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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 62件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
2 特願2007-062629 特許第4827061号 立方晶窒化ホウ素の製造方法 2011/11/28 2018/02/08 九州大学
3 特願2010-221791 特許第5594773号 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体 2012/04/23 2018/01/17 九州大学
4 特願2004-167883 特許第4500961号 薄膜形成方法 実績あり 2006/02/16 2018/03/13 九州工業大学
5 特願2006-083679 特許第4940425号 原料ガス噴出用ノズル及び化学的気相成膜装置 2009/05/08 2018/02/20 京都大学
6 特願2011-174128 特許第5895395号 プラズマを用いた微粒子配列装置及び微粒子配列方法 新技術説明会 2012/11/15 2018/01/11 京都工芸繊維大学
7 特願2015-221683 特開2017-088454 基体、発光素子および基体の製造方法 新技術説明会 2017/06/23 2017/08/22 京都工芸繊維大学
8 特願2001-058917 特許第5002864号 有機金属化合物を用いた酸化物光触媒材料およびその応用品 コモンズ 実績あり 2013/04/08 2018/02/21 八戸工業高等専門学校
9 特願2017-565507 WO2017135136 支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置 2019/01/24 2019/01/24 北海道大学
10 特願2004-239669 特許第4649605号 プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法 コモンズ 2006/09/15 2018/03/13 名古屋大学
11 特願2003-042270 特許第4009719号 ニッケルシリサイド膜の作製方法 コモンズ 2008/03/10 2018/03/14 名古屋大学
12 特願2010-083685 特許第5585983号 ダイヤモンドライクカーボン膜付基材の製造方法 コモンズ 2010/07/02 2018/01/19 名古屋大学
13 特願2008-525893 特許第4973887号 プラズマ処理装置 コモンズ 実績あり 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/02 名古屋大学
14 特願2013-156638 特許第6265328号 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 コモンズ 2013/08/13 2018/01/31 名古屋工業大学
15 特願2016-213949 特開2018-070422 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置 新技術説明会 2017/05/12 2018/08/27 和歌山大学
16 特願2004-146779 特許第4411433号 炭化シリコンの作製方法 コモンズ 2007/12/28 2018/03/07 埼玉大学
17 特願2006-133269 特許第4843768号 薄膜作製方法 新技術説明会 2007/12/28 2018/02/20 宮崎大学
18 特願2013-541636 特許第6083676号 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるn型半導体及びn型半導体素子の製造方法 新技術説明会 2015/06/17 2017/12/20 山口TLO
19 特願2006-002972 特許第4915009号 半導体部材の製造方法 実績あり 2016/06/29 2018/02/22 山口TLO
20 特願2007-078580 特許第5205613号 GaN層の選択成長方法 実績あり 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
21 特願2009-070630 特許第5196403号 サファイア基板の製造方法、および半導体装置 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口TLO
22 特願2015-026211 特許第6399600号 半導体基板の製造方法 2016/12/28 2018/10/31 山口TLO
23 特願2015-149146 特開2017-030984 半導体基板の製造方法 2017/07/19 2017/07/19 山口TLO
24 特願2016-183910 特開2018-048368 アモルファスカーボンの製造方法及びアモルファスカーボン 2017/10/30 2018/07/19 山口TLO
25 特願2006-514112 特許第4815603号 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置 新技術説明会 外国出願あり 2009/12/25 2018/02/21 山梨大学
26 特願2002-122237 特許第3714471号 医療用被覆部材 コモンズ 2005/01/18 2019/05/23 慶應義塾大学
27 特願2011-068129 特許第5892358号 定常プラズマ生成装置 2013/04/18 2018/01/11 日大NUBIC
28 特願2012-195690 特許第6031725号 合金薄膜生成装置 新技術説明会 2014/04/11 2019/02/22 日大NUBIC
29 特願2013-033096 特許第6099260号 透明導電体及び透明導電体の製造方法 2015/02/19 2017/12/18 早稲田大学
30 特願2010-199230 特許第5655199号 半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法 コモンズ 2013/08/13 2018/01/17 東京理科大学
31 特願2005-072030 特許第4710002号 膜の製造方法 2007/08/31 2018/02/27 東京農工大学
32 特願2014-097751 特許第6253150号 エピタキシャルウエハ及びその製造方法 2017/06/14 2018/01/22 東京農工大学
