国内特許検索
該当件数 1286件
No. | 出願番号 ▲▼ |
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発明の名称 ▲▼ |
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データ提供機関 ▲▼ |
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1101 | 特願2017-207544 | 特開2019-080006 |
レーザー増幅装置
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2018/04/24 | 2019/12/23 | 量子科学技術研究開発機構 |
1102 | 特願2018-155987 | 特開2020-029386 |
ダイヤモンド単結晶およびその製造方法
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2019/04/16 | 2020/07/01 | 量子科学技術研究開発機構 |
1103 | 特願2010-138027 | 特許第5545567号 | 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 | 2011/04/12 | 2018/01/16 | 金沢大TLO |
1104 | 特願2012-286076 | 特許第6086363号 |
液中プラズマ処理装置および液中プラズマ処理方法
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2013/10/02 | 2017/12/25 | 金沢大TLO |
1105 | 特願2014-105646 | 特許第6356486号 | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法 | 2014/11/19 | 2018/07/19 | 金沢大TLO |
1106 | 特願2015-138068 | 特許第6534036号 |
水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
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2015/08/20 | 2019/07/22 | 金沢大TLO |
1107 | 特願2015-110392 | 特許第6501303号 |
微粒子化ペロブスカイト膜及びそれを用いた機能性素子
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2015/08/20 | 2019/05/23 | 金沢大TLO |
1108 | 特願2013-257402 | 特許第6341477号 | ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 | 2015/09/01 | 2018/06/20 | 金沢大TLO |
1109 | 特願2011-159584 | 特許第5887742号 | ダイヤモンド基板 | 2015/09/01 | 2018/01/12 | 金沢大TLO |
1110 | 特願2007-533330 | 特許第5028628号 |
半導体レーザの駆動システムおよび半導体レーザの駆動方法ならびに光ディスク装置およびそれに用いる帰還回路
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2015/09/01 | 2018/02/08 | 金沢大TLO |
1111 | 特願2017-052989 | 特開2018-157076 | MFS型の電界効果トランジスタ | 2017/07/12 | 2020/01/16 | 金沢大TLO |
1112 | 特願2004-294599 | 特許第4534055号 | イオン源 | 2008/01/18 | 2020/11/19 | 金沢工業大学 |
1113 | 特願2005-350575 | 特許第4599595号 | 透明導電膜の製造方法および製造装置 | 2008/01/18 | 2018/02/26 | 金沢工業大学 |
1114 | 特願2005-342793 | 特許第4848181号 | 正孔注入型EL装置 | 2009/10/23 | 2018/02/26 | 金沢工業大学 |
1115 | 特願2008-035297 | 特許第5363742号 | 酸化亜鉛系透明導電膜 | 2009/10/23 | 2018/01/30 | 金沢工業大学 |
1116 | 特願2008-222095 | 特許第5344676号 | 発光素子用基板および発光素子 | 2010/05/21 | 2018/01/30 | 金沢工業大学 |
1117 | 特願2006-223724 | 特許第5051506号 | 平面型SQUIDセンサ | 2012/07/17 | 2018/02/15 | 金沢工業大学 |
1118 | 特願2013-181145 | 特許第5613805号 |
酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器
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2017/08/02 | 2017/12/14 | 金沢工業大学 |
1119 | 特願2014-038691 | 特許第6276610号 |
光電変換素子の製造方法およびp型半導体層の製造方法
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2017/08/02 | 2018/02/15 | 金沢工業大学 |
1120 | 特願2005-005453 | 特許第4558517号 | 超電導コイル | 2007/10/26 | 2016/06/09 | 鉄道総合技術研究所 |
1121 | 特願2005-007008 | 特許第4774494号 | 超電導コイル | 2007/10/26 | 2018/03/02 | 鉄道総合技術研究所 |
1122 | 特願2005-334988 | 特許第4777749号 | 低交流損失酸化物超電導導体の製造方法 | 2007/10/26 | 2018/03/02 | 鉄道総合技術研究所 |
1123 | 特願2006-004648 | 特許第4772510号 | 重量物の支持が可能な超電導磁石装置 | 2007/10/26 | 2018/02/21 | 鉄道総合技術研究所 |
1124 | 特願2006-074453 | 特許第4813221号 | 低熱侵入電流リード装置 | 2007/10/26 | 2018/02/21 | 鉄道総合技術研究所 |
1125 | 特願2004-046987 | 特許第4342341号 | 導電構造 | 2007/10/26 | 2015/10/09 | 鉄道総合技術研究所 |
