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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 43件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2010-218892 特許第5826476号 強誘電体薄膜の製造方法 2018/11/21 2018/11/21 京都大学
2 特願2017-556030 WO2017104577 相変化材料および相変化型メモリ素子 2018/11/05 2018/11/20 東北大学
3 特願2017-521945 特許第6424272号 磁気抵抗素子および記憶回路 2018/06/20 2018/11/20 科学技術振興機構(JST)
4 特願2015-506721 特許第6247684号 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法 2018/04/17 2018/04/17 科学技術振興機構(JST)
5 特願2016-545560 特許第6443699号 ナノデバイス 2017/08/24 2019/01/21 科学技術振興機構(JST)
6 特願2017-052989 特開2018-157076 MFS型の電界効果トランジスタ 2017/07/12 2019/02/22 金沢大TLO
7 特願2015-505449 特許第6225347号 電子素子 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
8 特願2015-535332 特許第6283963号 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス 2017/06/23 2018/03/15 科学技術振興機構(JST)
9 特願2015-093772 特開2016-213280 電界効果トランジスタ 2015/08/20 2017/03/27 金沢大TLO
10 特願2012-551404 特許第5293983号 固体電子装置 新技術説明会 2015/02/24 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
11 特願2014-105646 特許第6356486号 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法 2014/11/19 2018/07/19 金沢大TLO
12 特願2012-280468 特許第5615894号 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/06/12 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
13 特願2011-245922 特許第5901942号 機能性デバイスの製造方法及び機能性デバイスの製造装置 2013/05/30 2018/01/12 科学技術振興機構(JST)
14 特願2012-265998 特許第5575864号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/05/22 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
15 特願2011-197115 特許第5773491号 ナノ接合素子およびその製造方法 2013/04/04 2018/01/17 北海道大学
16 特願2012-270226 特許第6044931号 半導体メモリ装置およびその製造方法 新技術説明会 2013/04/04 2017/12/25 東京農工大学
17 特願2008-306887 特許第5578641号 不揮発性半導体記憶素子とその製造方法 新技術説明会 2012/11/01 2018/01/30 広島大学
18 特願2008-330536 特許第5231977号 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法 コモンズ 2012/08/01 2018/02/02 名古屋大学
19 特願2011-157084 特許第5846571号 マンガン酸化物、マンガン酸化物を備える強誘電体メモリ素子、および強誘電体メモリ装置 2012/01/10 2018/01/17 理化学研究所
20 特願2011-163951 特許第5717096号 電解質メモリ素子 2012/01/10 2018/01/17 理化学研究所
21 特願2010-118857 特許第5154605号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/12/12 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
22 特願2009-530090 特許第5309397号 電子素子及び電気伝導度制御方法 コモンズ 外国出願あり 2011/08/18 2018/01/29 岡山大学
23 特願2007-066393 特許第5228188号 半導体基板上の積層構造 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/19 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
24 特願2007-152277 特許第5228158号 半導体基板上の積層構造 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/19 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
25 特願2009-137663 特許第5529439号 フラーレン誘導体組成物とこれを用いた電界効果トランジスタ素子 2011/07/12 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
26 特願2009-239488 特許第5461951号 セラミックス膜の製造方法 2011/07/12 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
27 特願2009-003368 特許第5288468号 メモリ素子 2011/07/11 2018/01/24 科学技術振興機構(JST)
28 特願2008-287236 特許第5096294号 抵抗変化型不揮発性メモリー素子 コモンズ 2011/07/08 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
29 特願2007-535431 特許第5071854号 微粒子-タンパク質複合体およびその作製方法、半導体装置、蛍光標識方法 コモンズ 2011/07/07 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
30 特願2006-189807 特許第5120588号 分子素子 コモンズ 2011/06/29 2018/02/23 科学技術振興機構(JST)
31 特願2005-507324 特許第5057264号 表面スピンエレクトロニクスデバイス コモンズ 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
32 特願2005-512064 特許第4526484号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 コモンズ 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
33 特願2007-014919 特許第5369274号 有機電界効果トランジスタ コモンズ 2009/11/13 2018/02/19 九州工業大学
34 特願2007-228386 特許第5207024号 不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法 コモンズ 2009/03/27 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
35 特願2003-363411 特許第4072621号 シリコンナノ結晶の作製方法及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法 コモンズ 外国出願あり 2008/04/04 2018/03/14 名古屋大学
36 特願2003-086145 特許第4477305号 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ コモンズ 2008/01/11 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
37 特願2002-239427 特許第4037213号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 2007/10/11 2018/03/19 高知工科大学
38 特願平11-329838 特許第4608607号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 新技術説明会 2007/10/11 2018/03/22 高知工科大学
39 特願2003-025369 特許第4051437号 チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびFRAM 2007/08/08 2018/03/14 島根大学
40 特願2005-380347 特許第4830107号 スピン記録方法および装置 2007/07/19 2018/03/05 北海道大学
41 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
42 特願2005-076104 特許第4446092号 荷電制御強磁性半導体 コモンズ 2006/10/05 2018/03/05 筑波大学
43 特願2001-150456 特許第3482469号 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 2003/10/01 2018/03/20 北海道大学

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