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(In Japanese)ナノ結晶シリコンにおける新しい電子輸送

Research report code R000000555
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)Y.T. Tan
  • (In Japanese)神谷 利夫
  • (In Japanese)Z.A.K. Durrani
  • (In Japanese)H. Ahmed
Affiliation
  • (In Japanese)Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
  • (In Japanese)東京工業大学
  • (In Japanese)Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
  • (In Japanese)Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
Research organization
  • (In Japanese)Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
  • (In Japanese)東京工業大学
Report name (In Japanese)ナノ結晶シリコンにおける新しい電子輸送
Technology summary (In Japanese)将来の電子技術においては,シリコンデバイスの超小型化技術の発達が不可欠である。ナノサイズの微構造を持つシリコン材料は,量子ドットや単電子トランジスタ(SETs)親和性が高いものと期待される。特に,5nm程度のナノ結晶粒をアモルファスシリコンマトリックス中に埋め込んだ構造を持つナノ結晶シリコン薄膜(nc-Si)は有力な材料と考えられる。そこで,nc-Si薄膜を用いて作成したSETにおいて,膜の微細構造と電気特性の関係を調べた。100MHz-VHFCVD法によってnc-Si膜および,固相結晶化(SPC)法によって作成した多結晶シリコン(poly-Si)薄膜を用いて,ナノ細線をチャンネルとするSETを作成した。膜の構造は透過型電子顕微鏡,ラマン分光および電子スピン共鳴法で調べた。さらに,酸素やアルゴン中での1,000℃までの熱処理を行い,クーロン閉塞効果に及ぼす影響についても検討した。さらに,nc-Siとpoly-Siで,結晶粒界の構造,酸化特性,電気特性が異なることが認められた。
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Oxide thin films
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Metal‐insulator‐semiconductor structures
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Semiconductor integrated circuit
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)Y.T. Tan,神谷 利夫,Z.A.K. Durrani,H. Ahmed. Novel Electron Transport in Nanocrystalline Silicon. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.93 - 93.

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