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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 20件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-543415 特許第6600918号 トンネル電界効果トランジスタ 2018/09/21 2019/11/21 科学技術振興機構(JST)
2 特願2015-168227 特開2017-045897 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2017/03/29 2020/01/17 早稲田大学
3 特願2015-531725 特許第5999611号 トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 2017/03/15 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
4 特願2015-135706 特許第6544090号 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法 新技術説明会 2017/02/07 2019/08/22 島根大学
5 特願2016-025819 特開2016-157932 電力素子 2016/11/10 2020/01/17 早稲田大学
6 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
7 特願2013-176635 特許第6181474号 窒化物半導体成長用基板の製造方法 2015/03/24 2017/12/15 滋賀県立大学
8 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
9 特願2008-025483 特許第5360639号 表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法 2013/08/05 2018/01/30 関西学院大学
10 特願2009-274910 特許第5540349号 半導体ウエハの製造方法 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
11 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
12 特願2011-141111 特許第6010809号 半導体装置の製造方法 新技術説明会 2013/04/10 2018/01/09 琉球大学
13 特願2007-298752 特許第5394632号 単結晶SiC基板の製造方法 2011/03/14 2018/02/08 大阪府立大学
14 特願2006-238022 特許第5119434号 磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/22 長岡技術科学大学
15 特願2004-242351 特許第4701376号 薄膜結晶化方法 2007/12/28 2018/03/07 埼玉大学
16 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
17 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
18 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
19 特願2000-181229 特許第3430206号 半導体素子の製造方法及び半導体素子 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
20 特願2001-340066 特許第4298194号 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。 新技術説明会 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

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