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(In Japanese)キャリア相関エレクトロニクス

Research report code R013000292
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)平山 祥郎
Affiliation
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Research organization
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Report name (In Japanese)キャリア相関エレクトロニクス
Technology summary (In Japanese)我々のゴールは半導体構造のキャリア相互作用の理解とその工学への応用である。特に我々の夢は量子ビット(qubit)とキャリア超流動の実現である。それは容易でないが,前回のCREST-FEMDシンポジウム以来いくつかの重要な進展があった。以下に記す。
(1)層構造のキャリア相互作用:バックゲート付きGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用い,二次元電子系と半導体中の核スピンの相互作用を明らかにした。これは核スピンの電子系による操作の可能性を示すものである。
(2)ナノ構造のキャリア相互作用:バックゲート付き量子ポイントコンタクトを作製した。その代表的な輸送特性を図1に示す。量子化された伝導度のプラトーに加えて,電子間相互作用の結果である0.7異常も見られた。さらに,量子ドットのスピン相関に関して強い近藤効果を観測し,伝導度がユニタリー極限に到達することを示した。
(3)ナノプロービング:半導体の伝導電子の波動の姿を直接測定することに成功した(図2)。
(4)キャリアダイナシクスと
(5)量子情報プロセシング
については後出の報告を参照されたい。
Drawing

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R013000292_01SUM.gif R013000292_02SUM.gif
Research field
  • Electric conduction in crystalline semiconductors
  • Semiconductor‐semiconductor contacts with Gr.13‐15 element compounds
  • Solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)平山 祥郎. Interacting Carrier Electronics. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.68 - 71.

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