国内特許検索
該当件数 43件
No. | 出願番号 ▲▼ |
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1 | 特願2019-557267 | WO2019107411 | トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス | 2021/01/29 | 2021/01/29 | 科学技術振興機構(JST) |
2 | 特願2018-530815 | 特許第6432004号 |
窒化物半導体及びその製造方法
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2021/01/29 | 2021/01/29 | 科学技術振興機構(JST) |
3 | 特願2020-503630 | 特許第6799880号 |
単分子トランジスタ
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2020/12/22 | 2021/01/27 | 科学技術振興機構(JST) |
4 | 特願2018-560410 | WO2018128193 | 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法 | 2019/11/26 | 2020/01/21 | 科学技術振興機構(JST) |
5 | 特願2015-146869 | 特許第6570115号 | 単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路 | 2019/08/23 | 2019/09/30 | 理化学研究所 |
6 | 特願2017-518012 | 特許第6341551号 | 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法 | 2018/05/24 | 2018/06/20 | 山口大学 |
7 | 特願2014-561596 | 特許第6272242号 | 有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器 | 2018/04/17 | 2018/04/17 | 科学技術振興機構(JST) |
8 | 特願2016-568732 | 特許第6629241号 | スイッチング装置 | 2017/11/21 | 2020/01/28 | 北海道大学 |
9 | 特願2016-545560 | 特許第6443699号 | ナノデバイス | 2017/08/24 | 2019/01/21 | 科学技術振興機構(JST) |
10 | 特願2015-533999 | 特許第6212124号 |
InGaAlN系半導体素子
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2017/06/23 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
11 | 特願2015-135706 | 特許第6544090号 |
結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法
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2017/02/07 | 2019/08/22 | 島根大学 |
12 | 特願2014-557181 | 特許第6219314号 | 自己組織化膜形成材料として有用なトリプチセン誘導体、その製造方法、それを用いた膜、及びその製造方法 | 2017/02/07 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
13 | 特願2007-078925 | 特許第4742276号 | 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法 | 2016/03/10 | 2018/02/09 | 科学技術振興機構(JST) |
14 | 特願2015-138068 | 特許第6534036号 |
水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
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2015/08/20 | 2019/07/22 | 金沢大TLO |
15 | 特願2013-177888 | 特許第6078920号 | 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス | 2015/07/01 | 2017/12/19 | 広島大学 |
16 | 特願2014-502342 | 特許第5674220号 | ナノデバイス及びその製造方法 | 2015/06/22 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
17 | 特願2013-503464 | 特許第5942297号 | ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス | 2015/01/29 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
18 | 特願2004-325276 | 特許第4582577号 | 有機ホウ素高分子化合物 | 2014/02/21 | 2018/03/09 | 京都大学 |
19 | 特願2004-343001 | 特許第4716277号 | 薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法 | 2014/02/21 | 2018/03/09 | 京都大学 |
20 | 特願2012-504502 | 特許第5721147号 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
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2013/07/26 | 2017/12/27 | 高エネルギー加速器研究機構 |
21 | 特願2013-063891 | 特許第6226262号 | フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法 | 2013/07/02 | 2017/12/20 | 信州大学 |
22 | 特願2012-280468 | 特許第5615894号 | 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド | 2013/06/12 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構(JST) |
23 | 特願2011-245922 | 特許第5901942号 | 機能性デバイスの製造方法及び機能性デバイスの製造装置 | 2013/05/30 | 2018/01/12 | 科学技術振興機構(JST) |
24 | 特願2012-265997 | 特許第5656966号 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2013/04/11 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構(JST) |
25 | 特願2011-141111 | 特許第6010809号 |
半導体装置の製造方法
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2013/04/10 | 2018/01/09 | 琉球大学 |
26 | 特願2010-521665 | 特許第5168605号 | pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 | 2012/01/10 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
27 | 特願2010-118857 | 特許第5154605号 | 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド | 2011/12/12 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
28 | 特願2010-107764 | 特許第5198506号 | 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド | 2011/11/28 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
29 | 特願2010-107768 | 特許第5154603号 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2011/11/28 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
30 | 特願2010-081588 | 特許第5168599号 | 薄膜トランジスタの製造方法 | 2011/11/02 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
31 | 特願2010-068707 | 特許第4568827号 |
アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法
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2011/07/14 | 2021/01/27 | 科学技術振興機構(JST) |
32 | 特願2010-068708 | 特許第4568828号 |
アモルファス酸化物薄膜
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2011/07/14 | 2021/01/27 | 科学技術振興機構(JST) |
33 | 特願2010-238816 | 特許第5294339号 | 試料中の被検出物質の検出方法 | 2011/07/14 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
34 | 特願2006-510907 | 特許第4620046号 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
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2011/07/01 | 2021/01/27 | 科学技術振興機構(JST) |
35 | 特願2006-511347 | 特許第4904541号 |
有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法
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2011/07/01 | 2018/02/23 | 科学技術振興機構(JST) |
36 | 特願2005-034476 | 特許第4891550号 | n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 | 2011/06/21 | 2018/02/26 | 科学技術振興機構(JST) |
37 | 特願2004-054035 | 特許第4587276号 | 液晶高分子からなる膜の製造方法 | 2011/06/20 | 2018/03/09 | 科学技術振興機構(JST) |
38 | 特願2007-014919 | 特許第5369274号 | 有機電界効果トランジスタ | 2009/11/13 | 2018/02/19 | 九州工業大学 |
39 | 特願2004-242351 | 特許第4701376号 | 薄膜結晶化方法 | 2007/12/28 | 2018/03/07 | 埼玉大学 |
40 | 特願2006-006978 | 特許第5103607号 | 剥離層除去方法 | 2007/08/31 | 2018/02/15 | 東京農工大学 |
41 | 特願2003-397788 | 特許第4157463号 |
新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
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2005/06/24 | 2018/03/16 | 科学技術振興機構(JST) |
42 | 特願2002-266012 | 特許第4164562号 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
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2004/06/04 | 2021/01/27 | 科学技術振興機構(JST) |
43 | 特願2001-105872 | 特許第3507889号 | アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 | 2003/08/28 | 2018/03/20 | 九州大学 |
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