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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 16件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2006-002972 特許第4915009号 半導体部材の製造方法 実績あり 2016/06/29 2018/02/22 山口TLO
2 特願2004-215574 特許第4982838号 光制御素子 コモンズ 2011/08/18 2018/03/13 横浜国立大学
3 特願2004-560592 特許第4822150号 不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法 コモンズ 2011/06/21 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
4 特願2002-071083 特許第4185697号 2次元フォトニック結晶面発光レーザアレイ及び2次元フォトニック結晶面発光レーザ コモンズ 2011/06/09 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
5 特願2005-178650 特許第4491610号 半導体機能素子 コモンズ 2008/10/31 2018/02/27 千葉大学
6 特願2005-226357 特許第3858042号 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法 2008/08/22 2018/03/05 理化学研究所
7 特願2003-059871 特許第4235709号 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 2008/06/13 2018/03/14 関西学院大学
8 特願2004-309992 特許第4631047号 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 2006/05/12 2018/03/07 広島大学
9 特願2003-083706 特許第4484134号 2次元フォトニック結晶面発光レーザ 2005/04/25 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
10 特願2003-298003 特許第4341013号 遠赤外発光素子 コモンズ 2005/04/08 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
11 特願2003-006678 特許第4187096号 3次元フォトニック結晶製造方法 コモンズ 新技術説明会 2004/09/14 2018/03/15 科学技術振興機構(JST)
12 特願2002-247083 特許第3847682号 酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置 コモンズ 2004/05/14 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
13 特願2000-082580 特許第3449546号 半導体レーザ及びその製造方法 新技術説明会 2004/02/24 2012/04/04 科学技術振興機構(JST)
14 特願2000-198829 特許第3455500号 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 新技術説明会 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
15 特願2000-024843 特許第3398638号 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 新技術説明会 2003/08/28 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
16 特願平11-160311 特許第3038383号 光デバイス コモンズ 外国出願あり 2003/08/28 2018/03/23 東京大学

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