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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 1356件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1301 特願2007-507080 特許第5087772号 3次元フォトニック結晶 2010/11/25 2018/02/19 京都大学
1302 特願2011-518490 特許第5581526号 3次元メタマテリアル 2014/02/25 2018/01/11 京都工芸繊維大学
1303 特願2007-080445 特許第4644824号 3次元左手系メタマテリアル 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
1304 特願2007-088679 特許第5017654号 3次元左手系メタマテリアル 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
1305 特願2009-148621 特許第5327677号 BaTi2O5系強誘電性セラミックス製造方法 2011/02/09 2018/01/29 島根大学
1306 特願2013-128379 特許第6210587号 BiS2系超伝導体 新技術説明会 2015/06/26 2017/12/18 首都大学東京
1307 特願2008-208753 特許第5106313号 C12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法 2011/07/08 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
1308 特願2014-521490 特許第6198276号 C12A7エレクトライドの薄膜の製造方法、およびC12A7エレクトライドの薄膜 2017/03/16 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
1309 特願2014-534307 特許第5942233号 CO選択メタン化触媒 2016/11/04 2017/12/20 山梨大学
1310 特願2005-265909 特許第4694325号 Co-Fe系軟磁性金属ガラス合金 2007/04/13 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
1311 特願2010-172099 特許第5585913号 Cuを含有する二次電池用正極材料の製造方法、二次電池用正極材料の製造方法および二次電池用正極材料 新技術説明会 2013/03/27 2018/01/17 関西大学
1312 特願2005-024545 特許第4617460号 DNAを用いた透明電極の作製方法 2006/08/18 2018/03/05 北海道大学
1313 特願2003-209153 特許第3983207号 Fe基軟磁性バルク非晶質・ナノ結晶二相合金の製造方法 2005/04/15 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1314 特願2012-232906 特許第6103749号 FeCo系磁歪合金及びその製造方法 2014/08/26 2017/12/26 弘前大学
1315 特願2014-521245 特許第6296243号 FePt系合金における強磁性-常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 2016/03/03 2018/03/28 秋田大学
1316 特願2010-075467 特許第5660528号 GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 新技術説明会 2010/06/11 2018/01/18 茨城大学
1317 特願2007-078580 特許第5205613号 GaN層の選択成長方法 実績あり 2016/07/08 2018/02/09 山口TLO
1318 特願2015-544804 特許第6095083号 III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 2017/04/07 2017/12/20 北海道大学
1319 特願2015-033515 特許第6465397号 IV族クラスレートの製造方法 新技術説明会 2015/03/05 2019/02/22 岐阜大学
1320 特願2015-533999 特許第6212124号 InGaAlN系半導体素子 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
1321 特願2007-122088 特許第5526422号 KFを含有するチタン酸バリウム系結晶の圧電体 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/08 島根大学
1322 特願2015-020892 特許第6580333号 LSIチップ及びネットワークシステム 2016/07/25 2019/10/21 奈良女子大学
1323 特願2014-246176 特許第6462343号 Li含有複合酸化物の製造方法 2015/03/24 2019/02/22 信州大学
1324 特願2017-052989 特開2018-157076 MFS型の電界効果トランジスタ 2017/07/12 2020/01/16 金沢大TLO
1325 特願2011-065061 特許第5854377号 MOSトランジスタ集積回路およびMOSトランジスタ劣化度合模擬算出システム 2012/11/01 2018/01/11 首都大学東京
1326 特願2004-207620 特許第4517144号 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法 2006/03/03 2018/03/07 広島大学
1327 特願2017-097383 特開2018-193271 MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体 新技術説明会 2017/06/09 2020/01/15 東京農工大学
1328 特願2016-041157 特開2017-157738 Mn-Al永久磁石の製造方法及びMn-Al永久磁石 2017/10/04 2020/01/20 鹿児島大学
1329 特願2018-034070 特開2019-147994 Mn-Al-C系磁石の製造方法及びMn-Al-C系磁性焼結体 2018/10/09 2020/01/27 鹿児島大学
1330 特願2000-167971 特許第3516060号 Nb3(Al,Ge)またはNb3(Al,Si)極細多芯超伝導線の製造方法 2003/05/27 2012/04/06 物質・材料研究機構
1331 特願2006-152136 特許第4815596号 Nb3Sn超伝導線、その製造方法、及びNb3Sn超伝導線の製造に用いられる単芯複合線 2007/02/09 2018/02/21 徳島大学
1332 特願2015-207278 特開2017-079283 Qスイッチ固体レーザー装置 2017/06/14 2019/12/24 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
1333 特願2006-511292 特許第4698581号 R-Fe-B系薄膜磁石及びその製造方法 2011/07/01 2018/04/18 科学技術振興機構(JST)
1334 特願2014-092661 特許第6359328号 RE123結晶膜作成方法。 新技術説明会 2016/01/27 2018/08/27 島根大学
1335 特願2016-086074 特開2017-193770 Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 新技術説明会 2017/11/21 2019/12/26 茨城大学
1336 特願2003-198490 特許第4054873号 Si系結晶の製造方法 新技術説明会 2008/06/06 2018/03/14 東北大学
1337 特願2003-064304 特許第3826194号 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 2008/01/25 2018/03/14 防衛省
1338 特願2013-531444 特許第6028235号 Si/C複合材料及びその製造方法並びに電極 2015/10/21 2017/12/19 東北大学
1339 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
1340 特願2011-545956 特許第5610492号 SiC半導体素子およびその作製方法 新技術説明会 2013/07/12 2018/01/11 奈良先端科学技術大学院大学
1341 特願2012-530519 特許第5761533号 SiC半導体素子 2013/11/26 2015/09/09 奈良先端科学技術大学院大学
1342 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1343 特願2013-097609 特許第5688780号 SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2014/05/08 2017/12/18 関西学院大学
1344 特願2013-125020 特許第6080075号 SiC基板の表面処理方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1345 特願2016-106386 特開2017-212397 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ 2018/11/22 2020/01/21 京都大学
1346 特願2017-151599 特開2019-033114 SiO2含有被膜を備えたSi含有Fe基合金粉及びその製造方法 2017/12/25 2020/01/21 信州大学
1347 特願2015-156859 特許第6558769号 Sn系金属を保持する銅三次元ナノ構造体の製造方法 2016/03/15 2019/08/23 信州大学
1348 特願2008-072573 特許第5388266号 ZnO系ターゲット及びその製造方法並び導電性薄膜の製造方法及び導電性薄膜 2011/07/07 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
1349 特願2007-027887 特許第4528985号 ZnPd系微粒子およびその製造方法 2011/08/18 2018/02/16 筑波大学
1350 特願2012-052330 特許第5766637号 bcc型FeCo合金粒子及びその製造方法並びに磁石 2013/10/16 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
1351 特願2005-034476 特許第4891550号 n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 2011/06/21 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
1352 特願2009-276867 特許第5360587号 n型半導体薄膜、ホモpn接合素子及び薄膜太陽電池並びにn型半導体薄膜及びホモpn接合素子の製造方法 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
1353 特願2004-334447 特許第3997305号 npタンデム型色素増感太陽電池 2006/06/23 2018/03/07 信州大学
1354 特願2010-521665 特許第5168605号 pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 2012/01/10 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
1355 特願2002-274343 特許第3910512号 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1356 特願2003-082986 特許第3657591号 pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ 2004/12/07 2018/03/15 科学技術振興機構(JST)

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