国内特許検索
該当件数 95件
No. | 出願番号 ▲▼ |
特許番号 ▲▼ |
発明の名称 ▲▼ |
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データ提供機関 ▲▼ |
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1 | 特願2001-156689 | 特許第3607218号 | 球状単結晶シリコンの製造方法 | 2003/08/28 | 2018/03/20 | JAXA |
2 | 特願2000-371387 | 特許第3520333号 | 液相からのバルク単結晶ベータ鉄シリサイド結晶成長法 | 2005/01/18 | 2012/04/06 | 静岡大学 |
3 | 特願2005-036870 | 特許第5002803号 |
ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
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2007/02/16 | 2018/03/05 | 電気通信大学 |
4 | 特願2003-502272 | 特許第4848495号 |
単結晶炭化ケイ素及びその製造方法
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2009/05/22 | 2018/03/14 | 関西学院大学 |
5 | 特願2011-111721 | 特許第5545268号 | SiCマルチチップ基板 | 2013/08/05 | 2018/01/05 | 関西学院大学 |
6 | 特願2012-185253 | 特許第5376477号 | 単結晶炭化ケイ素基板 | 2013/08/05 | 2017/12/25 | 関西学院大学 |
7 | 特願2007-168708 | 特許第5251015号 |
熱処理装置及び熱処理方法
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2013/08/05 | 2018/02/08 | 関西学院大学 |
8 | 特願2009-115912 | 特許第5464544号 | エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板 | 2013/08/05 | 2018/01/22 | 関西学院大学 |
9 | 特願2009-274910 | 特許第5540349号 | 半導体ウエハの製造方法 | 2013/08/05 | 2018/01/22 | 関西学院大学 |
10 | 特願2010-164010 | 特許第5561676号 |
SiC半導体ウエーハ熱処理装置
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2013/08/05 | 2018/01/12 | 関西学院大学 |
11 | 特願2013-097609 | 特許第5688780号 | SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 | 2014/05/08 | 2017/12/18 | 関西学院大学 |
12 | 特願2013-125018 | 特許第6057292号 |
SiC半導体素子の製造方法
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2015/04/02 | 2017/12/18 | 関西学院大学 |
13 | 特願2015-220064 | 特許第6621304号 |
半導体ウエハの製造方法
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2017/10/18 | 2020/01/22 | 関西学院大学 |
14 | 特願2001-341286 | 特許第3769609号 | 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 | 2003/08/28 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
15 | 特願2001-031833 | 特許第3530936号 | 金属酸化物構造体、その製造方法及び製造装置 | 2003/08/28 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
16 | 特願2002-273126 | 特許第3780338号 |
レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法
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2004/06/04 | 2018/03/20 | 長岡技術科学大学 |
17 | 特願2007-012113 | 特許第4257437号 | 薄膜電極の製造方法 | 2008/08/15 | 2018/02/16 | 長岡技術科学大学 |
18 | 特願2010-138027 | 特許第5545567号 | 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 | 2011/04/12 | 2018/01/16 | 金沢大TLO |
19 | 特願2015-102143 | 特許第6561402号 | ダイヤモンドの製造方法 | 2015/08/20 | 2019/09/30 | 金沢大TLO |
20 | 特願2011-159584 | 特許第5887742号 | ダイヤモンド基板 | 2015/09/01 | 2018/01/12 | 金沢大TLO |
21 | 特願2012-032198 | 特許第5948578号 | ダイヤモンドの表面処理方法 | 2015/09/01 | 2017/12/25 | 金沢大TLO |
22 | 特願2010-272963 | 特許第5681959号 |
グラフェン・ダイヤモンド積層体
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2015/09/01 | 2018/01/16 | 金沢大TLO |
23 | 特願2018-155987 | 特開2020-029386 |
ダイヤモンド単結晶およびその製造方法
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2019/04/16 | 2020/07/01 | 量子科学技術研究開発機構 |
24 | 特願2010-075467 | 特許第5660528号 |
GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法
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2010/06/11 | 2018/01/18 | 茨城大学 |
25 | 特願2011-028685 | 特許第5570027号 |
透光性多結晶材料とその製造方法
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2012/10/26 | 2018/01/09 | 自然科学研究機構(NINS) |
26 | 特願2001-340066 | 特許第4298194号 |
自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。
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2003/10/01 | 2018/03/16 | 科学技術振興機構(JST) |
27 | 特願2010-157342 | 特許第5493107号 | 面方位(111)のMgO薄膜の作製方法 | 2010/08/13 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
28 | 特願2004-076129 | 特許第4398762号 | III族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれに用いる反応容器 | 2011/06/20 | 2018/03/09 | 科学技術振興機構(JST) |
29 | 特願2005-502997 | 特許第4619946号 |
ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置
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2011/06/23 | 2018/02/26 | 科学技術振興機構(JST) |
30 | 特願2005-503747 | 特許第4382748号 |
半導体結晶成長方法
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2011/06/23 | 2018/02/26 | 科学技術振興機構(JST) |
31 | 特願2008-520225 | 特許第5010597号 |
耐圧釜を用いた超臨界アンモニア中でのIII族窒化物結晶の成長方法
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2011/07/11 | 2018/02/06 | 科学技術振興機構(JST) |
32 | 特願2009-534647 | 特許第5883552号 |
III族窒化物結晶を安熱法成長させる方法
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2011/07/13 | 2018/01/25 | 科学技術振興機構(JST) |
33 | 特願2010-526004 | 特許第5751513号 |
窒化ガリウムのバルク結晶とその成長方法
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2011/07/14 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
34 | 特願2010-098200 | 特許第5327977号 | 導電性膜形成用組成物および導電性膜の形成方法 | 2011/11/15 | 2018/01/15 | 科学技術振興機構(JST) |
35 | 特願2012-139897 | 特許第5246900号 | 酸化マグネシウム薄膜の作成方法 | 2012/08/31 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構(JST) |
36 | 特願2013-179848 | 特許第6233919号 | タンパク質吸着気泡噴出部材、タンパク質結晶装置及びタンパク質結晶化方法、並びにタンパク質結晶切削装置及びタンパク質結晶切削方法 | 2015/06/24 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
37 | 特願2014-534207 | 特許第5969616号 | ゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶、その製造方法、結晶構造解析用試料の作製方法、及び有機化合物の分子構造決定方法 | 2016/11/02 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
38 | 特願2012-166325 | 特許第5884101号 | 窒化物エレクトライド及びその製法 | 2017/03/16 | 2017/12/21 | 科学技術振興機構(JST) |
39 | 特願2015-544904 | 特許第6169182号 | ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | 2017/06/23 | 2017/12/18 | 科学技術振興機構(JST) |
40 | 特願2015-557780 | 特許第6604511号 | ダイヤモンド素子、磁気センサー、磁気計測装置 | 2017/06/23 | 2019/11/21 | 科学技術振興機構(JST) |
41 | 特願2019-157855 | 特開2020-038968 | 半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 | 2020/06/03 | 2020/07/17 | 福井大学 |
42 | 特願2006-223664 | 特許第4765074号 | ナノ粒子およびナノ粒子の製造方法 | 2008/10/31 | 2018/02/22 | 神戸大学 |
43 | 特願2011-157084 | 特許第5846571号 | マンガン酸化物、マンガン酸化物を備える強誘電体メモリ素子、および強誘電体メモリ装置 | 2012/01/10 | 2018/01/17 | 理化学研究所 |
44 | 特願2009-065969 | 特許第5236542号 |
酸化物超伝導薄膜の製造方法
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2010/07/09 | 2018/01/22 | 熊本高等専門学校(八代キャンパス) |
45 | 特願2013-033503 | 特許第6137668号 |
酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置
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2013/04/01 | 2017/12/20 | 熊本大学 |
46 | 特願2013-176635 | 特許第6181474号 | 窒化物半導体成長用基板の製造方法 | 2015/03/24 | 2017/12/15 | 滋賀県立大学 |
47 | 特願2003-198490 | 特許第4054873号 |
Si系結晶の製造方法
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2008/06/06 | 2018/03/14 | 東北大学 |
48 | 特願2015-536448 | 特許第6510413号 | 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 | 2017/04/07 | 2019/05/23 | 東京農工大学 |
49 | 特願2014-097751 | 特許第6253150号 | エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | 2017/06/14 | 2018/01/22 | 東京農工大学 |
50 | 特願2017-084553 | 特開2018-177621 |
酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板
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2017/09/13 | 2020/01/09 | 東京理科大学 |
51 | 特願2018-020443 | 特許第6656563号 |
ホウ素原子層シートおよび積層シートとその製造方法
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2019/10/18 | 2020/03/19 | 東京工業大学 |
52 | 特願2008-533177 | 特許第5229735号 | AlN結晶の製造方法 | 2011/02/07 | 2018/01/30 | 明星大学 |
53 | 特願2018-215652 | 特開2019-094254 | ダイヤモンド半導体基板の製造方法 | 2019/07/24 | 2020/01/17 | 早稲田大学 |
54 | 特願2003-027893 | 特許第3877162号 | GSO単結晶及びPET用シンチレータ | 2007/06/01 | 2018/03/15 | 放射線医学総合研究所 |
55 | 特願2001-018643 | 特許第3586712号 |
熱電変換材料製造方法及びその装置
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2007/08/08 | 2018/03/19 | 島根大学 |
56 | 特願2003-025369 | 特許第4051437号 | チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびFRAM | 2007/08/08 | 2018/03/14 | 島根大学 |
57 | 特願2007-122088 | 特許第5526422号 |
KFを含有するチタン酸バリウム系結晶の圧電体
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2008/03/28 | 2018/02/08 | 島根大学 |
58 | 特願2009-063809 | 特許第5273468号 | チタン酸バリウム系結晶の製造方法 | 2010/11/04 | 2018/01/29 | 島根大学 |
59 | 特願2009-048503 | 特許第5305348号 |
電気磁気効果材料及び電気磁気効果材料からなる電子素子
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2010/09/28 | 2018/01/29 | 岡山大学 |
60 | 特願2007-542744 | 特許第4882075号 |
ルチル(TiO2)単結晶の製造方法及びルチル(TiO2)単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ
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2010/01/12 | 2018/02/08 | 山梨大学 |
61 | 特願2009-059753 | 特許第5463582号 | 人工超格子粒子 | 2011/09/13 | 2018/01/23 | 山梨大学 |
62 | 特願2011-109811 | 特許第5779803号 | 基板粒子または集積体、並びにこれらの製造方法 | 2012/12/19 | 2017/12/27 | 山梨大学 |
63 | 特願2013-175436 | 特許第5810424号 | 人工超格子粒子、およびその製造方法 | 2014/10/30 | 2017/12/20 | 山梨大学 |
64 | 特願2016-013330 | 特許第6778376号 | 浮遊帯域溶融法およびこれを用いた装置 | 2016/10/25 | 2020/11/19 | 山梨大学 |
65 | 特願2006-116979 | 特許第5023321号 | 光アイソレータ | 2016/07/08 | 2018/02/22 | 山口TLO |
66 | 特願2007-078580 | 特許第5205613号 |
GaN層の選択成長方法
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2016/07/08 | 2018/02/09 | 山口TLO |
67 | 特願2009-070630 | 特許第5196403号 |
サファイア基板の製造方法、および半導体装置
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2016/09/08 | 2018/01/23 | 山口TLO |
68 | 特願2010-526523 | 特許第5392855号 |
半導体基板及びその製造方法
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2016/09/08 | 2018/01/17 | 山口TLO |
69 | 特願2015-026211 | 特許第6399600号 | 半導体基板の製造方法 | 2016/12/28 | 2018/10/31 | 山口TLO |
