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(In Japanese)半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化

Research report code R000000480
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)沖野 不二雄
  • (In Japanese)柴田 寛丈
  • (In Japanese)川崎 晋司
  • (In Japanese)東原 秀和
  • (In Japanese)百田 邦堯
  • (In Japanese)蒲生西谷 美香
  • (In Japanese)坂口 勲
  • (In Japanese)安藤 寿浩
Affiliation
  • (In Japanese)信州大学繊維学部
  • (In Japanese)信州大学繊維学部
  • (In Japanese)信州大学繊維学部
  • (In Japanese)信州大学繊維学部
  • (In Japanese)森田化学工業
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
Research organization
  • (In Japanese)森田化学工業
  • (In Japanese)文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • (In Japanese)信州大学繊維学部
Report name (In Japanese)半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化
Technology summary (In Japanese)ボロンをドープしたp型半導体ダイヤモンド電極を用いて,1,4-ジフルオロベンゼン(DFB)やベンゼンなどの有機化合物のサイクリックボルタモグラム(CV)の測定や電解フッ素化を行い,ダイヤモンド電極のフッ素系電解質中での特性を調べた。図1にHOPG,Pt,ダイヤモンド電極を用いたDFBのCVを示した。HOPG電極ではF-のインターカレーション・脱インターカレーションに対応するピークが,Pt電極ではPtO2の生成・還元に対応するピークが観測されたのに対し,ダイヤモンド電極では,DFBの電解フッ素化に対応するピークのみが観測された。このことより,ダイヤモンド電極はDFBの電解フッ素化に適していることが分かった。ダイヤモンド電極を用いたEt4NF・4HF中でのベンゼンについての予備的なCV結果から,Me4NF・4HFなどを用いることにより,より低い電位でフッ素化が進む可能性がある。
Drawing

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R000000480_01SUM.gif
Research field
  • Electrochemical reaction
  • Substitution reaction
Published papers related (In Japanese)(1)T. Ando, K. Yamamoto, Y. Takamatsu, S. Kawasaki, F. Okino, H. Touhara, M. Kamo and Y. Sato, J. Chem. Soc, Faraday Trans., 91(18), 3209-3212 (1995).
(2)F. Okino, H. Shibata, S. Kawasaki, H. Touhara, K. Momota, M. Nishitani-Gamo, I. Sakaguchi and T. Ando, Electrochemical and Solid-State Letters, 2(8), 382-384 (1999).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Single Molecule and Atom Level Reactions
Information research report
  • (In Japanese)沖野 不二雄,柴田 寛丈,川崎 晋司,東原 秀和,百田 邦堯,蒲生西谷 美香,坂口 勲,安藤 寿浩. 半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.100 - 100.

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