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※未公開特許出願は対象外です。

該当件数 47件

No.	出願番号 ▲▼	特許番号 ▲▼	発明の名称 ▲▼	掲載日 ▲▼	更新日 ▲▼	データ提供機関 ▲▼
1	特願2012-232324	特許第6116043号	スキルミオン駆動方法およびマイクロ素子	2019/08/21	2019/10/02	理化学研究所
2	特願2006-298840	特許第4834836号	強磁性細線素子	2018/11/21	2018/11/21	京都大学
3	特願2017-521945	特許第6424272号	磁気抵抗素子および記憶回路	2018/06/20	2018/11/20	科学技術振興機構（JST）
4	特願2017-520688	特許第6436426号	パルス生成装置	2018/05/23	2018/12/20	科学技術振興機構（JST）
5	特願2015-509914	特許第6456817号	温度補償機能付センサ素子とそれを用いた磁気センサおよび電力測定装置	2017/06/26	2020/02/21	大阪市立大学
6	特願2015-545280	特許第6090878号	スピン制御機構及びスピンデバイス	2017/06/23	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
7	特願2014-517923	特許第5645181号	スピンバルブ素子	2016/11/04	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
8	特願2014-522583	特許第6164658号	光－スピン流変換素子及びその製造方法	2016/08/18	2017/12/19	東北大学
9	特願2007-078925	特許第4742276号	強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法	2016/03/10	2018/02/09	科学技術振興機構（JST）
10	特願2013-554508	特許第5569851号	スピン偏極トランジスタ素子	2015/06/22	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
11	特願2012-231849	特許第6143051号	スピントロニクスデバイス	2015/02/19	2018/01/16	東北大学
12	特願2013-502951	特許第5260810号	整流装置、トランジスタおよび整流方法	2015/02/02	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
13	特願2011-197115	特許第5773491号	ナノ接合素子およびその製造方法	2013/04/04	2018/01/17	北海道大学
14	特願2012-256732	特許第6052732号	磁気抵抗効果素子	2013/03/28	2020/02/21	大阪市立大学
15	特願2011-282394	特許第5880937号	スピン偏極度測定方法及び測定メータ、並びにこれを用いた論理演算ゲート及び信号暗号化復号化方法	2013/03/12	2018/01/11	埼玉大学
16	特願2011-073051	特許第5688739号	不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ	2012/11/01	2018/01/11	奈良先端科学技術大学院大学
17	特願2011-271235	特許第5975319号	弾性操作で駆動するスピンデバイス	2012/09/24	2018/01/11	九州工業大学
18	特願2012-067089	特許第5120680号	磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法	2012/09/14	2017/12/21	科学技術振興機構（JST）
19	特願2011-141750	特許第5071908号	ナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子	2012/05/28	2018/01/12	科学技術振興機構（JST）
20	特願2011-226906	特許第4963744号	磁気抵抗素子	2012/05/28	2018/01/12	科学技術振興機構（JST）
21	特願2011-226907	特許第5002788号	磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法	2012/05/28	2018/01/12	科学技術振興機構（JST）
22	特願2011-226908	特許第5152734号	磁気多層膜	2012/05/28	2018/01/12	科学技術振興機構（JST）
23	特願2010-187603	特許第5646914号	トンネル接合素子の製造方法	2012/03/12	2018/01/16	科学技術振興機構（JST）
24	特願2009-509018	特許第5397902号	スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイス	2011/08/18	2018/01/25	東北大学
25	特願2009-544705	特許第5397905号	量子ドットを用いた電子装置	2011/07/14	2018/01/25	科学技術振興機構（JST）
26	特願2009-295587	特許第4999016号	マルチフェロイックス素子	2011/07/13	2018/01/24	科学技術振興機構（JST）
27	特願2009-062278	特許第5064429号	スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ	2011/07/12	2018/01/25	科学技術振興機構（JST）
28	特願2009-062281	特許第5064430号	スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ	2011/07/12	2018/01/25	科学技術振興機構（JST）
29	特願2008-513300	特許第4582488号	磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス	2011/07/11	2018/02/06	科学技術振興機構（JST）
30	特願2009-003368	特許第5288468号	メモリ素子	2011/07/11	2018/01/24	科学技術振興機構（JST）
31	特願2007-508224	特許第4647654号	磁性半導体材料	2011/07/06	2018/02/09	科学技術振興機構（JST）
32	特願2007-529268	特許第4817148号	ナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子	2011/07/06	2018/02/09	科学技術振興機構（JST）
33	特願2007-210197	特許第4581133号	磁気抵抗素子	2011/07/05	2018/02/09	科学技術振興機構（JST）
34	特願2006-511062	特許第4082711号	磁気抵抗素子及びその製造方法	2011/07/01	2018/02/23	科学技術振興機構（JST）
35	特願2008-504984	特許第4803681号	強磁性ドットのコア回転素子及び強磁性ドットのコア利用情報記憶素子	2011/06/27	2018/02/02	京都大学
36	特願2005-507324	特許第5057264号	表面スピンエレクトロニクスデバイス	2011/06/23	2018/02/26	科学技術振興機構（JST）
37	特願2001-003446	特許第3822058号	高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置	2011/06/08	2018/03/19	科学技術振興機構（JST）
38	特願2006-163856	特許第5167479号	グラフェン集積回路の製造方法	2010/02/19	2018/02/22	北海道大学
39	特願2006-238022	特許第5119434号	磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法	2008/03/28	2018/02/22	長岡技術科学大学
40	特願2003-086145	特許第4477305号	スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ	2008/01/11	2018/03/16	科学技術振興機構（JST）
41	特願2006-069533	特許第4677589号	伝送回路一体型マイクロ波発生素子並びにマイクロ波検出方法、マイクロ波検出回路、マイクロ波検出素子及び伝送回路一体型マイクロ波検出素子	2008/01/11	2015/09/10	科学技術振興機構（JST）
42	特願2006-059953	特許第4825975号	磁気メモリ装置及びその書き込み方法	2007/10/04	2018/02/21	九州大学
43	特願2005-380347	特許第4830107号	スピン記録方法および装置	2007/07/19	2018/03/05	北海道大学
44	特願2005-076104	特許第4446092号	荷電制御強磁性半導体	2006/10/05	2018/03/05	筑波大学
45	特願2004-337992	特許第4399597号	光子－スピン量子ビット変換方法及び変換装置	2006/06/23	2016/01/06	北海道大学
46	特願2001-150456	特許第3482469号	磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法	2003/10/01	2018/03/20	北海道大学
47	特願2001-058528	特許第3527947号	プローブ及びその製造方法並びにプローブを有する顕微鏡及びテスタ	2003/08/28	2018/03/20	北海道大学

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