1126 | 特願2004-266418 | 特許第4708748号 | 低熱膨張線状体の製造方法 | 2007/11/02 | 2018/03/13 | 鉄道総合技術研究所 |
1127 | 特願2004-299697 | 特許第4219880号 | 磁界発生装置冷却用移動機構付き冷凍装置 | 2007/11/02 | 2018/03/13 | 鉄道総合技術研究所 |
1128 | 特願2003-084193 | 特許第4116912号 | 電車線路の異常電圧防護装置 | 2007/11/02 | 2018/03/15 | 鉄道総合技術研究所 |
1129 | 特願2003-187414 | 特許第4373143号 | 接地ブラシ装置 | 2007/11/06 | 2013/04/26 | 鉄道総合技術研究所 |
1130 | 特願2002-106430 | 特許第4055457号 | 接地ブラシ装置 | 2007/11/16 | 2018/03/22 | 鉄道総合技術研究所 |
1131 | 特願2002-133610 | 特許第4275899号 |
燃料電池用セパレータの製造方法
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2007/11/16 | 2020/12/21 | 鉄道総合技術研究所 |
1132 | 特願2002-171336 | 特許第3858221号 | 高温超電導バルク材製超電導磁石及びその製造方法 | 2007/11/16 | 2018/03/22 | 鉄道総合技術研究所 |
1133 | 特願2001-145599 | 特許第4713012号 | テープ状酸化物超電導体 | 2007/11/22 | 2018/03/22 | 鉄道総合技術研究所 |
1134 | 特願2001-309515 | 特許第3993407号 |
超電導機器用電流リ-ド
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2007/11/22 | 2020/12/21 | 鉄道総合技術研究所 |
1135 | 特願2007-126545 | 特許第4790661号 | 磁気浮上式鉄道車両用超電導磁石 | 2011/12/20 | 2018/02/19 | 鉄道総合技術研究所 |
1136 | 特願2007-126543 | 特許第4790660号 |
磁気浮上式鉄道車両用超電導磁石の運用システム
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2011/12/20 | 2018/02/19 | 鉄道総合技術研究所 |
1137 | 特願2008-035725 | 特許第5295585号 | 低熱膨張線状体の製作方法 | 2011/12/20 | 2013/09/25 | 鉄道総合技術研究所 |
1138 | 特願2007-074408 | 特許第5073334号 | 推進浮上案内兼用地上コイルの配線方法 | 2011/12/20 | 2018/02/19 | 鉄道総合技術研究所 |
1139 | 特願2007-018876 | 特許第5105886号 | 鉄道車両の接地装置用通電回転装置 | 2011/12/21 | 2018/02/19 | 鉄道総合技術研究所 |
1140 | 特願2002-273126 | 特許第3780338号 |
レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法
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2004/06/04 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
1141 | 特願2001-080050 | 特許第3607947号 |
電子放出材料
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2005/04/08 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
1142 | 特願2003-128410 | 特許第3978493号 | 固体高分子電解質及びその製造方法 | 2005/04/08 | 2018/07/18 | 長岡技術科学大学 |
1143 | 特願2006-181027 | 特許第4923245号 |
流体による振動発電装置
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2008/01/25 | 2016/12/15 | 長岡技術科学大学 |
1144 | 特願2006-221561 | 特許第5034042号 |
リチウム二次電池正極材料及びその製造方法
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2008/03/10 | 2018/02/22 | 長岡技術科学大学 |
1145 | 特願2006-238022 | 特許第5119434号 |
磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法
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2008/03/28 | 2018/02/22 | 長岡技術科学大学 |
1146 | 特願2007-012113 | 特許第4257437号 | 薄膜電極の製造方法 | 2008/08/15 | 2018/02/16 | 長岡技術科学大学 |
1147 | 特願2004-260801 | 特許第4168149号 | 無接触搬送装置 | 2011/08/18 | 2018/03/13 | 長岡技術科学大学 |
1148 | 特願2013-179280 | 特許第6241782号 | 逆F平面アンテナ及びアンテナ装置 | 2014/03/07 | 2017/12/14 | 長崎大学 |
1149 | 特願2007-084831 | 特許第4359686号 | アバランシェフォトダイオード(APD)の増倍率検出回路 | 2011/11/15 | 2018/02/09 | 長野工業高等専門学校 |
1150 | 特願2007-084832 | 特許第4654446号 | アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法 | 2011/11/15 | 2018/02/09 | 長野工業高等専門学校 |
1151 | 特願2014-508238 | 特許第6080020号 |
伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置
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2016/01/20 | 2017/02/22 | 長野工業高等専門学校 |
1152 | 特願2008-071678 | 特許第5240826号 | 超磁歪薄膜素子及びその製造方法 | 2011/10/21 | 2013/07/24 | 長野県工業技術総合センター |
