膜の製造方法 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
22 特願2008-212634 特許第5493140号 ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法 2010/03/19 2018/02/02 九州工業大学
23 特願2009-034054 特許第5007416号 多孔質シリカ膜の製造方法 2010/03/19 2018/01/25 信州大学
24 特願2003-064586 特許第3950967号 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 2008/12/19 2018/03/14 防衛省
25 特願2004-014439 特許第3947791号 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法 2008/12/19 2018/03/07 防衛省
26 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
27 特願2003-064304 特許第3826194号 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 2008/01/25 2018/03/14 防衛省
28 特願2006-133269 特許第4843768号 薄膜作製方法 新技術説明会 2007/12/28 2018/02/20 宮崎大学
29 特願2005-254698 特許第4783895号 被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置 2007/08/16 2018/03/05 宮崎大学
30 特願2003-025369 特許第4051437号 チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびFRAM 2007/08/08 2018/03/14 島根大学
31 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
32 特願2005-093279 特許第4567503号 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC-MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC-MOS型集積回路 コモンズ 新技術説明会 2006/07/13 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
33 特願2004-167883 特許第4500961号 薄膜形成方法 実績あり 2006/02/16 2018/03/13 九州工業大学
34 特願2002-286932 特許第3629544号 レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法 2005/12/02 2018/03/20 防衛省
35 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学

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