国内特許検索
該当件数 18件
No. | 出願番号 ▲▼ |
特許番号 ▲▼ |
発明の名称 ▲▼ |
掲載日 ▲▼ |
更新日 ▲▼ |
データ提供機関 ▲▼ |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 特願2018-196890 | 特開2019-062204 | LED素子とその製造方法 | 2020/09/30 | 2020/09/30 | 科学技術振興機構(JST) |
2 | 特願2018-036440 | 特開2019-091873 | SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ | 2020/05/12 | 2020/05/12 | 京都大学 |
3 | 特願2018-161761 | 特開2020-035917 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2020/04/08 | 2020/07/21 | 早稲田大学 |
4 | 特願2018-527637 | WO2018012546 | 半導体積層膜の製造方法、および半導体積層膜 | 2019/06/24 | 2020/01/15 | 東京農工大学 |
5 | 特願2016-106386 | 特許第6718612号 | SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ | 2018/11/22 | 2020/07/22 | 京都大学 |
6 | 特願2015-168227 | 特開2017-045897 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2017/03/29 | 2020/01/17 | 早稲田大学 |
7 | 特願2016-025819 | 特許第6712735号 | 電力素子 | 2016/11/10 | 2020/07/21 | 早稲田大学 |
8 | 特願2013-047025 | 特許第6218062号 | 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 | 2015/06/29 | 2017/12/18 | 早稲田大学 |
9 | 特願2013-554508 | 特許第5569851号 | スピン偏極トランジスタ素子 | 2015/06/22 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
10 | 特願2014-256754 | 特許第6548065号 |
オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ
|
2015/02/02 | 2019/08/22 | 名古屋工業大学 |
11 | 特願2013-156638 | 特許第6265328号 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | 2013/08/13 | 2018/01/31 | 名古屋工業大学 |
12 | 特願2011-232085 | 特許第5835771号 | 論理回路 | 2013/05/22 | 2018/01/17 | 北海道大学 |
13 | 特願2011-243007 | 特許第6048718号 |
紫外線受光素子
|
2012/05/29 | 2018/01/10 | 名古屋工業大学 |
14 | 特願2011-111883 | 特許第5804494号 |
半導体装置及びその駆動方法
|
2012/03/06 | 2018/01/11 | 九州工業大学 |
15 | 特願2009-530090 | 特許第5309397号 |
電子素子及び電気伝導度制御方法
|
2011/08/18 | 2018/01/29 | 岡山大学 |
16 | 特願2006-103253 | 特許第4852752号 | 化学・物理現象検出装置 | 2011/08/18 | 2018/02/22 | 豊橋技術科学大学(とよはしTLO) |
17 | 特願2003-307798 | 特許第4669213号 | 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ | 2011/06/17 | 2018/03/16 | 科学技術振興機構(JST) |
18 | 特願2007-041018 | 特許第5272172号 | 半導体装置 | 2010/06/18 | 2018/02/16 | 北海道大学 |
(1/1ページ)
- 1