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該当件数 33件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-500529 WO2016132746 薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート コモンズ 2017/12/21 2017/12/21 名古屋大学
2 特願2014-103670 特許第6362044号 半導体装置およびその製造方法 2016/02/05 2018/08/28 筑波大学
3 特願2015-033515 特許第6465397号 IV族クラスレートの製造方法 コモンズ 新技術説明会 2015/03/05 2019/02/22 岐阜大学
4 特願2004-343001 特許第4716277号 薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法 2014/02/21 2018/03/09 京都大学
5 特願2012-185660 特許第6090767号 半導体装置の製造方法 コモンズ 2013/08/09 2017/12/26 東京理科大学
6 特願2007-168708 特許第5251015号 熱処理装置及び熱処理方法 実績あり 2013/08/05 2018/02/08 関西学院大学
7 特願2012-232319 特許第5494992号 三次元微細加工基板 2013/08/05 2017/12/25 関西学院大学
8 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
9 特願2010-081588 特許第5168599号 薄膜トランジスタの製造方法 2011/11/02 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
10 特願2011-115089 特許第5928864号 多層膜構造体及びその形成方法 コモンズ 2011/10/31 2018/01/05 名古屋大学
11 特願2010-068707 特許第4568827号 アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
12 特願2010-068708 特許第4568828号 アモルファス酸化物薄膜 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
13 特願2009-184113 特許第4860733号 有機材料含有デバイスに適した基板の製造方法、および有機材料含有デバイスの製造方法 コモンズ 2011/07/12 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
14 特願2005-503747 特許第4382748号 半導体結晶成長方法 コモンズ 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
15 特願2004-054035 特許第4587276号 液晶高分子からなる膜の製造方法 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
16 特願2010-032977 特許第5499357号 半導体装置の製造方法 新技術説明会 2010/06/18 2018/01/12 島根大学
17 特願2009-113721 特許第5507882号 酸化亜鉛透明導電膜の製造方法及びこの方法を実施するための製造装置 新技術説明会 2009/07/17 2018/01/25 茨城大学
18 特願2007-246322 特許第5152715号 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 2009/05/22 2018/02/08 関西学院大学
19 特願2009-080616 特許第5286502号 強磁性半導体素子 コモンズ 2009/04/03 2018/01/24 科学技術振興機構(JST)
20 特願2007-208729 特許第4998923号 シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法 新技術説明会 2008/05/02 2018/02/16 筑波大学
21 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
22 特願2005-282958 特許第4910124号 半導体薄膜製造装置および方法 新技術説明会 2007/08/31 2018/02/27 東京農工大学
23 特願2003-290248 特許第4072620号 酸化亜鉛超微粒子および酸化亜鉛超微粒子の製造方法 2007/08/08 2018/03/14 島根大学
24 特願2005-162166 特許第5224256号 単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 実績あり 2007/07/19 2018/02/26 関西学院大学
25 特願2004-262638 特許第4825965号 量子ドットの形成方法 コモンズ 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
26 特願2005-089544 特許第4706047号 有機材料含有デバイスに適した基板とその製造方法、およびこれを用いた有機材料含有デバイス コモンズ 新技術説明会 2006/07/13 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
27 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 コモンズ 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
28 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
29 特願2002-247083 特許第3847682号 酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置 コモンズ 2004/05/14 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
30 特願2002-254050 特許第4014473号 超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法 2004/05/14 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
31 特願2002-197744 特許第4083486号 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 2004/01/23 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
32 特願2000-024843 特許第3398638号 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 新技術説明会 2003/08/28 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
33 特願2000-172876 特許第3378912号 半導体混晶膜の形成方法 コモンズ 2003/05/27 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)

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