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(In Japanese)三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御

Research report code R000000427
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)大橋 理人
  • (In Japanese)松原 公紀
  • (In Japanese)鈴木 寛治
Affiliation
  • (In Japanese)東京工業大学大学院理工学研究科
  • (In Japanese)東京工業大学大学院理工学研究科
  • (In Japanese)東京工業大学大学院理工学研究科
Research organization
  • (In Japanese)東京工業大学大学院理工学研究科
Report name (In Japanese)三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御
Technology summary (In Japanese)クラスター反応場の電子密度制御を目的として,三核ルテニウムペンタヒドリド錯体および二核ルテニウムテトラヒドリド錯体2への架橋配位子の導入を検討してきた。本研究では,クラスター金属中心の電子密度を高めることによって有機基質に対する反応活性をさらに向上させることを狙い,電気陽性な典型金属原子を含む多核錯体反応場の構築に取り組んだ。錯体1とトリエチルアルミニウムとの反応によって,2種類の錯体5,6を得ると共に,その生成機構を検討した。これらの錯体は段階的なAl-C結合の切断を経て生成すること,ならびに触媒量AlEt3を添加することにより錯体6の生成が促進されることを明らかにした。また,クラスター上の電子密度をさらに高めることを企図し,アニオン錯体の合成に着手した。
Drawing

※Click image to enlarge.

R000000427_01SUM.gif
Research field
  • Configuration and conformation of molecules
  • Magnetooptical and electrooptical spectra of organic and complex molecules
  • Iron complex
  • Organic platinum group compound
  • Polymer carrier, catalytic reaction
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Single Molecule and Atom Level Reactions
Information research report
  • (In Japanese)大橋 理人,松原 公紀,鈴木 寛治. 三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.59 - 59.

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