1153 | 特願2010-247557 | 特許第5696928号 |
非水系電解質、これを含む蓄電デバイスおよび非水系電解質の製造方法
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2012/07/26 | 2018/01/17 | 関西大学 |
1154 | 特願2009-030440 | 特許第5486821号 |
無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法
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2013/03/27 | 2018/01/23 | 関西大学 |
1155 | 特願2009-220867 | 特許第5377195号 | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 | 2013/03/27 | 2018/01/23 | 関西大学 |
1156 | 特願2010-051773 | 特許第5508905号 |
非水電解質及び該非水電解質を備えた電気化学デバイス
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2013/03/27 | 2018/01/17 | 関西大学 |
1157 | 特願2010-073042 | 特許第5545566号 |
正極材料の合成方法
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2013/03/27 | 2018/01/17 | 関西大学 |
1158 | 特願2011-070762 | 特許第5930260号 |
電気化学キャパシタ、及び電気化学キャパシタの製造方法
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2013/03/27 | 2018/01/10 | 関西大学 |
1159 | 特願2011-195478 | 特許第5994966号 |
非水系ゲル電解質およびその製造方法、並びにその利用
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2014/04/14 | 2018/01/10 | 関西大学 |
1160 | 特願2012-066103 | 特許第5930290号 |
リチウムイオン二次電池およびこれを含む電気機器
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2014/04/14 | 2017/12/26 | 関西大学 |
1161 | 特願2015-247449 | 特許第6702714号 | 半導体の抵抗異常検出装置 | 2016/07/14 | 2020/07/01 | 関西大学 |
1162 | 特願2014-195839 | 特許第6483386号 | 電極、および電気化学キャパシタ | 2016/08/04 | 2019/04/19 | 関西大学 |
1163 | 特願2016-505139 | 特許第6297135号 | 銅ナノ粒子及びその製造方法、銅ナノ粒子分散液、銅ナノインク、銅ナノ粒子の保存方法及び銅ナノ粒子の焼結方法 | 2017/05/09 | 2018/03/27 | 関西大学 |
1164 | 特願2016-552167 | 特許第6534143号 | バインダおよびその利用、並びに電極の製造方法 | 2017/08/16 | 2019/07/19 | 関西大学 |
1165 | 特願2018-566054 | WO2018142968 | 電解液、二次電池および電解液の製造方法 | 2020/01/15 | 2020/01/15 | 関西大学 |
1166 | 特願2019-512483 | WO2018190246 | 銅粒子混合物及びその製造方法、銅粒子混合物分散液、銅粒子混合物含有インク、銅粒子混合物の保存方法及び銅粒子混合物の焼結方法 | 2020/08/05 | 2020/08/05 | 関西大学 |
1167 | 特願2003-333266 | 特許第3741283号 |
熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法
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2007/07/19 | 2018/03/14 | 関西学院大学 |
1168 | 特願2005-162166 | 特許第5224256号 |
単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法
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2007/07/19 | 2018/02/26 | 関西学院大学 |
1169 | 特願2005-229385 | 特許第4418879号 |
熱処理装置及び熱処理方法
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2007/07/19 | 2018/02/26 | 関西学院大学 |
1170 | 特願2006-187415 | 特許第5152887号 |
単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板
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2008/03/28 | 2018/02/15 | 関西学院大学 |
1171 | 特願2006-212627 | 特許第5207427号 |
単結晶炭化ケイ素の液相生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の液相エピタキシャル生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の生成方法
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2008/03/28 | 2018/02/15 | 関西学院大学 |
1172 | 特願2001-238972 | 特許第4803513号 |
イオンビーム微細加工方法
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2008/06/13 | 2018/03/19 | 関西学院大学 |
1173 | 特願2003-059871 | 特許第4235709号 | 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 | 2008/06/13 | 2018/03/14 | 関西学院大学 |
1174 | 特願2007-077439 | 特許第5213096号 |
