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特許の状態	未公開特許出願公開特許

※未公開特許出願は対象外です。

該当件数 44件

No.	出願番号 ▲▼	特許番号 ▲▼	発明の名称 ▲▼	掲載日 ▲▼	更新日 ▲▼	データ提供機関 ▲▼
1	特願2018-560410	WO2018128193	六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法	2019/11/26	2020/01/21	科学技術振興機構（JST）
2	特願2015-146869	特許第6570115号	単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路	2019/08/23	2019/09/30	理化学研究所
3	特願2017-518012	特許第6341551号	真空チャネルトランジスタおよびその製造方法	2018/05/24	2018/06/20	山口大学
4	特願2014-561596	特許第6272242号	有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器	2018/04/17	2018/04/17	科学技術振興機構（JST）
5	特願2016-568732	特許第6629241号	スイッチング装置	2017/11/21	2020/01/28	北海道大学
6	特願2016-545560	特許第6443699号	ナノデバイス	2017/08/24	2019/01/21	科学技術振興機構（JST）
7	特願2015-533999	特許第6212124号	ＩｎＧａＡｌＮ系半導体素子	2017/06/23	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
8	特願2015-135706	特許第6544090号	結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法	2017/02/07	2019/08/22	島根大学
9	特願2014-557181	特許第6219314号	自己組織化膜形成材料として有用なトリプチセン誘導体、その製造方法、それを用いた膜、及びその製造方法	2017/02/07	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
10	特願2007-078925	特許第4742276号	強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法	2016/03/10	2018/02/09	科学技術振興機構（JST）
11	特願2015-138068	特許第6534036号	水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ	2015/08/20	2019/07/22	金沢大TLO
12	特願2015-093772	特開2016-213280	電界効果トランジスタ	2015/08/20	2020/01/16	金沢大TLO
13	特願2013-177888	特許第6078920号	薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス	2015/07/01	2017/12/19	広島大学
14	特願2014-502342	特許第5674220号	ナノデバイス及びその製造方法	2015/06/22	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
15	特願2013-503464	特許第5942297号	ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス	2015/01/29	2017/12/18	科学技術振興機構（JST）
16	特願2004-325276	特許第4582577号	有機ホウ素高分子化合物	2014/02/21	2018/03/09	京都大学
17	特願2004-343001	特許第4716277号	薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法	2014/02/21	2018/03/09	京都大学
18	特願2012-504502	特許第5721147号	半導体装置及び半導体装置の製造方法	2013/07/26	2017/12/27	高エネルギー加速器研究機構
19	特願2013-063891	特許第6226262号	フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法	2013/07/02	2017/12/20	信州大学
20	特願2012-280468	特許第5615894号	薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド	2013/06/12	2017/12/21	科学技術振興機構（JST）
21	特願2011-245922	特許第5901942号	機能性デバイスの製造方法及び機能性デバイスの製造装置	2013/05/30	2018/01/12	科学技術振興機構（JST）
22	特願2012-265997	特許第5656966号	電界効果トランジスタ及びその製造方法	2013/04/11	2017/12/21	科学技術振興機構（JST）
23	特願2011-141111	特許第6010809号	半導体装置の製造方法	2013/04/10	2018/01/09	琉球大学
24	特願2009-107148	特許第5493219号	半導体素子、論理ゲート、ビットコンパレータ及び確率的連想処理回路	2012/11/01	2018/01/29	広島大学
25	特願2010-521665	特許第5168605号	ｐチャネル薄膜トランジスタとその製造方法	2012/01/10	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
26	特願2010-517840	特許第5477750号	有機電界効果型トランジスタ	2011/12/12	2018/01/18	九州工業大学
27	特願2010-118857	特許第5154605号	強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド	2011/12/12	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
28	特願2010-107764	特許第5198506号	機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド	2011/11/28	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
29	特願2010-107768	特許第5154603号	電界効果トランジスタ及びその製造方法	2011/11/28	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
30	特願2010-081588	特許第5168599号	薄膜トランジスタの製造方法	2011/11/02	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
31	特願2010-068707	特許第4568827号	アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法	2011/07/14	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
32	特願2010-068708	特許第4568828号	アモルファス酸化物薄膜	2011/07/14	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
33	特願2010-238816	特許第5294339号	試料中の被検出物質の検出方法	2011/07/14	2018/01/15	科学技術振興機構（JST）
34	特願2006-510907	特許第4620046号	薄膜トランジスタ及びその製造方法	2011/07/01	2018/02/23	科学技術振興機構（JST）
35	特願2006-511347	特許第4904541号	有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法	2011/07/01	2018/02/23	科学技術振興機構（JST）
36	特願2005-034476	特許第4891550号	ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法	2011/06/21	2018/02/26	科学技術振興機構（JST）
37	特願2004-054035	特許第4587276号	液晶高分子からなる膜の製造方法	2011/06/20	2018/03/09	科学技術振興機構（JST）
38	特願2010-032977	特許第5499357号	半導体装置の製造方法	2010/06/18	2018/01/12	島根大学
39	特願2007-014919	特許第5369274号	有機電界効果トランジスタ	2009/11/13	2018/02/19	九州工業大学
40	特願2004-242351	特許第4701376号	薄膜結晶化方法	2007/12/28	2018/03/07	埼玉大学
41	特願2006-006978	特許第5103607号	剥離層除去方法	2007/08/31	2018/02/15	東京農工大学
42	特願2003-397788	特許第4157463号	新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス	2005/06/24	2018/03/16	科学技術振興機構（JST）
43	特願2002-266012	特許第4164562号	ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ	2004/06/04	2018/03/16	科学技術振興機構（JST）
44	特願2001-105872	特許第3507889号	アモルファスシリコン薄膜の成膜方法	2003/08/28	2018/03/20	九州大学

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