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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 1444件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1401 特願2008-551465 特許第5896442号 III族窒化物膜の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
1402 特願2015-544804 特許第6095083号 III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 2017/04/07 2017/12/20 北海道大学
1403 特願2015-033515 特許第6465397号 IV族クラスレートの製造方法 コモンズ 新技術説明会 2015/03/05 2019/02/22 岐阜大学
1404 特願2015-533999 特許第6212124号 InGaAlN系半導体素子 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構(JST)
1405 特願2007-122088 特許第5526422号 KFを含有するチタン酸バリウム系結晶の圧電体 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/08 島根大学
1406 特願2015-020892 特開2015-165656 LSIチップ及びネットワークシステム コモンズ 2016/07/25 2016/07/25 奈良女子大学
1407 特願2014-246176 特許第6462343号 Li含有複合酸化物の製造方法 コモンズ 2015/03/24 2019/02/22 信州大学
1408 特願2002-197744 特許第4083486号 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 2004/01/23 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1409 特願2017-052989 特開2018-157076 MFS型の電界効果トランジスタ 2017/07/12 2019/02/22 金沢大TLO
1410 特願2011-065061 特許第5854377号 MOSトランジスタ集積回路およびMOSトランジスタ劣化度合模擬算出システム 2012/11/01 2018/01/11 首都大学東京
1411 特願2004-207620 特許第4517144号 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法 2006/03/03 2018/03/07 広島大学
1412 特願2017-097383 特開2018-193271 MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体 新技術説明会 2017/06/09 2019/04/23 東京農工大学
1413 特願2016-041157 特開2017-157738 Mn-Al永久磁石の製造方法及びMn-Al永久磁石 2017/10/04 2018/01/05 鹿児島大学
1414 特願2000-167971 特許第3516060号 Nb3(Al,Ge)またはNb3(Al,Si)極細多芯超伝導線の製造方法 2003/05/27 2012/04/06 物質・材料研究機構
1415 特願2006-152136 特許第4815596号 Nb3Sn超伝導線、その製造方法、及びNb3Sn超伝導線の製造に用いられる単芯複合線 2007/02/09 2018/02/21 徳島大学
1416 特願2015-099467 特開2016-219467 PTCサーミスタ部材およびPTCサーミスタ素子 コモンズ 2015/09/01 2017/03/28 名古屋大学
1417 特願2017-501931 WO2016136228 PTCサーミスタ部材およびPTCサーミスタ素子 コモンズ 2017/12/21 2017/12/21 名古屋大学
1418 特願2017-517617 WO2016181655 PTCサーミスタ素子 コモンズ 2018/05/23 2018/05/23 名古屋大学
1419 特願2015-207278 特開2017-079283 Qスイッチ固体レーザー装置 2017/06/14 2017/07/28 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
1420 特願2006-511292 特許第4698581号 R-Fe-B系薄膜磁石及びその製造方法 2011/07/01 2018/04/18 科学技術振興機構(JST)
1421 特願2014-092661 特許第6359328号 RE123結晶膜作成方法。 新技術説明会 2016/01/27 2018/08/27 島根大学
1422 特願2016-086074 特開2017-193770 Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 新技術説明会 2017/11/21 2018/01/24 茨城大学
1423 特願2003-198490 特許第4054873号 Si系結晶の製造方法 新技術説明会 2008/06/06 2018/03/14 東北大学
1424 特願2003-064304 特許第3826194号 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 2008/01/25 2018/03/14 防衛省
1425 特願2013-531444 特許第6028235号 Si/C複合材料及びその製造方法並びに電極 2015/10/21 2017/12/19 東北大学
1426 特願2010-164010 特許第5561676号 SiC半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
1427 特願2011-545956 特許第5610492号 SiC半導体素子およびその作製方法 新技術説明会 2013/07/12 2018/01/11 奈良先端科学技術大学院大学
1428 特願2012-530519 特許第5761533号 SiC半導体素子 2013/11/26 2015/09/09 奈良先端科学技術大学院大学
1429 特願2013-125018 特許第6057292号 SiC半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1430 特願2016-134310 特開2018-006646 SiC半導体素子及びその製造方法 2018/11/22 2018/11/22 京都大学
1431 特願2013-097609 特許第5688780号 SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 2014/05/08 2017/12/18 関西学院大学
1432 特願2013-125020 特許第6080075号 SiC基板の表面処理方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
1433 特願2016-106386 特開2017-212397 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ 2018/11/22 2018/11/22 京都大学
1434 特願2017-151599 特開2019-033114 SiO2含有被膜を備えたSi含有Fe基合金粉及びその製造方法 コモンズ 2017/12/25 2019/06/21 信州大学
1435 特願2015-156859 特許第6558769号 Sn系金属を保持する銅三次元ナノ構造体の製造方法 UPDATE コモンズ 2016/03/15 2019/08/23 信州大学
1436 特願2008-072573 特許第5388266号 ZnO系ターゲット及びその製造方法並び導電性薄膜の製造方法及び導電性薄膜 2011/07/07 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
1437 特願2007-027887 特許第4528985号 ZnPd系微粒子およびその製造方法 コモンズ 2011/08/18 2018/02/16 筑波大学
1438 特願2012-052330 特許第5766637号 bcc型FeCo合金粒子及びその製造方法並びに磁石 2013/10/16 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
1439 特願2005-034476 特許第4891550号 n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 2011/06/21 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
1440 特願2009-276867 特許第5360587号 n型半導体薄膜、ホモpn接合素子及び薄膜太陽電池並びにn型半導体薄膜及びホモpn接合素子の製造方法 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
1441 特願2004-334447 特許第3997305号 npタンデム型色素増感太陽電池 コモンズ 2006/06/23 2018/03/07 信州大学
1442 特願2010-521665 特許第5168605号 pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法 2012/01/10 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
1443 特願2002-274343 特許第3910512号 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法 コモンズ 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1444 特願2003-082986 特許第3657591号 pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ コモンズ 2004/12/07 2018/03/15 科学技術振興機構(JST)

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