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該当件数 50件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-121137 特開2019-009169 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法 新技術説明会 外国出願あり 2019/06/13 2019/06/21 情報通信研究機構
2 特願2016-035999 特開2017-152637 熱輻射光源 2018/11/22 2018/11/22 京都大学
3 特願2017-548816 特許第6590420号 窒素化合物の製造方法及び製造装置 UPDATE コモンズ 外国出願あり 2018/09/18 2019/11/20 産総研
4 特願2017-500529 WO2016132746 薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート コモンズ 2017/12/21 2017/12/21 名古屋大学
5 特願2015-221683 特開2017-088454 基体、発光素子および基体の製造方法 新技術説明会 2017/06/23 2017/08/22 京都工芸繊維大学
6 特願2009-070630 特許第5196403号 サファイア基板の製造方法、および半導体装置 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口TLO
7 特願2009-117791 特許第5557180号 半導体発光素子の製造方法 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口TLO
8 特願2010-526523 特許第5392855号 半導体基板及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2016/09/08 2018/01/17 山口TLO
9 特願2010-540380 特許第5464446号 半導体発光素子及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2016/09/08 2018/01/17 山口TLO
10 特願2010-037025 特許第5435646号 半導体基板及びその製造方法 実績あり 2016/09/08 2018/01/17 山口TLO
11 特願2010-080473 特許第5376462号 半導体発光素子及びその製造方法 実績あり 2016/09/08 2018/01/17 山口TLO
12 特願2006-002972 特許第4915009号 半導体部材の製造方法 実績あり 2016/06/29 2018/02/22 山口TLO
13 特願2014-502031 特許第6019541号 半導体発光素子 2015/10/28 2017/12/18 山口大学
14 特願2013-138894 特許第6232611号 発光素子およびその製造方法 2015/03/05 2017/12/20 北海道大学
15 特願2009-240213 特許第5300078号 フォトニック結晶発光ダイオード 2014/08/11 2019/03/22 京都大学
16 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 コモンズ 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
17 特願2011-268141 特許第6450061号 赤色発光半導体素子とその製造方法 2013/06/27 2019/01/18 大阪大学
18 特願2011-053393 特許第5822190号 多波長発光素子及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2011/11/04 2018/01/04 山口TLO
19 特願2011-060133 特許第5854419号 多波長発光素子及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2011/11/04 2018/01/04 山口TLO
20 特願2006-254012 特許第4997502号 半導体素子の製造方法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/22 東北大学
21 特願2006-254013 特許第4852755号 化合物半導体素子の製造方法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/22 東北大学
22 特願2011-013852 特許第5702165号 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード 実績あり 2011/07/14 2018/01/12 科学技術振興機構(JST)
23 特願2008-500965 特許第5706601号 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
24 特願2008-514810 特許第5743127号 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
25 特願2008-520225 特許第5010597号 耐圧釜を用いた超臨界アンモニア中でのIII族窒化物結晶の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
26 特願2007-513224 特許第5379973号 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作 2011/07/06 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
27 特願2007-228178 特許第5242975号 回折格子型発光ダイオード 2011/07/05 2019/03/22 科学技術振興機構(JST)
28 特願2005-512858 特許第5719493号 表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード 実績あり 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
29 特願2002-156564 特許第3951171号 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり 2011/06/10 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
30 特願2000-205941 特許第3531865号 超平坦透明導電膜およびその製造方法 2011/06/08 2015/09/09 科学技術振興機構(JST)
31 特願2009-201593 特許第5409210号 半導体発光素子 2011/05/23 2018/01/22 金沢工業大学
32 特願2008-298420 特許第5540292号 照明装置 コモンズ 新技術説明会 2011/04/04 2018/01/30 四国TLO
33 特願2007-298752 特許第5394632号 単結晶SiC基板の製造方法 2011/03/14 2018/02/08 大阪府立大学
34 特願2008-222095 特許第5344676号 発光素子用基板および発光素子 2010/05/21 2018/01/30 金沢工業大学
35 特願2007-219890 特許第4538476号 半導体構造の形成方法 実績あり 2009/03/13 2018/02/07 埼玉大学
36 特願2007-086470 特許第5277430号 酸化亜鉛系発光素子 2008/11/07 2018/02/08 島根大学
37 特願2005-178650 特許第4491610号 半導体機能素子 コモンズ 2008/10/31 2018/02/27 千葉大学
38 特願2006-131763 特許第4392505号 多孔質シリコン膜の製造方法 新技術説明会 2007/12/28 2018/02/21 群馬大学
39 特願2002-198875 特許第3605643号 酸化亜鉛系薄膜の成長方法 2007/08/08 2018/03/19 島根大学
40 特願2005-247902 特許第5034035号 半導体発光素子の製造方法 コモンズ 新技術説明会 2007/04/02 2018/02/27 静岡大学
41 特願2004-244210 特許第4500963号 量子半導体装置およびその製造方法 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
42 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
43 特願2004-331166 特許第4257431号 多孔質半導体膜の形成方法 新技術説明会 2006/11/02 2018/03/13 群馬大学
44 特願2004-309992 特許第4631047号 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 2006/05/12 2018/03/07 広島大学
45 特願2004-207620 特許第4517144号 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法 2006/03/03 2018/03/07 広島大学
46 特願2004-141177 特許第4810650号 カーボンナノチューブFET コモンズ 2006/02/16 2018/03/13 名古屋大学
47 特願2003-298003 特許第4341013号 遠赤外発光素子 コモンズ 2005/04/08 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
48 特願2000-131570 特許第3451314号 高品質結晶成長方法 コモンズ 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
49 特願2000-225122 特許第3538634号 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子 コモンズ 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
50 特願2001-054382 特許第3969959号 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

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