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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 22件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2019-557267 WO2019107411 トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス 2021/01/29 2021/01/29 科学技術振興機構(JST)
2 特願2019-140141 特開2021-022706 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 UPDATE 新技術説明会 2020/09/15 2021/06/18 東京工業大学
3 特願2018-161761 特開2020-035917 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2020/04/08 2020/07/21 早稲田大学
4 特願2015-146869 特許第6570115号 単電子トランジスタ及びその製造方法並びに集積回路 2019/08/23 2019/09/30 理化学研究所
5 特願2018-037972 特開2018-148214 ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ 2018/10/25 2020/01/17 早稲田大学
6 特願2017-543415 特許第6600918号 トンネル電界効果トランジスタ 2018/09/21 2019/11/21 科学技術振興機構(JST)
7 特願2016-557764 特許第6316981号 ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法 2017/08/16 2018/05/22 科学技術振興機構(JST)
8 特願2017-052989 特開2018-157076 MFS型の電界効果トランジスタ 2017/07/12 2020/01/16 金沢大TLO
9 特願2015-534036 特許第6133991号 ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
10 特願2015-544904 特許第6169182号 ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
11 特願2015-544804 特許第6095083号 III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 2017/04/07 2017/12/20 北海道大学
12 特願2015-168227 特開2017-045897 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2017/03/29 2020/01/17 早稲田大学
13 特願2015-531725 特許第5999611号 トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 2017/03/15 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
14 特願2016-025819 特許第6712735号 電力素子 2016/11/10 2020/07/21 早稲田大学
15 特願2013-047025 特許第6218062号 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 2015/06/29 2017/12/18 早稲田大学
16 特願2014-501328 特許第5581464号 ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法 2015/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
17 特願2013-543456 特許第5499225号 ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法 2015/06/22 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
18 特願2011-545956 特許第5610492号 SiC半導体素子およびその作製方法 新技術説明会 2013/07/12 2018/01/11 奈良先端科学技術大学院大学
19 特願2011-232085 特許第5835771号 論理回路 2013/05/22 2018/01/17 北海道大学
20 特願2006-163856 特許第5167479号 グラフェン集積回路の製造方法 2010/02/19 2018/02/22 北海道大学
21 特願2005-254698 特許第4783895号 被膜窒化方法、被膜形成基板および窒化処理装置 2007/08/16 2018/03/05 宮崎大学
22 特願2004-207620 特許第4517144号 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法 2006/03/03 2018/03/07 広島大学

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