TOP > 国内特許検索

国内特許検索

表示件数 詳細検索
特許の状態
データ提供機関
出願人
IPC
Fターム
マークによる絞込み
データ選択
カレンダー表示 カレンダー表示
番号選択
表示オプション 表示順

リセット


※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 10件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2012-250900 特許第5578531号 プローブ型眼球組織切除装置及びプローブユニット 外国出願あり 2018/11/21 2018/11/21 京都大学
2 特願2000-205941 特許第3531865号 超平坦透明導電膜およびその製造方法 2011/06/08 2015/09/09 科学技術振興機構(JST)
3 特願2002-278214 特許第4164563号 酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法 2004/06/18 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
4 特願2002-266012 特許第4164562号 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ 実績あり 2004/06/04 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
5 特願2002-254050 特許第4014473号 超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法 2004/05/14 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
6 特願2002-197744 特許第4083486号 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 2004/01/23 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
7 特願2001-054382 特許第3969959号 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
8 特願2001-340066 特許第4298194号 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。 新技術説明会 実績あり 2003/10/01 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)
9 特願2000-024843 特許第3398638号 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 新技術説明会 2003/08/28 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
10 特願2001-182643 特許第4083396号 紫外透明導電膜とその製造方法 2003/08/28 2018/03/16 科学技術振興機構(JST)

(1/1ページ)

  • 1

PAGE TOP