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該当件数 100件

No. 出願番号
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▲▼		 発明の名称
▲▼		 掲載日
▲▼		 更新日
▲▼		 データ提供機関
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1 特願2001-156689 特許第3607218号 球状単結晶シリコンの製造方法 2003/08/28 2018/03/20 ＪＡＸＡ
2 特願2000-131570 特許第3451314号 高品質結晶成長方法 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
3 特願2000-225122 特許第3538634号 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
4 特願2000-371387 特許第3520333号 液相からのバルク単結晶ベータ鉄シリサイド結晶成長法 2005/01/18 2012/04/06 静岡大学
5 特願2005-036870 特許第5002803号 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 新技術説明会 2007/02/16 2018/03/05 電気通信大学
6 特願2003-502272 特許第4848495号 単結晶炭化ケイ素及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2009/05/22 2018/03/14 関西学院大学
7 特願2011-111721 特許第5545268号 ＳｉＣマルチチップ基板 2013/08/05 2018/01/05 関西学院大学
8 特願2012-185253 特許第5376477号 単結晶炭化ケイ素基板 2013/08/05 2017/12/25 関西学院大学
9 特願2007-168708 特許第5251015号 熱処理装置及び熱処理方法 実績あり 2013/08/05 2018/02/08 関西学院大学
10 特願2009-115912 特許第5464544号 エピタキシャル成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
11 特願2009-274910 特許第5540349号 半導体ウエハの製造方法 2013/08/05 2018/01/22 関西学院大学
12 特願2010-164010 特許第5561676号 ＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置 実績あり 2013/08/05 2018/01/12 関西学院大学
13 特願2013-097609 特許第5688780号 ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板 2014/05/08 2017/12/18 関西学院大学
14 特願2013-125018 特許第6057292号 ＳｉＣ半導体素子の製造方法 外国出願あり 2015/04/02 2017/12/18 関西学院大学
15 特願2015-220064 特許第6621304号 半導体ウエハの製造方法 外国出願あり 2017/10/18 2020/01/22 関西学院大学
16 特願2001-341286 特許第3769609号 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 2003/08/28 2018/03/20 長岡技術科学大学
17 特願2001-031833 特許第3530936号 金属酸化物構造体、その製造方法及び製造装置 2003/08/28 2018/03/20 長岡技術科学大学
18 特願2002-273126 特許第3780338号 レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法 新技術説明会 2004/06/04 2018/03/20 長岡技術科学大学
19 特願2007-012113 特許第4257437号 薄膜電極の製造方法 2008/08/15 2018/02/16 長岡技術科学大学
20 特願2010-138027 特許第5545567号 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 2011/04/12 2018/01/16 金沢大TLO
21 特願2015-102143 特許第6561402号 ダイヤモンドの製造方法 2015/08/20 2019/09/30 金沢大TLO
22 特願2011-159584 特許第5887742号 ダイヤモンド基板 2015/09/01 2018/01/12 金沢大TLO
23 特願2012-032198 特許第5948578号 ダイヤモンドの表面処理方法 2015/09/01 2017/12/25 金沢大TLO
24 特願2010-272963 特許第5681959号 グラフェン・ダイヤモンド積層体 新技術説明会 2015/09/01 2018/01/16 金沢大TLO
25 特願2018-155987 特開2020-029386 ダイヤモンド単結晶およびその製造方法 新技術説明会 2019/04/16 2020/07/01 量子科学技術研究開発機構
26 特願2010-075467 特許第5660528号 ＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 新技術説明会 2010/06/11 2018/01/18 茨城大学
27 特願2011-028685 特許第5570027号 透光性多結晶材料とその製造方法 外国出願あり 2012/10/26 2018/01/09 自然科学研究機構（NINS）
28 特願2001-340066 特許第4298194号 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。 新技術説明会 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構（JST）
29 特願2010-157342 特許第5493107号 面方位（１１１）のＭｇＯ薄膜の作製方法 2010/08/13 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
30 特願2004-076129 特許第4398762号 ＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれに用いる反応容器 2011/06/20 2018/03/09 科学技術振興機構（JST）
31 特願2005-502997 特許第4619946号 ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置 実績あり 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構（JST）
