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(In Japanese)オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析

Research report code R000000473
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)高見 知秀
  • (In Japanese)峰 哲朗
  • (In Japanese)楠 勲
  • (In Japanese)蒲生西谷 美香
  • (In Japanese)安藤 寿浩
Affiliation
  • (In Japanese)ヴィジョンアーツ株式会社 Spin Laboratory
  • (In Japanese)サーモクエスト株式会社
  • (In Japanese)東北大学多元物質科学研究所(旧科学計測研究所)
  • (In Japanese)筑波大学先端学際領域研究センター
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
Research organization
  • (In Japanese)東北大学多元物質科学研究所(旧科学計測研究所)
  • (In Japanese)科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
Report name (In Japanese)オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析
Technology summary (In Japanese)マイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)法を用いたダイヤモンドの気相成長の研究において,ホモエピタクシャル薄膜成長は最も基本的な成長である。この薄膜成長において,対称性の高い面方位からわざと数度ずらしてオフ角をつけた基盤を使うと,より高品質な薄膜が得られる。そこで,オフ角のついた基板を反射高速電子回折(RHEED)を用いて評価した。図1に示したRHEED図形は鏡面反射点がシャドウエッジの下にあって観察されていないのに対し,90度試料を回転させた方向から観察したRHEED図形ではシャドウエッジに対して菊池図形が傾いているのが観察され,この傾きからオフ角が分かった。更に90度回転させて得られたRHEED図形から試料は図2の模式図のように回折格子状の表面形態になっていると考えられた。
Drawing

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R000000473_01SUM.gif R000000473_02SUM.gif
Research field
  • Thin films of other inorganic compounds
  • Carbon and its compounds
Published papers related (In Japanese)(1)Unusual RHEED patterns of a homoepitaxial diamond (001) surface explained by surface tilt.T.Takami,T.Mine,I. Kusunoki,M.Nishitani-Gamo,and T.Ando,Diamond and Related Materials,10 (2001),1676-1680.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Single Molecule and Atom Level Reactions
Information research report
  • (In Japanese)高見 知秀,峰 哲朗,楠 勲,蒲生西谷 美香,安藤 寿浩. オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.97 - 97.

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