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該当件数 47件

No. 出願番号
▲▼		 特許番号
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▲▼		 更新日
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1 特願2018-560410 WO2018128193 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法 2019/11/26 2020/01/21 科学技術振興機構（JST）
2 特願2015-146869 特許第6570115号 単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路 2019/08/23 2019/09/30 理化学研究所
3 特願2017-518012 特許第6341551号 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法 2018/05/24 2018/06/20 山口大学
4 特願2014-561596 特許第6272242号 有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器 2018/04/17 2018/04/17 科学技術振興機構（JST）
5 特願2016-568732 特許第6629241号 スイッチング装置 2017/11/21 2020/01/28 北海道大学
6 特願2016-545560 特許第6443699号 ナノデバイス 2017/08/24 2019/01/21 科学技術振興機構（JST）
7 特願2015-533999 特許第6212124号 ＩｎＧａＡｌＮ系半導体素子 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
8 特願2015-135706 特許第6544090号 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法 新技術説明会 2017/02/07 2019/08/22 島根大学
9 特願2014-557181 特許第6219314号 自己組織化膜形成材料として有用なトリプチセン誘導体、その製造方法、それを用いた膜、及びその製造方法 2017/02/07 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
10 特願2007-078925 特許第4742276号 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法 2016/03/10 2018/02/09 科学技術振興機構（JST）
11 特願2015-138068 特許第6534036号 水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ 新技術説明会 2015/08/20 2019/07/22 金沢大TLO
12 特願2015-093772 特開2016-213280 電界効果トランジスタ 2015/08/20 2020/01/16 金沢大TLO
13 特願2013-177888 特許第6078920号 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス 2015/07/01 2017/12/19 広島大学
14 特願2014-502342 特許第5674220号 ナノデバイス及びその製造方法 2015/06/22 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
15 特願2013-503464 特許第5942297号 ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス 2015/01/29 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
16 特願2004-325276 特許第4582577号 有機ホウ素高分子化合物 2014/02/21 2018/03/09 京都大学
17 特願2004-343001 特許第4716277号 薄膜形成方法、蒸着源基板、および蒸着源基板の製造方法 2014/02/21 2018/03/09 京都大学
18 特願2012-504502 特許第5721147号 半導体装置及び半導体装置の製造方法 新技術説明会 実績あり 2013/07/26 2017/12/27 高エネルギー加速器研究機構
19 特願2013-063891 特許第6226262号 フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法 2013/07/02 2017/12/20 信州大学
20 特願2012-280468 特許第5615894号 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/06/12 2017/12/21 科学技術振興機構（JST）
21 特願2011-245922 特許第5901942号 機能性デバイスの製造方法及び機能性デバイスの製造装置 2013/05/30 2018/01/12 科学技術振興機構（JST）
22 特願2012-265997 特許第5656966号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 2013/04/11 2017/12/21 科学技術振興機構（JST）
23 特願2011-141111 特許第6010809号 半導体装置の製造方法 新技術説明会 2013/04/10 2018/01/09 琉球大学
24 特願2009-107148 特許第5493219号 半導体素子、論理ゲート、ビットコンパレータ及び確率的連想処理回路 2012/11/01 2018/01/29 広島大学
25 特願2010-248628 特許第5786230号 有機積層体を含む発光トランジスタ 2012/05/16 2018/01/19 京都工芸繊維大学
26 特願2010-521665 特許第5168605号 ｐチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 2012/01/10 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
27 特願2010-517840 特許第5477750号 有機電界効果型トランジスタ 新技術説明会 2011/12/12 2018/01/18 九州工業大学
28 特願2010-118857 特許第5154605号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/12/12 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
29 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
30 特願2010-107768 特許第5154603号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 2011/11/28 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
31 特願2010-081588 特許第5168599号 薄膜トランジスタの製造方法 2011/11/02 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
32 特願2010-068707 特許第4568827号 アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
33 特願2010-068708 特許第4568828号 アモルファス酸化物薄膜 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
34 特願2010-238816 特許第5294339号 試料中の被検出物質の検出方法 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
35 特願2006-510907 特許第4620046号 薄膜トランジスタ及びその製造方法 実績あり 2011/07/01 2018/02/23 科学技術振興機構（JST）
36 特願2006-511347 特許第4904541号 有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法 新技術説明会 2011/07/01 2018/02/23 科学技術振興機構（JST）
37 特願2005-034476 特許第4891550号 ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法 2011/06/21 2018/02/26 科学技術振興機構（JST）
38 特願2004-037866 特許第4774476号 センサー 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構（JST）
39 特願2004-054035 特許第4587276号 液晶高分子からなる膜の製造方法 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構（JST）
40 特願2010-032977 特許第5499357号 半導体装置の製造方法 新技術説明会 2010/06/18 2018/01/12 島根大学
41 特願2007-014919 特許第5369274号 有機電界効果トランジスタ 2009/11/13 2018/02/19 九州工業大学
42 特願2007-322712 特許第5344449号 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 新技術説明会 2009/07/03 2018/02/08 島根大学
43 特願2004-242351 特許第4701376号 薄膜結晶化方法 2007/12/28 2018/03/07 埼玉大学
44 特願2006-006978 特許第5103607号 剥離層除去方法 2007/08/31 2018/02/15 東京農工大学
45 特願2003-397788 特許第4157463号 新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス 新技術説明会 実績あり 2005/06/24 2018/03/16 科学技術振興機構（JST）
46 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構（JST）
47 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学

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