32 特願2005-503747 特許第4382748号 半導体結晶成長方法 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構（JST）
33 特願2007-034143 特許第4885001号 化合物超伝導体及びその製造方法 2011/07/04 2018/02/09 科学技術振興機構（JST）
34 特願2008-520225 特許第5010597号 耐圧釜を用いた超臨界アンモニア中でのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構（JST）
35 特願2009-534647 特許第5883552号 ＩＩＩ族窒化物結晶を安熱法成長させる方法 実績あり 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構（JST）
36 特願2010-526004 特許第5751513号 窒化ガリウムのバルク結晶とその成長方法 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
37 特願2010-098200 特許第5327977号 導電性膜形成用組成物および導電性膜の形成方法 2011/11/15 2018/01/15 科学技術振興機構（JST）
38 特願2012-139897 特許第5246900号 酸化マグネシウム薄膜の作成方法 2012/08/31 2017/12/21 科学技術振興機構（JST）
39 特願2013-179848 特許第6233919号 タンパク質吸着気泡噴出部材、タンパク質結晶装置及びタンパク質結晶化方法、並びにタンパク質結晶切削装置及びタンパク質結晶切削方法 2015/06/24 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
40 特願2014-534207 特許第5969616号 ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶、その製造方法、結晶構造解析用試料の作製方法、及び有機化合物の分子構造決定方法 2016/11/02 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
41 特願2012-166325 特許第5884101号 窒化物エレクトライド及びその製法 2017/03/16 2017/12/21 科学技術振興機構（JST）
42 特願2015-544904 特許第6169182号 ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 2017/06/23 2017/12/18 科学技術振興機構（JST）
43 特願2015-557780 特許第6604511号 ダイヤモンド素子、磁気センサー、磁気計測装置 2017/06/23 2019/11/21 科学技術振興機構（JST）
44 特願2019-157855 特開2020-038968 半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 UPDATE 2020/06/03 2020/07/17 福井大学
45 特願2006-223664 特許第4765074号 ナノ粒子およびナノ粒子の製造方法 2008/10/31 2018/02/22 神戸大学
46 特願2011-157084 特許第5846571号 マンガン酸化物、マンガン酸化物を備える強誘電体メモリ素子、および強誘電体メモリ装置 2012/01/10 2018/01/17 理化学研究所
47 特願2009-065969 特許第5236542号 酸化物超伝導薄膜の製造方法 新技術説明会 2010/07/09 2018/01/22 熊本高等専門学校（八代キャンパス）
48 特願2013-033503 特許第6137668号 酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置 新技術説明会 2013/04/01 2017/12/20 熊本大学
49 特願2013-176635 特許第6181474号 窒化物半導体成長用基板の製造方法 2015/03/24 2017/12/15 滋賀県立大学
50 特願2003-198490 特許第4054873号 Ｓｉ系結晶の製造方法 新技術説明会 2008/06/06 2018/03/14 東北大学
51 特願2015-536448 特許第6510413号 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 2017/04/07 2019/05/23 東京農工大学
52 特願2014-097751 特許第6253150号 エピタキシャルウエハ及びその製造方法 2017/06/14 2018/01/22 東京農工大学
53 特願2008-270238 特許第5483228号 導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法 新技術説明会 2010/05/14 2018/01/30 東京理科大学
54 特願2017-084553 特開2018-177621 酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板 新技術説明会 2017/09/13 2020/01/09 東京理科大学
55 特願2018-020443 特許第6656563号 ホウ素原子層シートおよび積層シートとその製造方法 新技術説明会 外国出願あり 2019/10/18 2020/03/19 東京工業大学
56 特願2008-533177 特許第5229735号 ＡｌＮ結晶の製造方法 2011/02/07 2018/01/30 明星大学
57 特願2018-215652 特開2019-094254 ダイヤモンド半導体基板の製造方法 2019/07/24 2020/01/17 早稲田大学
58 特願2003-027893 特許第3877162号 ＧＳＯ単結晶及びＰＥＴ用シンチレータ 2007/06/01 2018/03/15 放射線医学総合研究所
59 特願2001-018643 特許第3586712号 熱電変換材料製造方法及びその装置 新技術説明会 2007/08/08 2018/03/19 島根大学
60 特願2003-025369 特許第4051437号 チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびＦＲＡＭ 2007/08/08 2018/03/14 島根大学
61 特願2007-122088 特許第5526422号 ＫＦを含有するチタン酸バリウム系結晶の圧電体 新技術説明会 2008/03/28 2018/02/08 島根大学
62 特願2009-063809 特許第5273468号 チタン酸バリウム系結晶の製造方法 2010/11/04 2018/01/29 島根大学
63 特願2009-048503 特許第5305348号 電気磁気効果材料及び電気磁気効果材料からなる電子素子 新技術説明会 2010/09/28 2018/01/29 岡山大学
