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該当件数 23件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2018-530815 特許第6432004号 窒化物半導体及びその製造方法 新技術説明会 2021/01/29 2021/01/29 科学技術振興機構(JST)
2 特願2018-196890 特開2019-062204 LED素子とその製造方法 2020/09/30 2020/09/30 科学技術振興機構(JST)
3 特願2019-521337 特許第6788302号 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン 新技術説明会 2020/09/30 2020/12/22 科学技術振興機構(JST)
4 特願2018-527637 WO2018012546 半導体積層膜の製造方法、および半導体積層膜 2019/06/24 2020/01/15 東京農工大学
5 特願2014-103670 特許第6362044号 半導体装置およびその製造方法 2016/02/05 2020/09/29 筑波大学
6 特願2015-033515 特許第6465397号 IV族クラスレートの製造方法 新技術説明会 2015/03/05 2020/12/01 岐阜大学
7 特願2004-343001 特許第4716277号 薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法 2014/02/21 2018/03/09 京都大学
8 特願2007-168708 特許第5251015号 熱処理装置及び熱処理方法 実績あり 2013/08/05 2018/02/08 関西学院大学
9 特願2012-232319 特許第5494992号 三次元微細加工基板 2013/08/05 2017/12/25 関西学院大学
10 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
11 特願2010-081588 特許第5168599号 薄膜トランジスタの製造方法 2011/11/02 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
12 特願2010-068707 特許第4568827号 アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法 実績あり 2011/07/14 2021/01/27 科学技術振興機構(JST)
13 特願2010-068708 特許第4568828号 アモルファス酸化物薄膜 実績あり 2011/07/14 2021/01/27 科学技術振興機構(JST)
14 特願2004-054035 特許第4587276号 液晶高分子からなる膜の製造方法 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)
15 特願2009-113721 特許第5507882号 酸化亜鉛透明導電膜の製造方法及びこの方法を実施するための製造装置 新技術説明会 2009/07/17 2018/01/25 茨城大学
16 特願2007-246322 特許第5152715号 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 2009/05/22 2018/02/08 関西学院大学
17 特願2007-208729 特許第4998923号 シリコンベースの高効率太陽電池およびその製造方法 新技術説明会 2008/05/02 2018/02/16 筑波大学
18 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
19 特願2005-282958 特許第4910124号 半導体薄膜製造装置および方法 新技術説明会 2007/08/31 2018/02/27 東京農工大学
20 特願2005-162166 特許第5224256号 単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 実績あり 2007/07/19 2018/02/26 関西学院大学
21 特願2004-262638 特許第4825965号 量子ドットの形成方法 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
22 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
23 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2021/01/27 科学技術振興機構(JST)

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