TOP > 国内特許検索

国内特許検索

表示件数 詳細検索
特許の状態
データ提供機関
出願人
IPC
Fターム
マークによる絞込み
データ選択
カレンダー表示 カレンダー表示
番号選択
表示オプション 表示順

リセット


※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 1351件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1201 特願2001-080050 特許第3607947号 電子放出材料 新技術説明会 2005/04/08 2018/03/20 長岡技術科学大学
1202 特願2003-128410 特許第3978493号 固体高分子電解質及びその製造方法 2005/04/08 2018/07/18 長岡技術科学大学
1203 特願2006-181027 特許第4923245号 流体による振動発電装置 新技術説明会 2008/01/25 2016/12/15 長岡技術科学大学
1204 特願2006-221561 特許第5034042号 リチウム二次電池正極材料及びその製造方法 新技術説明会 2008/03/10 2018/02/22 長岡技術科学大学
1205 特願2006-238022 特許第5119434号 磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/22 長岡技術科学大学
1206 特願2007-012113 特許第4257437号 薄膜電極の製造方法 2008/08/15 2018/02/16 長岡技術科学大学
1207 特願2004-260801 特許第4168149号 無接触搬送装置 2011/08/18 2018/03/13 長岡技術科学大学
1208 特願2013-179280 特許第6241782号 逆F平面アンテナ及びアンテナ装置 2014/03/07 2017/12/14 長崎大学
1209 特願2007-084831 特許第4359686号 アバランシェフォトダイオード(APD)の増倍率検出回路 2011/11/15 2018/02/09 長野工業高等専門学校
1210 特願2007-084832 特許第4654446号 アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法 2011/11/15 2018/02/09 長野工業高等専門学校
1211 特願2014-508238 特許第6080020号 伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置 新技術説明会 2016/01/20 2017/02/22 長野工業高等専門学校
1212 特願2008-071678 特許第5240826号 超磁歪薄膜素子及びその製造方法 2011/10/21 2013/07/24 長野県工業技術総合センター
1213 特願2010-247557 特許第5696928号 非水系電解質、これを含む蓄電デバイスおよび非水系電解質の製造方法 新技術説明会 2012/07/26 2018/01/17 関西大学
1214 特願2009-030440 特許第5486821号 無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/23 関西大学
1215 特願2009-220867 特許第5377195号 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 2013/03/27 2018/01/23 関西大学
1216 特願2010-051773 特許第5508905号 非水電解質及び該非水電解質を備えた電気化学デバイス 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/17 関西大学
1217 特願2010-073042 特許第5545566号 正極材料の合成方法 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/17 関西大学
1218 特願2011-070762 特許第5930260号 電気化学キャパシタ、及び電気化学キャパシタの製造方法 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/10 関西大学
1219 特願2011-195478 特許第5994966号 非水系ゲル電解質およびその製造方法、並びにその利用 新技術説明会 2014/04/14 2018/01/10 関西大学
1220 特願2012-066103 特許第5930290号 リチウムイオン二次電池およびこれを含む電気機器 新技術説明会 2014/04/14 2017/12/26 関西大学
1221 特願2015-247449 特許第6702714号 半導体の抵抗異常検出装置 2016/07/14 2020/07/01 関西大学
1222 特願2014-195839 特許第6483386号 電極、および電気化学キャパシタ 2016/08/04 2019/04/19 関西大学
1223 特願2016-505139 特許第6297135号 銅ナノ粒子及びその製造方法、銅ナノ粒子分散液、銅ナノインク、銅ナノ粒子の保存方法及び銅ナノ粒子の焼結方法 2017/05/09 2018/03/27 関西大学
1224 特願2016-552167 特許第6534143号 バインダおよびその利用、並びに電極の製造方法 2017/08/16 2019/07/19 関西大学
1225 特願2018-566054 WO2018142968 電解液、二次電池および電解液の製造方法 2020/01/15 2020/01/15 関西大学
1226 特願2019-512483 WO2018190246 銅粒子混合物及びその製造方法、銅粒子混合物分散液、銅粒子混合物含有インク、銅粒子混合物の保存方法及び銅粒子混合物の焼結方法 NEW 2020/08/05 2020/08/05 関西大学
1227 特願2003-333266 特許第3741283号 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 実績あり 2007/07/19 2018/03/14 関西学院大学
1228 特願2005-162166 特許第5224256号 単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 実績あり 2007/07/19 2018/02/26 関西学院大学
1229 特願2005-229385 特許第4418879号 熱処理装置及び熱処理方法 実績あり 2007/07/19 2018/02/26 関西学院大学
1230 特願2006-187415 特許第5152887号 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 実績あり 2008/03/28 2018/02/15 関西学院大学
