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該当件数 1441件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1401 特願2000-272664 特許第4811543号 微細パターンの作製方法 新技術説明会 2004/03/25 2011/11/14 早稲田大学
1402 特願2000-082580 特許第3449546号 半導体レーザ及びその製造方法 新技術説明会 2004/02/24 2012/04/04 科学技術振興機構(JST)
1403 特願2000-198829 特許第3455500号 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 新技術説明会 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1404 特願2000-181229 特許第3430206号 半導体素子の製造方法及び半導体素子 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1405 特願2002-131574 特許第3706909号 超伝導体の均流化回路 2004/01/23 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
1406 特願2002-131833 特許第3472838号 波長選択性太陽光吸収材料及びその製造方法 コモンズ 新技術説明会 2004/01/23 2012/04/11 科学技術振興機構(JST)
1407 特願2002-197744 特許第4083486号 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 2004/01/23 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1408 特願2000-264418 特許第3610372号 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 新技術説明会 2003/12/22 2013/04/22 物質・材料研究機構
1409 特願2000-006054 特許第3443638号 酸化物イオン伝導体用ビスマス・タングステン・コバルト酸化物系およびビスマス・タングステン・ニオブ酸化物系の固溶体およびその製造法 2003/12/22 2018/07/19 物質・材料研究機構
1410 特願2000-352766 特許第3418731号 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜 2003/11/18 2012/04/06 埼玉大学
1411 特願2000-191994 特許第3354551号 ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器 コモンズ 2003/11/18 2015/08/28 科学技術振興機構(JST)
1412 特願2001-088314 特許第3390756号 電界効果トランジスタ コモンズ 2003/11/18 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1413 特願2001-150456 特許第3482469号 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 2003/10/01 2018/03/20 北海道大学
1414 特願2000-293576 特許第3948898号 高飽和磁化および良好な軟磁気特性を有するFe基非晶質合金 コモンズ 2003/10/01 2015/10/09 科学技術振興機構(JST)
1415 特願2002-045302 特許第4105447号 12SrO・7Al2O3化合物とその合成方法 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1416 特願2001-049524 特許第3531868号 活性酸素種を包接する12CaO・7Al2O3化合物およびその製造方法 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1417 特願2001-054382 特許第3969959号 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1418 特願2001-354440 特許第3616780号 コールドスプレー質量分析装置 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1419 特願2000-227023 特許第3579332号 表面に保護膜を有する配線構造の損傷予測方法および装置 コモンズ 新技術説明会 2003/08/28 2015/08/28 科学技術振興機構(JST)
1420 特願2000-042970 特許第3271009号 不斉分子磁石およびその製造方法 2003/08/28 2012/04/04 科学技術振興機構(JST)
1421 特願2000-242002 特許第3413491号 質量分析用インターフェイス、質量分析計、及び質量分析方法 2003/08/28 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1422 特願2000-024843 特許第3398638号 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 新技術説明会 2003/08/28 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
1423 特願2001-091521 特許第3862964号 2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 コモンズ 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1424 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
1425 特願2001-156689 特許第3607218号 球状単結晶シリコンの製造方法 2003/08/28 2018/03/20 JAXA
1426 特願2001-182643 特許第4083396号 紫外透明導電膜とその製造方法 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1427 特願2001-346909 特許第3834616号 スピンフィルタ 2003/08/28 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
1428 特願2001-012644 特許第3584281号 周波数逓倍方法及び周波数逓倍器 2003/08/28 2018/03/20 北海道大学
1429 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学
1430 特願平11-139890 特許第3057229号 電磁波増幅器および電磁波発生器 コモンズ 新技術説明会 2003/08/28 2018/03/20 金沢大学
1431 特願2001-248433 特許第4132750号 フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1432 特願2001-321251 特許第3560580号 12CaO・7Al2O3化合物とその作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
1433 特願2000-107000 特許第3629529号 硫化物スピネル系超伝導物質 2003/05/27 2013/04/22 物質・材料研究機構
1434 特願2000-167971 特許第3516060号 Nb3(Al,Ge)またはNb3(Al,Si)極細多芯超伝導線の製造方法 2003/05/27 2012/04/06 物質・材料研究機構
1435 特願平11-354906 特許第3577506号 Cu添加Nb3Al極細多芯超伝導線材とその製造方法 2003/05/27 2018/03/23 物質・材料研究機構
1436 特願平11-333897 特許第3865982号 時分割波長多重パルス光発生装置 コモンズ 2003/05/27 2018/03/23 科学技術振興機構(JST)
1437 特願2000-007850 特許第4476404号 薄状部材のハンドリング方法およびその装置 コモンズ 実績あり 2003/05/27 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
1438 特願2000-060138 特許第3430253号 磁石配置方法及び磁気誘導方法 コモンズ 2003/05/27 2017/05/12 科学技術振興機構(JST)
1439 特願2000-068766 特許第3383839号 新規なメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体及びこれを繰り返し単位として有する重合体並びにこれらの製造方法 コモンズ 新技術説明会 2003/05/27 2012/04/05 奈良先端科学技術大学院大学
1440 特願2000-172876 特許第3378912号 半導体混晶膜の形成方法 コモンズ 2003/05/27 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1441 特願2000-133700 特許第3757263号 電子スピン分析器 2003/05/27 2013/04/22 北海道大学

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