TOP > 国内特許検索

国内特許検索

表示件数 詳細検索
特許の状態
データ提供機関
出願人
IPC
Fターム
マークによる絞込み
データ選択
カレンダー表示 カレンダー表示
番号選択
表示オプション 表示順

リセット


※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 12件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-115734 特開2017-195396 発光デバイスおよびその作製方法 2019/01/24 2019/01/24 科学技術振興機構(JST)
2 特願2012-158240 特許第5645887号 半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 実績あり 2012/11/28 2017/12/21 科学技術振興機構(JST)
3 特願2010-526004 特許第5751513号 窒化ガリウムのバルク結晶とその成長方法 実績あり 2011/07/14 2018/01/15 科学技術振興機構(JST)
4 特願2011-013852 特許第5702165号 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード 実績あり 2011/07/14 2018/01/12 科学技術振興機構(JST)
5 特願2009-534647 特許第5883552号 III族窒化物結晶を安熱法成長させる方法 実績あり 2011/07/13 2018/01/25 科学技術振興機構(JST)
6 特願2008-500965 特許第5706601号 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
7 特願2008-514810 特許第5743127号 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
8 特願2008-520225 特許第5010597号 耐圧釜を用いた超臨界アンモニア中でのIII族窒化物結晶の成長方法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
9 特願2008-530223 特許第5270348号 有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法 実績あり 2011/07/11 2018/02/06 科学技術振興機構(JST)
10 特願2007-513224 特許第5379973号 有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作 2011/07/06 2018/02/09 科学技術振興機構(JST)
11 特願2005-512858 特許第5719493号 表面粗化による高効率の(B,Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード 実績あり 2011/06/23 2018/02/26 科学技術振興機構(JST)
12 特願2004-564676 特許第4486506号 ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長 実績あり 2011/06/21 2018/03/09 科学技術振興機構(JST)

(1/1ページ)

  • 1

PAGE TOP