TOP > 国内特許検索

国内特許検索

表示件数 詳細検索
特許の状態
データ提供機関
出願人
IPC
Fターム
マークによる絞込み
データ選択
カレンダー表示 カレンダー表示
番号選択
表示オプション 表示順

リセット


※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 1419件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1401 特願2000-227023 特許第3579332号 表面に保護膜を有する配線構造の損傷予測方法および装置 コモンズ 新技術説明会 2003/08/28 2015/08/28 科学技術振興機構(JST)
1402 特願2000-042970 特許第3271009号 不斉分子磁石およびその製造方法 2003/08/28 2012/04/04 科学技術振興機構(JST)
1403 特願2000-242002 特許第3413491号 質量分析用インターフェイス、質量分析計、及び質量分析方法 2003/08/28 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1404 特願2001-091521 特許第3862964号 2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 コモンズ 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1405 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
1406 特願2001-156689 特許第3607218号 球状単結晶シリコンの製造方法 2003/08/28 2018/03/20 JAXA
1407 特願2001-346909 特許第3834616号 スピンフィルタ 2003/08/28 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
1408 特願2001-012644 特許第3584281号 周波数逓倍方法及び周波数逓倍器 2003/08/28 2018/03/20 北海道大学
1409 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学
1410 特願2001-248433 特許第4132750号 フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1411 特願2001-321251 特許第3560580号 12CaO・7Al2O3化合物とその作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
1412 特願2000-107000 特許第3629529号 硫化物スピネル系超伝導物質 2003/05/27 2013/04/22 物質・材料研究機構
1413 特願2000-167971 特許第3516060号 Nb3(Al,Ge)またはNb3(Al,Si)極細多芯超伝導線の製造方法 2003/05/27 2012/04/06 物質・材料研究機構
1414 特願平11-354906 特許第3577506号 Cu添加Nb3Al極細多芯超伝導線材とその製造方法 2003/05/27 2018/03/23 物質・材料研究機構
1415 特願2000-007850 特許第4476404号 薄状部材のハンドリング方法およびその装置 コモンズ 実績あり 2003/05/27 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
1416 特願2000-060138 特許第3430253号 磁石配置方法及び磁気誘導方法 コモンズ 2003/05/27 2017/05/12 科学技術振興機構(JST)
1417 特願2000-068766 特許第3383839号 新規なメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体及びこれを繰り返し単位として有する重合体並びにこれらの製造方法 コモンズ 新技術説明会 2003/05/27 2012/04/05 奈良先端科学技術大学院大学
1418 特願2000-172876 特許第3378912号 半導体混晶膜の形成方法 コモンズ 2003/05/27 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1419 特願2000-133700 特許第3757263号 電子スピン分析器 2003/05/27 2013/04/22 北海道大学

(15/15ページ)

PAGE TOP