33 特願2014-233732 特許第6411869号 プラズマ反応装置 新技術説明会 2015/01/27 2018/11/20 東京電機大学
34 特願2013-033503 特許第6137668号 酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置 コモンズ 新技術説明会 2013/04/01 2017/12/20 熊本大学
35 特願2014-553237 特許第6371223号 g-C3N4フィルムの製造方法およびその利用 外国出願あり 2019/08/21 2019/10/02 理化学研究所
36 特願2011-141111 特許第6010809号 半導体装置の製造方法 コモンズ 新技術説明会 2013/04/10 2018/01/09 琉球大学
37 特願2017-502351 WO2016136669 マイクロ波プラズマ処理装置 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2018/08/07 2018/08/28 産総研
38 特願2017-548816 WO2017078082 窒素化合物の製造方法及び製造装置 コモンズ 外国出願あり 2018/09/18 2018/09/18 産総研
39 特願2015-197158 特開2017-066506 グラフェン膜の作製方法 コモンズ 新技術説明会 2018/09/18 2018/09/18 産総研
40 特願2001-182643 特許第4083396号 紫外透明導電膜とその製造方法 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
41 特願2002-084173 特許第3443646号 カーボンナノチューブの成長方法 コモンズ 2003/12/22 2012/04/10 科学技術振興機構(JST)
42 特願2000-205941 特許第3531865号 超平坦透明導電膜およびその製造方法 2011/06/08 2015/09/09 科学技術振興機構(JST)
43 特願2002-156564 特許第3951171号 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり 2011/06/10 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
44 特願2005-503668 特許第4214279号 4元組成比傾斜膜の作成方法及び2元組成比・膜厚傾斜膜の作成方法 コモンズ 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
45 特願2006-128789 特許第5122082号 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 実績あり 2011/06/28 2018/02/23 科学技術振興機構(JST)
46 特願2008-530223 特許第5270348号 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
47 特願2008-551465 特許第5896442号 III族窒化物膜の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
48 特願2009-298645 特許第4852140号 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 実績あり 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
49 特願2012-158240 特許第5645887号 半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 実績あり 2012/11/28 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
50 特願2010-138027 特許第5545567号 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 2011/04/12 2018/01/16 金沢大TLO
51 特願2015-102143 特許第6561402号 ダイヤモンドの製造方法 2015/08/20 2019/09/30 金沢大TLO
52 特願2011-159584 特許第5887742号 ダイヤモンド基板 2015/09/01 2018/01/12 金沢大TLO
53 特願2014-522433 特許第5959025号 プラズマ発生装置、および、プラズマ発生方法 コモンズ 2016/08/25 2017/12/20 金沢大TLO
54 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学
55 特願2002-061361 特許第3837496号 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置 2003/12/22 2018/03/20 長岡技術科学大学
56 特願2001-080050 特許第3607947号 電子放出材料 新技術説明会 2005/04/08 2018/03/20 長岡技術科学大学
57 特願2005-069186 特許第4182224号 硬質窒化炭素膜の形成方法 2006/09/29 2018/02/28 長岡技術科学大学
58 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
59 特願2003-064586 特許第3950967号 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 2008/12/19 2018/03/14 防衛省
60 特願2004-014439 特許第3947791号 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法 2008/12/19 2018/03/07 防衛省
61 特願2005-036870 特許第5002803号 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 新技術説明会 2007/02/16 2018/03/05 電気通信大学
62 特願2007-106493 特許第5240978号 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 新技術説明会 2010/05/28 2018/02/19 電気通信大学

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