1231 特願2006-212627 特許第5207427号 単結晶炭化ケイ素の液相生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の液相エピタキシャル生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の生成方法 実績あり 2008/03/28 2018/02/15 関西学院大学
1232 特願2001-238972 特許第4803513号 イオンビーム微細加工方法 外国出願あり 2008/06/13 2018/03/19 関西学院大学
1233 特願2001-377075 特許第4042893号 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法 実績あり 2008/06/13 2019/04/19 関西学院大学
1234 特願2001-377084 特許第4052430号 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 実績あり 2008/06/13 2018/03/19 関西学院大学
1235 特願2003-059871 特許第4235709号 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 2008/06/13 2018/03/14 関西学院大学
1236 特願2007-077439 特許第5213096号 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 実績あり 2008/11/21 2018/02/08 関西学院大学
1237 特願2003-502272 特許第4848495号 単結晶炭化ケイ素及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2009/05/22 2018/03/14 関西学院大学
1238 特願2007-246322 特許第5152715号 三次元微細加工方法及び三次元微細構造 2009/05/22 2018/02/08 関西学院大学
1239 特願2012-232319 特許第5494992号 三次元微細加工基板 2013/08/05 2017/12/25 関西学院大学
1240 特願2008-025483 特許第5360639号 表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法 2013/08/05 2018/01/30 関西学院大学
1241 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
1242 特願2009-274910 特許第5540349号 半導体ウエハの製造方法 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
1243 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
1244 特願2013-097609 特許第5688780号 SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2014/05/08 2017/12/18 関西学院大学
1245 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1246 特願2013-125020 特許第6080075号 SiC基板の表面処理方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1247 特願2015-036074 特許第6525189号 走査型電子顕微鏡用標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法。 2016/04/19 2019/06/20 関西学院大学
1248 特願2016-089094 特許第6664133号 傾斜支持台付き標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法 外国出願あり 2018/01/24 2020/03/18 関西学院大学
1249 特願2000-210277 特許第3404717号 空間給電フェーズドアレイアンテナ装置 2005/12/02 2015/12/07 防衛省
1250 特願2001-171225 特許第3476443号 熱型センサの製造方法 2005/12/02 2018/03/20 防衛省
1251 特願2002-286932 特許第3629544号 レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法 2005/12/02 2018/03/20 防衛省
1252 特願2003-115859 特許第3769618号 真空吸着装置 2007/11/16 2018/03/14 防衛省
1253 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
1254 特願2002-319384 特許第3862080号 熱型赤外線検出器の製造方法 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
1255 特願2003-064304 特許第3826194号 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 2008/01/25 2018/03/14 防衛省
1256 特願2003-306706 特許第3817613号 真空吸着装置 2008/01/25 2018/03/14 防衛省
1257 特願2003-064586 特許第3950967号 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 2008/12/19 2018/03/14 防衛省
1258 特願2004-014439 特許第3947791号 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法 2008/12/19 2018/03/07 防衛省
1259 特願2004-184490 特許第4025877号 冷凍チャック装置 2008/12/19 2018/03/07 防衛省
1260 特願2005-269670 特許第3994170号 浮遊電極付コプレナー線路 2008/12/19 2018/10/30 防衛省
1261 特願2004-244210 特許第4500963号 量子半導体装置およびその製造方法 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
1262 特願2004-262638 特許第4825965号 量子ドットの形成方法 2007/02/16 2018/03/13 電気通信大学
1263 特願2009-217816 特許第5549007号 マイクロ波高調波処理回路 外国出願あり 2011/04/12 2018/01/30 電気通信大学
