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該当件数 23件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2018-527637 WO2018012546 半導体積層膜の製造方法、および半導体積層膜 2019/06/24 2019/06/24 東京農工大学
2 特願2016-106386 特開2017-212397 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ 2018/11/22 2018/11/22 京都大学
3 特願2017-500529 WO2016132746 薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート コモンズ 2017/12/21 2017/12/21 名古屋大学
4 特願2015-168227 特開2017-045897 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2017/03/29 2017/06/30 早稲田大学
5 特願2016-025819 特開2016-157932 電力素子 2016/11/10 2017/01/04 早稲田大学
6 特願2014-265640 特開2016-127088 ダイヤモンド半導体デバイス 2016/08/10 2016/10/26 北海道大学
7 特願2013-047025 特許第6218062号 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 2015/06/29 2017/12/18 早稲田大学
8 特願2013-554508 特許第5569851号 スピン偏極トランジスタ素子 2015/06/22 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
9 特願2014-256754 特許第6548065号 オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ UPDATE コモンズ 新技術説明会 2015/02/02 2019/08/22 名古屋工業大学
10 特願2014-067737 特開2015-192004 ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のMIS型ノーマリオフHEMT素子 コモンズ 2014/04/01 2016/05/20 名古屋工業大学
11 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 コモンズ 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
12 特願2011-232085 特許第5835771号 論理回路 2013/05/22 2018/01/17 北海道大学
13 特願2011-243007 特許第6048718号 紫外線受光素子 コモンズ 新技術説明会 2012/05/29 2018/01/10 名古屋工業大学
14 特願2011-111883 特許第5804494号 半導体装置及びその駆動方法 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2012/03/06 2018/01/11 九州工業大学
15 特願2009-530090 特許第5309397号 電子素子及び電気伝導度制御方法 コモンズ 外国出願あり 2011/08/18 2018/01/29 岡山大学
16 特願2006-103253 特許第4852752号 化学・物理現象検出装置 コモンズ 2011/08/18 2018/02/22 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
17 特願2003-307798 特許第4669213号 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ 2011/06/17 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
18 特願2007-041018 特許第5272172号 半導体装置 2010/06/18 2018/02/16 北海道大学
19 特願2010-032977 特許第5499357号 半導体装置の製造方法 新技術説明会 2010/06/18 2018/01/12 島根大学
20 特願2007-322712 特許第5344449号 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 新技術説明会 2009/07/03 2018/02/08 島根大学
21 特願2000-085947 特許第3313696号 電界効果トランジスタ コモンズ 2004/04/16 2015/08/04 科学技術振興機構(JST)
22 特願2000-181229 特許第3430206号 半導体素子の製造方法及び半導体素子 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
23 特願2001-088314 特許第3390756号 電界効果トランジスタ コモンズ 2003/11/18 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

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