70 | 特願2015-149146 | 特許第6694210号 | 半導体基板の製造方法 | 2017/07/19 | 2020/06/09 | 山口TLO |
71 | 特願2013-158888 | 特許第6355096号 | 撥液性複合部材 | 2015/04/20 | 2018/07/18 | 山口大学 |
72 | 特願2007-298752 | 特許第5394632号 | 単結晶SiC基板の製造方法 | 2011/03/14 | 2020/05/27 | 大阪府立大学 |
73 | 特願2018-094186 | 特開2019-201090 |
半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
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2018/12/06 | 2020/03/23 | 大阪市立大学 |
74 | 特願2013-553314 | 特許第5904421号 | III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法 | 2015/11/19 | 2017/12/20 | 大阪大学 |
75 | 特願2016-213949 | 特許第6793942号 |
酸化ガリウムの製造方法及び結晶成長装置
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2017/05/12 | 2020/12/18 | 和歌山大学 |
76 | 特願2008-223713 | 特許第5655228号 | 半導体構造物の製造方法 | 2011/03/31 | 2020/01/28 | 北海道大学 |
77 | 特願2000-339280 | 特許第3536087号 | 無転位シリコン単結晶の製造方法 | 2004/08/27 | 2012/04/06 | 信州大学 |
78 | 特願2009-213242 | 特許第5213186号 |
積層体及びその製造方法
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2010/03/19 | 2018/01/25 | 信州大学 |
79 | 特願2012-277551 | 特許第6037278号 | 結晶膜形成体の製造方法 | 2013/06/07 | 2017/12/21 | 信州大学 |
80 | 特願2012-286842 | 特許第6028169号 | リチウムイオン二次電池用固体電解質およびその製造方法 | 2013/06/07 | 2017/12/21 | 信州大学 |
81 | 特願2014-039647 | 特許第6376776号 | 窒化タンタルの製造方法 | 2014/08/07 | 2018/08/28 | 信州大学 |
82 | 特願2015-193699 | 特許第6598111号 | SiC単結晶の製造方法 | 2016/03/17 | 2019/11/21 | 信州大学 |
83 | 特願2017-067147 | 特開2018-168020 | SiC単結晶の製造方法 | 2017/07/13 | 2020/01/20 | 信州大学 |
84 | 特願2017-075604 | 特許第6356301号 | 酸化イリジウムナノシート、その酸化イリジウムナノシートを含む分散溶液及びその分散溶液の製造方法 | 2017/12/25 | 2018/07/19 | 信州大学 |
85 | 特願2018-038847 | 特開2019-151530 | SiC単結晶の製造方法 | 2018/07/13 | 2020/01/29 | 信州大学 |
86 | 特願2006-179593 | 特許第4982845号 |
材料の単結晶薄膜製造方法及び単結晶薄膜製造装置
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2012/11/19 | 2018/02/22 | 京都工芸繊維大学 |
87 | 特願2015-221683 | 特許第6732201号 |
発光素子
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2017/06/23 | 2020/08/24 | 京都工芸繊維大学 |
88 | 特願2011-067091 | 特許第5641348号 |
リン系化合物半導体の製造方法
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2012/11/01 | 2018/01/17 | 京都大学 |
89 | 特願2017-241257 | 特開2019-108573 | 高靭性高耐熱モリブデンシリサイド合金 | 2020/04/08 | 2020/05/21 | 京都大学 |
90 | 特願2018-037624 | 特許第6795803号 |
センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子
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2020/05/11 | 2020/12/22 | 京都大学 |
91 | 特願2018-154238 | 特開2019-163200 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/11 | 2020/05/11 | 京都大学 |
92 | 特願2018-154236 | 特開2020-001997 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/11 | 2020/06/17 | 京都大学 |
93 | 特願2018-154237 | 特開2019-034883 |
結晶膜の製造方法
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2020/05/12 | 2020/05/12 | 京都大学 |
94 | 特願2017-039028 | 特許第6767052号 |
半導体膜形成方法
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2019/10/21 | 2020/10/26 | 九州工業大学 |
95 | 特願2015-508425 | 特許第6384921号 | シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法 | 2017/03/16 | 2018/09/20 | 九州大学 |
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