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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 212件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
201 特願2005-503668 特許第4214279号 4元組成比傾斜膜の作成方法及び2元組成比・膜厚傾斜膜の作成方法 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
202 特願2014-521490 特許第6198276号 C12A7エレクトライドの薄膜の製造方法、およびC12A7エレクトライドの薄膜 2017/03/16 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
203 特願2005-024545 特許第4617460号 DNAを用いた透明電極の作製方法 2006/08/18 2018/03/05 北海道大学
204 特願2007-078580 特許第5205613号 GaN層の選択成長方法 実績あり 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
205 特願2003-154194 特許第4496361号 Ni基耐熱合金への耐熱セラミックス薄膜の被覆層の形成方法 2006/06/08 2018/03/15 原子力機構
206 特願2015-176398 特開2017-052984 Ni-Pめっき皮膜及びスケール又は固着動物の付着を抑制する方法 2017/03/29 2020/01/08 東京海洋大学
207 特願2016-086074 特開2017-193770 Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 新技術説明会 2017/11/21 2019/12/26 茨城大学
208 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
209 特願2015-156859 特許第6558769号 Sn系金属を保持する銅三次元ナノ構造体の製造方法 2016/03/15 2019/08/23 信州大学
210 特願2005-217051 特許第4982840号 TiN系硬質被膜、及びそれを含む表面硬化材 2011/08/18 2018/02/28 横浜国立大学
211 特願2008-072573 特許第5388266号 ZnO系ターゲット及びその製造方法並び導電性薄膜の製造方法及び導電性薄膜 2011/07/07 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
212 特願2014-553237 特許第6371223号 g-C3N4フィルムの製造方法およびその利用 外国出願あり 2019/08/21 2019/10/02 理化学研究所

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