1264 特願2008-076556 特許第5099696号 広帯域離散スペクトル発生装置、及び、その周波数制御方法 新技術説明会 2011/04/26 2018/02/05 電気通信大学
1265 特願2008-076557 特許第5170748号 離散スペクトルのスペクトル位相計測装置、及び、離散スペクトルのスペクトル位相計測方法 新技術説明会 2011/04/26 2018/02/05 電気通信大学
1266 特願2009-012229 特許第5354653号 スペクトル位相補償方法及びスペクトル位相補償装置 2011/04/26 2018/01/30 電気通信大学
1267 特願2003-115352 特許第3972099号 電流ミラー効果が生じる単電子デバイス 2011/08/18 2013/04/25 電気通信大学
1268 特願2005-001449 特許第4501001号 携帯端末 2011/08/18 2018/03/05 電気通信大学
1269 特願2007-534368 特許第4734659号 分波回路及びその設計方法 新技術説明会 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/19 電気通信大学
1270 特願2011-222918 特許第5920868号 伝送線路共振器、帯域通過フィルタ及び分波器 外国出願あり 2012/04/06 2018/01/16 電気通信大学
1271 特願2012-554868 特許第5936133号 伝送線路共振器並びに伝送線路共振器を用いた帯域通過フィルタ、分波器、平衡-不平衡変換器、電力分配器、不平衡-平衡変換器、周波数混合器及びバランス型フィルタ 2015/01/28 2018/01/16 電気通信大学
1272 特願2012-272083 特許第6099126号 蛍光体、その製造方法及び発光装置 2015/02/20 2018/01/16 電気通信大学
1273 特願2016-518246 特許第6628287号 レーザー装置 2017/05/09 2020/01/28 電気通信大学
1274 特願2016-105497 特開2017-211873 共振器、ノッチフィルタ、及びRFIDタグ 2018/01/24 2020/01/08 電気通信大学
1275 特願2018-051284 特開2019-016772 量子ドット、これを用いた光デバイス、及び量子ドットの作製方法 2019/02/25 2020/01/08 電気通信大学
1276 特願2018-007666 特開2019-128157 分光用デバイス、分光器、及び分光測定方法 2019/08/27 2020/01/08 電気通信大学
1277 特願2018-158123 特開2020-036067 ループアンテナの給電装置 UPDATE 2020/03/24 2020/07/20 電気通信大学
1278 特願2000-225122 特許第3538634号 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
1279 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
1280 特願2002-171339 特許第3772206号 マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
1281 特願2002-181340 特許第3653547号 大面積負イオン源 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
1282 特願2003-295027 特許第4288346号 撮像装置及び画素回路 2005/10/20 2018/03/15 静岡大学
1283 特願2003-347150 特許第3882047号 マグネシウムシリサイドの合成方法 2005/10/20 2018/03/15 静岡大学
1284 特願2003-418086 特許第4200213号 広域エネルギーレンジ放射線検出器 外国出願あり 2006/06/02 2018/03/15 静岡大学
1285 特願2005-247902 特許第5034035号 半導体発光素子の製造方法 新技術説明会 2007/04/02 2018/02/27 静岡大学
1286 特願2003-132945 特許第4235729号 距離画像センサ 2007/05/25 2018/03/15 静岡大学
1287 特願2003-295293 特許第3950969号 分子ワイヤの製造方法および分子ワイヤ 2007/05/25 2018/03/15 静岡大学
1288 特願2004-041057 特許第4280822号 光飛行時間型距離センサ 2007/05/25 2018/03/09 静岡大学
1289 特願2004-108817 特許第4238322号 オフセット低減機能をもつTOF距離センサ 2007/05/25 2018/03/09 静岡大学
1290 特願2004-109589 特許第4243688号 増幅型固体撮像装置 2007/05/25 2018/03/09 静岡大学
1291 特願2004-201658 特許第4366501号 ディジタルノイズキャンセル機能をもつイメージセンサ 2007/05/25 2018/03/09 静岡大学
1292 特願2004-303983 特許第4613305号 埋め込みフォトダイオード構造による撮像装置 2007/05/25 2018/03/09 静岡大学
1293 特願2005-042840 特許第4625950号 活性炭、その製造方法、及び電気二重層キャパシタ用分極性電極 2007/05/25 2018/02/27 静岡大学
1294 特願2005-104679 特許第4752050号 窒化物半導体電子放出素子 2007/05/25 2018/02/27 静岡大学
1295 特願2005-305832 特許第4714868号 放電灯装置 新技術説明会 2008/06/13 2018/02/27 静岡大学
1296 特願2005-364018 特許第4876242号 結晶成長方法及び結晶成長装置 新技術説明会 2008/06/13 2018/02/27 静岡大学
1297 特願2006-035343 特許第4604198号 適応指向性受信装置、自動車用アンテナ及び自動車 新技術説明会 2008/06/13 2018/02/21 静岡大学
1298 特願2006-073455 特許第4370407号 イメージセンサ 2008/06/13 2018/02/21 静岡大学
1299 特願2008-196616 特許第5585903号 距離画像センサ、及び撮像信号を飛行時間法により生成する方法 2010/02/19 2018/02/02 静岡大学
1300 特願2008-198872 特許第5283216号 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置 2010/02/26 2018/11/20 静岡大学

(13/14ページ)

PAGE TOP