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特許の状態	未公開特許出願公開特許

※未公開特許出願は対象外です。

該当件数 23件

No.	出願番号 ▲▼	特許番号 ▲▼	発明の名称 ▲▼	掲載日 ▲▼	更新日 ▲▼	データ提供機関 ▲▼
1	特願2018-527637	WO2018012546	半導体積層膜の製造方法、および半導体積層膜	2019/06/24	2019/06/24	東京農工大学
2	特願2016-106386	特開2017-212397	ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ	2018/11/22	2018/11/22	京都大学
3	特願2017-500529	WO2016132746	薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびＧａＮテンプレート	2017/12/21	2017/12/21	名古屋大学
4	特願2015-168227	特開2017-045897	ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法	2017/03/29	2017/06/30	早稲田大学
5	特願2016-025819	特開2016-157932	電力素子	2016/11/10	2017/01/04	早稲田大学
6	特願2014-265640	特開2016-127088	ダイヤモンド半導体デバイス	2016/08/10	2016/10/26	北海道大学
7	特願2013-047025	特許第6218062号	電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法	2015/06/29	2017/12/18	早稲田大学
8	特願2013-554508	特許第5569851号	スピン偏極トランジスタ素子	2015/06/22	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
9	特願2014-256754	特許第6548065号	オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ	2015/02/02	2019/08/22	名古屋工業大学
10	特願2014-067737	特開2015-192004	ドレイン電流密度・相互コンダクタンスを大幅に改善したリセス構造のＭＩＳ型ノーマリオフＨＥＭＴ素子	2014/04/01	2016/05/20	名古屋工業大学
11	特願2013-156638	特許第6265328号	半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子	2013/08/13	2018/01/31	名古屋工業大学
12	特願2011-232085	特許第5835771号	論理回路	2013/05/22	2018/01/17	北海道大学
13	特願2011-243007	特許第6048718号	紫外線受光素子	2012/05/29	2018/01/10	名古屋工業大学
14	特願2011-111883	特許第5804494号	半導体装置及びその駆動方法	2012/03/06	2018/01/11	九州工業大学
15	特願2009-530090	特許第5309397号	電子素子及び電気伝導度制御方法	2011/08/18	2018/01/29	岡山大学
16	特願2006-103253	特許第4852752号	化学・物理現象検出装置	2011/08/18	2018/02/22	豊橋技術科学大学（とよはしＴＬＯ）
17	特願2003-307798	特許第4669213号	電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ	2011/06/17	2018/03/16	科学技術振興機構（JST）
18	特願2007-041018	特許第5272172号	半導体装置	2010/06/18	2018/02/16	北海道大学
19	特願2010-032977	特許第5499357号	半導体装置の製造方法	2010/06/18	2018/01/12	島根大学
20	特願2007-322712	特許第5344449号	半導体多結晶薄膜及び半導体装置	2009/07/03	2018/02/08	島根大学
21	特願2000-085947	特許第3313696号	電界効果トランジスタ	2004/04/16	2015/08/04	科学技術振興機構（JST）
22	特願2000-181229	特許第3430206号	半導体素子の製造方法及び半導体素子	2004/02/24	2012/04/06	科学技術振興機構（JST）
23	特願2001-088314	特許第3390756号	電界効果トランジスタ	2003/11/18	2018/03/16	科学技術振興機構（JST）

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