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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 212件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
201 特願2001-080050 特許第3607947号 電子放出材料 新技術説明会 2005/04/08 2018/03/20 長岡技術科学大学
202 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
203 特願2003-019914 特許第3639579号 鋼材の電気化学的表面窒化処理法 新技術説明会 2004/09/24 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
204 特願2002-201897 特許第3926690号 ガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法 実績あり 2004/04/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
205 特願2001-066099 特許第4645784号 軟磁性薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド 新技術説明会 2004/04/06 2018/03/20 早稲田大学
206 特願2000-272664 特許第4811543号 微細パターンの作製方法 新技術説明会 2004/03/25 2011/11/14 早稲田大学
207 特願2002-197947 特許第3787719号 3元系相図薄膜の作製方法及びそれに用いるコンビナトリアル成膜装置用マスキング機構 2004/02/24 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
208 特願2000-264418 特許第3610372号 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 新技術説明会 2003/12/22 2013/04/22 物質・材料研究機構
209 特願2002-061361 特許第3837496号 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置 2003/12/22 2018/03/20 長岡技術科学大学
210 特願2000-352766 特許第3418731号 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜 2003/11/18 2012/04/06 埼玉大学
211 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
212 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学

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