Top > Search Research paper > (In Japanese)過少ドープYBa2Cu307-δ薄膜の配向制御成長およびそのc軸遠赤外特性

(In Japanese)過少ドープYBa2Cu307-δ薄膜の配向制御成長およびそのc軸遠赤外特性

Research report code R000000488
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)X.G. Qiu
  • (In Japanese)瀬川 勇三郎
  • (In Japanese)いわさき
  • (In Japanese)いとう
  • (In Japanese)A. Sarin Kumar
  • (In Japanese)川崎 雅司
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)齊藤 英治
  • (In Japanese)十倉 好紀
  • (In Japanese)たけはな
  • (In Japanese)木戸 義勇
Affiliation
  • (In Japanese)理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • (In Japanese)理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • (In Japanese)東京工業大学
  • (In Japanese)東京工業大学
  • (In Japanese)東京工業大学
  • (In Japanese)東北大学金属材料研究所
  • (In Japanese)東京工業大学応用セラミックス研究所
  • (In Japanese)慶應義塾大学理工学部物理学科
  • (In Japanese)東京大学工学部物理工学科
  • (In Japanese)文部科学省 金属材料技術研究所
  • (In Japanese)文部科学省 物質材料研究機構(旧金属材料技術研究所)
Research organization
  • (In Japanese)東京大学工学部物理工学科
  • (In Japanese)文部科学省 物質材料研究機構(旧金属材料技術研究所)
  • (In Japanese)東京工業大学
  • (In Japanese)理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
Report name (In Japanese)過少ドープYBa2Cu307-δ薄膜の配向制御成長およびそのc軸遠赤外特性
Technology summary (In Japanese)SrTiO3基板上にc軸配向したYBa2Cu307-δ薄膜をパルスレーザ蒸着で作製した。薄膜の面内エピタキシーと双晶形成は酸素分圧(PO2)の影響を受けた。膜は,結晶のa軸とb軸が基板の対応軸から約0.5度離れて傾く構造をとる傾向があった。一方,面は互いに平行を維持していた。酸素分圧は双晶形成の減少と密接な関係があり,最終的にはPO2=600mTorrでアニールし双晶を抑制した。正方-to-斜方変換中の双晶形成は,単軸力と熱力学的な力の競合で調節されていると思われた。図1に示したように,c軸遠赤外反射率の測定を膜上で行った結果,定常状態ではキャリアはCuO面に限られ,それらのc軸を通っての輸送は一貫していないことが分かった。転移温度が基準(Tc)以下に下がるとc軸に沿ったキャリア輸送が確立され,反射刃状が110cm-1付近に観測された。Tc以上の温度の定常状態では擬ギャップが生じ,超電導状態まで続いた。
Drawing

※Click image to enlarge.

R000000488_01SUM.gif
Research field
  • Crystal growth of oxides
  • Oxide thin films
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Single Molecule and Atom Level Reactions
Information research report
  • (In Japanese)X.G. Qiu,瀬川 勇三郎,いわさき,いとう,A. Sarin Kumar,川崎 雅司,鯉沼 秀臣,さいとう,くら,たけはな,きど. Orientation controlled growth of underdoped YBa2Cu307-δ thin films and their c-axis far infrared properties. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.107 - 107.

PAGE TOP