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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 1350件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1301 特願2002-127092 特許第4320382号 同位体超格子構造を有する半導体結晶を用いた固体NMR量子計算機 2011/06/10 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
1302 特願2002-106430 特許第4055457号 接地ブラシ装置 2007/11/16 2018/03/22 鉄道総合技術研究所
1303 特願2002-080093 特許第4041948号 軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド 2004/04/06 2018/03/20 早稲田大学
1304 特願2002-045302 特許第4105447号 12SrO・7Al2O3化合物とその合成方法 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1305 特願2001-572826 特許第4164261号 干渉計測装置 実績あり 2011/06/08 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
1306 特願2001-377084 特許第4052430号 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 実績あり 2008/06/13 2018/03/19 関西学院大学
1307 特願2001-377075 特許第4042893号 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法 実績あり 2008/06/13 2019/04/19 関西学院大学
1308 特願2001-354440 特許第3616780号 コールドスプレー質量分析装置 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1309 特願2001-352637 特許第4236404号 超電導コイルの冷却装置 2007/11/22 2007/11/14 鉄道総合技術研究所
1310 特願2001-346909 特許第3834616号 スピンフィルタ 2003/08/28 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
1311 特願2001-321251 特許第3560580号 12CaO・7Al2O3化合物とその作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
1312 特願2001-309515 特許第3993407号 超電導機器用電流リ-ド 2007/11/22 2018/03/22 鉄道総合技術研究所
1313 特願2001-304570 特許第3536120号 電子放出素子の製造方法 2011/06/08 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
1314 特願2001-248433 特許第4132750号 フェムト秒レーザー照射による量子ドット素子の作成方法 実績あり 2003/07/10 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1315 特願2001-238972 特許第4803513号 イオンビーム微細加工方法 外国出願あり 2008/06/13 2018/03/19 関西学院大学
1316 特願2001-235246 特許第3619872号 熱電変換材料の製造装置 2007/08/08 2018/03/19 島根大学
1317 特願2001-171225 特許第3476443号 熱型センサの製造方法 2005/12/02 2018/03/20 防衛省
1318 特願2001-156689 特許第3607218号 球状単結晶シリコンの製造方法 2003/08/28 2018/03/20 JAXA
1319 特願2001-150456 特許第3482469号 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 2003/10/01 2018/03/20 北海道大学
1320 特願2001-145599 特許第4713012号 テープ状酸化物超電導体 2007/11/22 2018/03/22 鉄道総合技術研究所
1321 特願2001-110783 特許第3734019号 プラズマX線管 実績あり 2010/12/15 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
1322 特願2001-105872 特許第3507889号 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 2003/08/28 2018/03/20 九州大学
1323 特願2001-091521 特許第3862964号 2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1324 特願2001-088314 特許第3390756号 電界効果トランジスタ 2003/11/18 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1325 特願2001-086119 特許第3584284号 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 2005/01/18 2018/03/20 静岡大学
1326 特願2001-086098 特許第4623848号 磁界発生装置 2007/06/01 2016/10/11 放射線医学総合研究所
1327 特願2001-080050 特許第3607947号 電子放出材料 新技術説明会 2005/04/08 2018/03/20 長岡技術科学大学
1328 特願2001-066099 特許第4645784号 軟磁性薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド 新技術説明会 2004/04/06 2018/03/20 早稲田大学
1329 特願2001-054382 特許第3969959号 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
1330 特願2001-046866 特許第3820443号 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置 2008/01/25 2018/03/20 防衛省
1331 特願2001-018643 特許第3586712号 熱電変換材料製造方法及びその装置 新技術説明会 2007/08/08 2018/03/19 島根大学
1332 特願2001-012644 特許第3584281号 周波数逓倍方法及び周波数逓倍器 2003/08/28 2018/03/20 北海道大学
1333 特願2001-001948 特許第3575004号 マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法 実績あり 2006/06/16 2018/03/19 科学技術振興機構(JST)
1334 特願2000-373679 特許第3465048号 光増幅方法、光増幅装置、及び光増幅用光共振器 2011/08/18 2012/04/06 神戸大学
1335 特願2000-352766 特許第3418731号 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜 2003/11/18 2012/04/06 埼玉大学
1336 特願2000-301759 特許第3433173号 硫化物系結晶化ガラス、固体型電解質及び全固体二次電池 新技術説明会 2004/07/07 2012/04/06 大阪府立大学
1337 特願2000-297832 特許第3521223号 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会 2003/08/28 2012/04/06 長岡技術科学大学
1338 特願2000-293576 特許第3948898号 高飽和磁化および良好な軟磁気特性を有するFe基非晶質合金 2003/10/01 2015/10/09 科学技術振興機構(JST)
1339 特願2000-272664 特許第4811543号 微細パターンの作製方法 新技術説明会 2004/03/25 2011/11/14 早稲田大学
1340 特願2000-271138 特許第3385472号 レクテナとレクテナ大電力化方法 2006/03/03 2012/04/06 京都大学
1341 特願2000-265178 特許第3360091号 超電導加速度計 2005/03/18 2015/08/26 JAXA
1342 特願2000-264418 特許第3610372号 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 新技術説明会 2003/12/22 2013/04/22 物質・材料研究機構
1343 特願2000-242002 特許第3413491号 質量分析用インターフェイス、質量分析計、及び質量分析方法 2003/08/28 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1344 特願2000-225122 特許第3538634号 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子 2005/01/18 2017/11/07 静岡大学
1345 特願2000-210277 特許第3404717号 空間給電フェーズドアレイアンテナ装置 2005/12/02 2015/12/07 防衛省
1346 特願2000-198829 特許第3455500号 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 新技術説明会 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1347 特願2000-191994 特許第3354551号 ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器 2003/11/18 2015/08/28 科学技術振興機構(JST)
1348 特願2000-181229 特許第3430206号 半導体素子の製造方法及び半導体素子 2004/02/24 2012/04/06 科学技術振興機構(JST)
1349 特願2000-167971 特許第3516060号 Nb3(Al,Ge)またはNb3(Al,Si)極細多芯超伝導線の製造方法 2003/05/27 2012/04/06 物質・材料研究機構
1350 特願2000-133700 特許第3757263号 電子スピン分析器 2003/05/27 2013/04/22 北海道大学

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