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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 18件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願平11-329838 特許第4608607号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 新技術説明会 2007/10/11 2018/03/22 高知工科大学
2 特願2017-052989 特開2018-157076 MFS型の電界効果トランジスタ 2017/07/12 2019/02/22 金沢大TLO
3 特願2015-093772 特開2016-213280 電界効果トランジスタ 2015/08/20 2017/03/27 金沢大TLO
4 特願2012-280468 特許第5615894号 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/06/12 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
5 特願2011-245922 特許第5901942号 機能性デバイスの製造方法及び機能性デバイスの製造装置 2013/05/30 2018/01/12 科学技術振興機構(JST)
6 特願2011-232085 特許第5835771号 論理回路 2013/05/22 2018/01/17 北海道大学
7 特願2010-118857 特許第5154605号 強誘電体材料層の製造方法、薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/12/12 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
8 特願2009-137663 特許第5529439号 フラーレン誘導体組成物とこれを用いた電界効果トランジスタ素子 2011/07/12 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
9 特願2008-330536 特許第5231977号 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法 コモンズ 2012/08/01 2018/02/02 名古屋大学
10 特願2008-306887 特許第5578641号 不揮発性半導体記憶素子とその製造方法 新技術説明会 2012/11/01 2018/01/30 広島大学
11 特願2007-535431 特許第5071854号 微粒子-タンパク質複合体およびその作製方法、半導体装置、蛍光標識方法 コモンズ 2011/07/07 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
12 特願2007-228386 特許第5207024号 不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法 コモンズ 2009/03/27 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
13 特願2007-066393 特許第5228188号 半導体基板上の積層構造 コモンズ 新技術説明会 外国出願あり 2011/08/18 2018/02/19 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
14 特願2007-014919 特許第5369274号 有機電界効果トランジスタ コモンズ 2009/11/13 2018/02/19 九州工業大学
15 特願2005-512064 特許第4526484号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 コモンズ 新技術説明会 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
16 特願2005-094203 特許第4441689号 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法 2006/12/01 2018/02/26 広島大学
17 特願2003-363411 特許第4072621号 シリコンナノ結晶の作製方法及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法 コモンズ 外国出願あり 2008/04/04 2018/03/14 名古屋大学
18 特願2002-239427 特許第4037213号 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 2007/10/11 2018/03/19 高知工科大学

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