単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
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2008/11/21 | 2018/02/08 | 関西学院大学 |
1175 | 特願2003-502272 | 特許第4848495号 |
単結晶炭化ケイ素及びその製造方法
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2009/05/22 | 2018/03/14 | 関西学院大学 |
1176 | 特願2007-246322 | 特許第5152715号 | 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 | 2009/05/22 | 2018/02/08 | 関西学院大学 |
1177 | 特願2012-232319 | 特許第5494992号 | 三次元微細加工基板 | 2013/08/05 | 2017/12/25 | 関西学院大学 |
1178 | 特願2008-025483 | 特許第5360639号 | 表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法 | 2013/08/05 | 2018/01/30 | 関西学院大学 |
1179 | 特願2009-115912 | 特許第5464544号 | エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 | 2013/08/05 | 2018/01/22 | 関西学院大学 |
1180 | 特願2009-274910 | 特許第5540349号 | 半導体ウエハの製造方法 | 2013/08/05 | 2018/01/22 | 関西学院大学 |
1181 | 特願2010-164010 | 特許第5561676号 |
SiC半導体ウエーハ熱処理装置
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2013/08/05 | 2018/01/12 | 関西学院大学 |
1182 | 特願2013-097609 | 特許第5688780号 | SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 | 2014/05/08 | 2017/12/18 | 関西学院大学 |
1183 | 特願2013-125018 | 特許第6057292号 |
SiC半導体素子の製造方法
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2015/04/02 | 2017/12/18 | 関西学院大学 |
1184 | 特願2013-125020 | 特許第6080075号 |
SiC基板の表面処理方法
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2015/04/02 | 2017/12/18 | 関西学院大学 |
1185 | 特願2015-036074 | 特許第6525189号 | 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 | 2016/04/19 | 2020/11/19 | 関西学院大学 |
1186 | 特願2016-089094 | 特許第6664133号 |
傾斜支持台付き標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法
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2018/01/24 | 2020/11/19 | 関西学院大学 |
1187 | 特願2001-171225 | 特許第3476443号 | 熱型センサの製造方法 | 2005/12/02 | 2018/03/20 | 防衛省 |
1188 | 特願2002-286932 | 特許第3629544号 | レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法 | 2005/12/02 | 2018/03/20 | 防衛省 |
1189 | 特願2003-115859 | 特許第3769618号 | 真空吸着装置 | 2007/11/16 | 2018/03/14 | 防衛省 |
1190 | 特願2001-046866 | 特許第3820443号 | レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 | 2008/01/25 | 2018/03/20 | 防衛省 |
1191 | 特願2002-319384 | 特許第3862080号 | 熱型赤外線検出器の製造方法 | 2008/01/25 | 2018/03/20 | 防衛省 |
1192 | 特願2003-064304 | 特許第3826194号 | Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 | 2008/01/25 | 2018/03/14 | 防衛省 |
1193 | 特願2003-306706 | 特許第3817613号 | 真空吸着装置 | 2008/01/25 | 2018/03/14 | 防衛省 |
1194 | 特願2003-064586 | 特許第3950967号 | 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 | 2008/12/19 | 2018/03/14 | 防衛省 |
1195 | 特願2004-014439 | 特許第3947791号 | 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法 | 2008/12/19 | 2018/03/07 | 防衛省 |
1196 | 特願2004-184490 | 特許第4025877号 | 冷凍チャック装置 | 2008/12/19 | 2018/03/07 | 防衛省 |
1197 | 特願2005-269670 | 特許第3994170号 | 浮遊電極付コプレナー線路 | 2008/12/19 | 2018/10/30 | 防衛省 |
1198 | 特願2004-244210 | 特許第4500963号 | 量子半導体装置およびその製造方法 | 2007/02/16 | 2018/03/13 | 電気通信大学 |
1199 | 特願2004-262638 | 特許第4825965号 | 量子ドットの形成方法 | 2007/02/16 | 2018/03/13 | 電気通信大学 |
1200 | 特願2009-217816 | 特許第5549007号 |
マイクロ波高調波処理回路
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2011/04/12 | 2018/01/30 | 電気通信大学 |