64 特願2007-542744 特許第4882075号 ルチル（ＴｉＯ２）単結晶の製造方法及びルチル（ＴｉＯ２）単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ 新技術説明会 2010/01/12 2018/02/08 山梨大学
65 特願2009-059753 特許第5463582号 人工超格子粒子 2011/09/13 2018/01/23 山梨大学
66 特願2011-109811 特許第5779803号 基板粒子または集積体、並びにこれらの製造方法 2012/12/19 2017/12/27 山梨大学
67 特願2013-175436 特許第5810424号 人工超格子粒子、およびその製造方法 2014/10/30 2017/12/20 山梨大学
68 特願2016-013330 特開2016-147800 浮遊帯域溶融法およびこれを用いた装置 2016/10/25 2020/01/06 山梨大学
69 特願2006-116979 特許第5023321号 光アイソレータ 2016/07/08 2018/02/22 山口ＴＬＯ
70 特願2007-078580 特許第5205613号 ＧａＮ層の選択成長方法 実績あり 2016/07/08 2018/02/09 山口ＴＬＯ
71 特願2009-070630 特許第5196403号 サファイア基板の製造方法、および半導体装置 実績あり 2016/09/08 2018/01/23 山口ＴＬＯ
72 特願2010-526523 特許第5392855号 半導体基板及びその製造方法 実績あり 外国出願あり 2016/09/08 2018/01/17 山口ＴＬＯ
73 特願2015-026211 特許第6399600号 半導体基板の製造方法 2016/12/28 2018/10/31 山口ＴＬＯ
74 特願2015-149146 特許第6694210号 半導体基板の製造方法 2017/07/19 2020/06/09 山口ＴＬＯ
75 特願2013-158888 特許第6355096号 撥液性複合部材 2015/04/20 2018/07/18 山口大学
76 特願2007-298752 特許第5394632号 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法 2011/03/14 2020/05/27 大阪府立大学
77 特願2018-094186 特開2019-201090 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス 新技術説明会 2018/12/06 2020/03/23 大阪市立大学
78 特願2013-553314 特許第5904421号 ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体装置の製造方法 2015/11/19 2017/12/20 大阪大学
79 特願2016-213949 特開2018-070422 酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置 新技術説明会 2017/05/12 2019/12/23 和歌山大学
80 特願2008-223713 特許第5655228号 半導体構造物の製造方法 2011/03/31 2020/01/28 北海道大学
81 特願2000-339280 特許第3536087号 無転位シリコン単結晶の製造方法 2004/08/27 2012/04/06 信州大学
82 特願2009-213242 特許第5213186号 積層体及びその製造方法 新技術説明会 2010/03/19 2018/01/25 信州大学
83 特願2012-277551 特許第6037278号 結晶膜形成体の製造方法 2013/06/07 2017/12/21 信州大学
84 特願2012-286842 特許第6028169号 リチウムイオン二次電池用固体電解質およびその製造方法 2013/06/07 2017/12/21 信州大学
85 特願2014-039647 特許第6376776号 窒化タンタルの製造方法 2014/08/07 2018/08/28 信州大学
86 特願2015-193699 特許第6598111号 ＳｉＣ単結晶の製造方法 2016/03/17 2019/11/21 信州大学
87 特願2017-067147 特開2018-168020 ＳｉＣ単結晶の製造方法 2017/07/13 2020/01/20 信州大学
88 特願2017-075604 特許第6356301号 酸化イリジウムナノシート、その酸化イリジウムナノシートを含む分散溶液及びその分散溶液の製造方法 2017/12/25 2018/07/19 信州大学
89 特願2018-038847 特開2019-151530 ＳｉＣ単結晶の製造方法 2018/07/13 2020/01/29 信州大学
90 特願2006-179593 特許第4982845号 材料の単結晶薄膜製造方法及び単結晶薄膜製造装置 新技術説明会 2012/11/19 2018/02/22 京都工芸繊維大学
91 特願2015-221683 特開2017-088454 基体、発光素子および基体の製造方法 新技術説明会 2017/06/23 2020/01/08 京都工芸繊維大学
92 特願2011-067091 特許第5641348号 リン系化合物半導体の製造方法 新技術説明会 2012/11/01 2018/01/17 京都大学
93 特願2017-241257 特開2019-108573 高靭性高耐熱モリブデンシリサイド合金 2020/04/08 2020/05/21 京都大学
94 特願2017-150895 特開2019-028395 光変調材料 2020/04/10 2020/05/21 京都大学
95 特願2018-037624 特開2019-152524 センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子 外国出願あり 2020/05/11 2020/05/11 京都大学
96 特願2018-154238 特開2019-163200 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/11 2020/05/11 京都大学
97 特願2018-154236 特開2020-001997 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/11 2020/06/17 京都大学
98 特願2018-154237 特開2019-034883 結晶膜の製造方法 外国出願あり 2020/05/12 2020/05/12 京都大学
99 特願2017-039028 特開2018-147946 半導体膜形成方法 新技術説明会 2019/10/21 2020/01/09 九州工業大学
100 特願2015-508425 特許第6384921号 シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法 2017/03/16 2018/09/20 九州大学

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